RU2016137484A - Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц - Google Patents
Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016137484A RU2016137484A RU2016137484A RU2016137484A RU2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- topological
- proximity effect
- function
- pattern
- digital
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Claims (52)
1. Способ выполнения процесса коррекции эффекта близости пучка заряженных частиц, причем упомянутый способ содержит этапы:
приема цифровой топологии рисунка, который будет наноситься на мишень с использованием одного или более пучков заряженных частиц;
выбора основной функции эффекта близости, содержащей сумму альфа-функции эффекта близости и бета-функции эффекта близости, причем упомянутая альфа-функция эффекта близости моделирует внутренний эффект близости, и упомянутая бета-функция эффекта близости моделирует внешний эффект близости, при этом постоянная η задана как отношение между бета-функцией эффекта близости и альфа-функцией эффекта близости в упомянутой сумме,
отличающийся тем, что упомянутый способ содержит этапы:
определения модифицированной функции эффекта близости, соответствующей упомянутой основной функции эффекта близости, при этом упомянутая модифицированная функция эффекта близости обеспечивает аппроксимацию основной функции эффекта близости, и при этом в упомянутой модифицированной функции эффекта близости альфа-функцию эффекта близости основной функции эффекта близости заменяют на функцию, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка; и
использования электронного процессора, выполняющего обратную свертку цифрового топологического рисунка с помощью модифицированной функции эффекта близости, и получения скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки.
2. Способ по п.1, в котором упомянутая функция, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка, является дельта-функцией Дирака.
3. Способ по п.1 или 2, в котором упомянутое выполнение обратной свертки приводит к вычислению карты коррекции фоновых доз, которая зависит от распределения плотности доз на цифровом топологическом рисунке, и в котором упомянутый скорректированный топологический рисунок получается в виде линейной комбинации упомянутой карты коррекции фоновых доз и упомянутого цифрового топологического рисунка.
4. Способ по п.3, в котором упомянутая карта коррекции фоновых доз вычисляется независимо от любых ранее вычисленных карт коррекции фоновых доз.
5. Способ по п.3 или 4, в котором упомянутый скорректированный топологический рисунок содержит скорректированные топологические элементы, соответствующие топологическим элементам на цифровом топологическом рисунке, причем каждый скорректированный топологический элемент имеет границы, по существу соответствующие границам соответствующего топологического элемента на цифровом топологическом рисунке, и в котором доза для упомянутого топологического элемента в скорректированном топологическом рисунке отличается от дозы для соответствующего топологического элемента на цифровом топологическом рисунке на величину, основанную на упомянутой карте коррекции фоновых доз.
6. Способ по любому из пп.3-5, в котором упомянутая цифровая топология моделируется в виде функции p(x,y) топологического рисунка, при этом упомянутая альфа-функция эффекта близости и упомянутая бета-функция эффекта близости представляют собой суммы одной или более гауссовых функций gα(r) и gβ(r), соответственно, где gα(r) и gβ(r) -гауссовы функции при β>>α, и где α и β можно подставить вместо σ в ,
где r - расстояние пучка заряженных частиц при падении на резист в точке (x,y),
причем упомянутый способ содержит этап вычисления упомянутой карты коррекции фоновых доз в виде:
где s - коэффициент масштабирования, c - постоянная смещения, и ⊗ - оператор свертки,
при этом получение упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит вычисление:
где упомянутый скорректированный топологический рисунок предпочтительно вычисляется в виде fn,c(x,y).
7. Способ по п.6, в котором s по существу равно 1/(1+η).
8. Способ по п.6 или 7, в котором упомянутая постоянная c зависит от самого плотного распределения топологических элементов в форме линий, которые могут появляться на упомянутом цифровом топологическом рисунке, и в котором значение c находится в пределах диапазона 0,45⋅η/(1+η) - 0,55⋅η/(1+η), предпочтительно по существу равно 0,5⋅η/(1+η).
9. Способ по п.6 или 7, в котором упомянутая постоянная c зависит от самого плотного распределения топологических элементов в форме контактов, которые могут появляться на упомянутом цифровом топологическом рисунке, причем значение c находится в пределах диапазона 0,30⋅η/(1+η) - 0,60⋅η/(1+η), предпочтительно по существу равно 0,45⋅η/(1+η).
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутая обратная свертка топологического рисунка с модифицированной функцией эффекта близости корректирует бета-функцию эффекта близости без коррекции альфа-функции эффекта близости.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно содержащий этап нанесения рисунка на упомянутую мишень с использованием упомянутого скорректированного топологического рисунка.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутая альфа-функция эффекта близости и упомянутая бета-функция эффекта близости представляют собой суммы одной или более гауссовых функций.
13. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором преобразование Фурье бета-функции эффекта близости приближается к нулю при увеличении пространственного разрешения преобразования Фурье.
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором свертка модифицированной функции эффекта близости с цифровым топологическим рисунком является по существу обратимой.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутый этап выполнения операции обратной свертки выполняется путем вычисления аппроксимации упомянутой обратной свертки предпочтительно с использованием разложения в ряд Тейлора модифицированной функции эффекта близости.
16. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно содержащий этап нормирования упомянутого скорректированного топологического рисунка.
17. Способ по п.16, в котором упомянутый этап нормирования упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит:
- определение самого плотного рисунка конкретного топологического элемента, который может появляться на цифровом топологическом рисунке,
- определение дозы энергии, требуемой для нанесения рисунка на мишень с упомянутыми конкретными топологическими элементами на рисунке, соответствующем упомянутому самому плотному рисунку,
- добавление постоянного смещения в упомянутый скорректированный топологический рисунок для получения смещенного скорректированного топологического рисунка, в котором все значения больше или равны нулю,
- масштабирование упомянутого смещенного скорректированного топологического рисунка таким образом, чтобы топологические элементы в пределах упомянутого рисунка, которые размещаются в самом плотном рисунке, имели дозу 100%, и топологические элементы, расположенные за пределами упомянутого самого плотного рисунка, имели более высокую дозу.
18. Способ по любому из предыдущих пунктов, содержащий этап, перед получением упомянутого скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки цифрового топологического рисунка с упомянутой модифицированной функцией эффекта близости, использования электронного процессора для выполнения коррекции внутреннего эффекта близости на упомянутом цифровом топологическом рисунке.
19. Структура данных, содержащая представление скорректированного топологического рисунка, полученного с использованием способа по любому из предыдущих пунктов.
20. Структура данных по п.19, в которой упомянутое представление упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит представление цифрового топологического рисунка и отдельное представление карты коррекции фоновых доз.
21. Структура данных по п.20, в которой упомянутое представление цифрового топологического рисунка содержит некоторое количество многоугольников и связанные с ними значения доз, и в которой упомянутое представление карты коррекции фоновых доз содержит некоторое количество многоугольников и связанные с ними значения доз, которые будут накладываться на цифровой топологический рисунок для формирования упомянутого скорректированного топологического рисунка.
22. Структура данных по пп.19, 20 или 21, в которой упомянутая карта коррекции фоновых доз представлена в виде некоторого количества смежных и неперекрывающихся многоугольников, имеющих размер, который по существу больше, чем наименьший размер топологического элемента на цифровом топологическом рисунке.
23. Структура данных по любому из пп.19-22, в которой радиус, в котором варьируется доза карты коррекции фоновых доз, пропорционален радиусу влияния бета-функции эффекта близости, причем упомянутый радиус предпочтительно соответствует β.
24. Система для литографии пучками заряженных частиц, содержащая электронный процессор, выполненный с возможностью выполнения способа по любому из пп.1-18 и/или для получения скорректированного топологического рисунка из структуры данных по любому из пп.19-23.
25. Система для литографии пучками заряженных частиц по п.24, дополнительно содержащая:
источник пучка заряженных частиц для испускания пучка заряженных частиц;
апертурную решетку для разделения упомянутого пучка на множество пучков заряженных частиц;
решетку схем гашения пучка, выполненную для отдельного гашения пучков из упомянутого множества пучков заряженных частиц для того, чтобы упомянутые пучки могли или не могли полностью или частично достигать мишени; и
контроллер, выполненный с возможностью управления упомянутой решеткой схем гашения пучка для гашения упомянутых пучков, основываясь на скорректированном топологическом рисунке, полученном с помощью упомянутого электронного калькулятора.
26. Машиночитаемый носитель, содержащий инструкции, хранящиеся на нем для предписания компьютеру выполнять способ по любому из пп.1-18.
27. Способ выполнения процесса коррекции эффекта близости пучка заряженных частиц, причем упомянутый способ содержит этапы:
приема цифровой топологии рисунка, который будет наноситься на мишень с использованием одного или более пучков заряженных частиц;
выбора основной функции эффекта близости, содержащей сумму альфа-функции эффекта близости и бета-функции эффекта близости, причем упомянутая альфа-функция эффекта близости моделирует внутренний эффект близости, и упомянутая бета-функция эффекта близости моделирует внешний эффект близости, при этом постоянная η задана как отношение между бета-функцией эффекта близости и альфа-функцией эффекта близости в упомянутой сумме,
отличающийся тем, что упомянутый способ содержит этапы:
определения модифицированной функции эффекта близости, соответствующей упомянутой основной функции эффекта близости, причем в упомянутой модифицированной функции эффекта близости альфа-функция эффекта близости заменяется на функцию, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка; и
использования электронного процессора, выполняющего обратную свертку цифрового топологического рисунка с модифицированной функцией эффекта близости и получения скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461942676P | 2014-02-21 | 2014-02-21 | |
US61/942,676 | 2014-02-21 | ||
PCT/NL2015/050105 WO2015126246A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-02-19 | Proximity effect correction in a charged particle lithography system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016137484A true RU2016137484A (ru) | 2018-03-26 |
RU2016137484A3 RU2016137484A3 (ru) | 2018-06-18 |
RU2691955C2 RU2691955C2 (ru) | 2019-06-19 |
Family
ID=52633557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016137484A RU2691955C2 (ru) | 2014-02-21 | 2015-02-19 | Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9184026B2 (ru) |
EP (1) | EP3108495A1 (ru) |
JP (2) | JP2016512930A (ru) |
KR (1) | KR102403574B1 (ru) |
NL (1) | NL2014314B1 (ru) |
RU (1) | RU2691955C2 (ru) |
WO (1) | WO2015126246A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10410831B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-09-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
US10325756B2 (en) | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
US10325757B2 (en) * | 2017-01-27 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced dose-level quantization of multibeam-writers |
US10522329B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-12-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus |
US11569064B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-01-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
US10651010B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-05-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction |
US10840054B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
US11556058B2 (en) * | 2018-10-31 | 2023-01-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Proximity effect correction in electron beam lithography |
US11099482B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Ims Nanofabrication Gmbh | Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers |
KR20210132599A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0166549A2 (en) * | 1984-06-21 | 1986-01-02 | Varian Associates, Inc. | Method for proximity effect correction in electron beam lithography systems |
JP3469422B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
US5736281A (en) | 1996-06-07 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Dose modification proximity effect compensation (PEC) technique for electron beam lithography |
US5847959A (en) * | 1997-01-28 | 1998-12-08 | Etec Systems, Inc. | Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation |
JP2000012437A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子線描画方法 |
RU2243613C1 (ru) * | 2003-07-16 | 2004-12-27 | Гурович Борис Аронович | Способ формирования объемной структуры |
US7266800B2 (en) | 2004-06-04 | 2007-09-04 | Invarium, Inc. | Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes |
EP1612834A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-04 | Leica Microsystems Lithography GmbH | A process for controlling the proximity effect correction |
US7256870B2 (en) | 2005-02-01 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for controlling iso-dense bias in lithography |
US7487489B2 (en) | 2005-02-28 | 2009-02-03 | Yuri Granik | Calculation system for inverse masks |
US20110004856A1 (en) | 2005-02-28 | 2011-01-06 | Yuri Granik | Inverse Mask Design and Correction for Electronic Design |
JP4476975B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP4976071B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2012-07-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US7638247B2 (en) | 2006-06-22 | 2009-12-29 | Pdf Solutions, Inc. | Method for electron beam proximity effect correction |
JP4945380B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
DE102010004939A1 (de) | 2010-01-18 | 2011-07-21 | EQUIcon Software GmbH Jena, 07745 | Verfahren zur Steuerung der Elektronenstrahl-Belichtung von Wafern und Masken mit Proximity-Korrektur |
FR2959026B1 (fr) * | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
JP2012060054A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
RU2462784C1 (ru) * | 2011-03-31 | 2012-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" | Способ электронной литографии |
KR102009536B1 (ko) * | 2011-09-13 | 2019-08-09 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 | 확률론적 방법에 의해 노광될 패턴에 대하여 디콘볼루션을 사용하여 전자 근접 효과를 보정 하기 위한 방법 |
TWI477925B (zh) * | 2011-10-04 | 2015-03-21 | Nuflare Technology Inc | Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method |
JP2013232531A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Canon Inc | 描画装置及び物品の製造方法 |
JP6076708B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2017-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量チェック方法 |
-
2015
- 2015-02-19 EP EP15708900.4A patent/EP3108495A1/en not_active Withdrawn
- 2015-02-19 NL NL2014314A patent/NL2014314B1/en active
- 2015-02-19 KR KR1020167025931A patent/KR102403574B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-19 RU RU2016137484A patent/RU2691955C2/ru active
- 2015-02-19 JP JP2016504277A patent/JP2016512930A/ja not_active Ceased
- 2015-02-19 US US14/626,891 patent/US9184026B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-02-19 WO PCT/NL2015/050105 patent/WO2015126246A1/en active Application Filing
-
2018
- 2018-07-12 JP JP2018132420A patent/JP2019009447A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9184026B2 (en) | 2015-11-10 |
US20150243481A1 (en) | 2015-08-27 |
WO2015126246A1 (en) | 2015-08-27 |
RU2691955C2 (ru) | 2019-06-19 |
JP2016512930A (ja) | 2016-05-09 |
NL2014314A (en) | 2015-08-26 |
KR20160125442A (ko) | 2016-10-31 |
EP3108495A1 (en) | 2016-12-28 |
NL2014314B1 (en) | 2016-07-19 |
JP2019009447A (ja) | 2019-01-17 |
KR102403574B1 (ko) | 2022-05-30 |
RU2016137484A3 (ru) | 2018-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016137484A (ru) | Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц | |
WO2017091339A1 (en) | Tool to provide integrated circuit masks with accurate dimensional compensation of patterns | |
CN101794325B (zh) | 使用主分量分析的紧凑abbe内核生成 | |
US20120192126A1 (en) | Systems and methods providing electron beam proximity effect correction | |
US20090193387A1 (en) | Methodology and system for determining numerical errors in pixel-based imaging simulation in designing lithographic masks | |
US9754068B2 (en) | Method, computer readable storage medium and computer system for creating a layout of a photomask | |
WO2015023610A1 (en) | An edge-based full chip mask topography modeling | |
Gavrilyuk et al. | Exact and truncated difference schemes for boundary value ODEs | |
US20180107773A1 (en) | Simulation method and information processing apparatus | |
US8959466B1 (en) | Systems and methods for designing layouts for semiconductor device fabrication | |
Garimella | A simple introduction to moving least squares and local regression estimation | |
JP6336272B2 (ja) | 電子ビーム・リソグラフィによってプレートまたはマスク上に印刷されるパターンを推定する方法、および対応する印刷装置 | |
CN113779779A (zh) | 优化掩模的方法、设备和计算机可读存储介质 | |
US20150310158A1 (en) | Method for Integrated Circuit Manufacturing | |
JP6405087B2 (ja) | 粒子ビーム描画プロセスおよび特に電子ビーム描画プロセスにおけるショット雑音の影響のシミュレーション | |
CN111507059B (zh) | 一种图形图像联合优化的光刻掩模优化方法、装置及电子设备 | |
US8875066B2 (en) | Performing image calculation based on spatial coherence | |
CN113962185B (zh) | 一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的方法及系统 | |
Rupp et al. | Adaptive variable-order spherical harmonics expansion of the Boltzmann Transport Equation | |
CN114707305A (zh) | 一种地闪活动分析方法及系统 | |
US20120060132A1 (en) | Non-Linear Rasterized Contour Filters | |
Zamani | A new, robust and applied model for approximation of huge data | |
US11022966B1 (en) | Method of modeling e-beam photomask manufacturing process using image-based artificial neural networks | |
US20160211115A1 (en) | Method for the correction of electron proximity effects | |
Young et al. | Parallel finite element density functional computations exploiting grid refinement and subspace recycling |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |