RU2016137484A - Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц - Google Patents

Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц Download PDF

Info

Publication number
RU2016137484A
RU2016137484A RU2016137484A RU2016137484A RU2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A RU 2016137484 A RU2016137484 A RU 2016137484A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
topological
proximity effect
function
pattern
digital
Prior art date
Application number
RU2016137484A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2691955C2 (ru
RU2016137484A3 (ru
Inventor
Марко Ян-Яко ВИЛАНД
Original Assignee
МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. filed Critical МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Publication of RU2016137484A publication Critical patent/RU2016137484A/ru
Publication of RU2016137484A3 publication Critical patent/RU2016137484A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2691955C2 publication Critical patent/RU2691955C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043Beam blanking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043Beam blanking
    • H01J2237/0435Multi-aperture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31769Proximity effect correction

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Claims (52)

1. Способ выполнения процесса коррекции эффекта близости пучка заряженных частиц, причем упомянутый способ содержит этапы:
приема цифровой топологии рисунка, который будет наноситься на мишень с использованием одного или более пучков заряженных частиц;
выбора основной функции эффекта близости, содержащей сумму альфа-функции эффекта близости и бета-функции эффекта близости, причем упомянутая альфа-функция эффекта близости моделирует внутренний эффект близости, и упомянутая бета-функция эффекта близости моделирует внешний эффект близости, при этом постоянная η задана как отношение между бета-функцией эффекта близости и альфа-функцией эффекта близости в упомянутой сумме,
отличающийся тем, что упомянутый способ содержит этапы:
определения модифицированной функции эффекта близости, соответствующей упомянутой основной функции эффекта близости, при этом упомянутая модифицированная функция эффекта близости обеспечивает аппроксимацию основной функции эффекта близости, и при этом в упомянутой модифицированной функции эффекта близости альфа-функцию эффекта близости основной функции эффекта близости заменяют на функцию, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка; и
использования электронного процессора, выполняющего обратную свертку цифрового топологического рисунка с помощью модифицированной функции эффекта близости, и получения скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки.

2. Способ по п.1, в котором упомянутая функция, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка, является дельта-функцией Дирака.

3. Способ по п.1 или 2, в котором упомянутое выполнение обратной свертки приводит к вычислению карты коррекции фоновых доз, которая зависит от распределения плотности доз на цифровом топологическом рисунке, и в котором упомянутый скорректированный топологический рисунок получается в виде линейной комбинации упомянутой карты коррекции фоновых доз и упомянутого цифрового топологического рисунка.

4. Способ по п.3, в котором упомянутая карта коррекции фоновых доз вычисляется независимо от любых ранее вычисленных карт коррекции фоновых доз.

5. Способ по п.3 или 4, в котором упомянутый скорректированный топологический рисунок содержит скорректированные топологические элементы, соответствующие топологическим элементам на цифровом топологическом рисунке, причем каждый скорректированный топологический элемент имеет границы, по существу соответствующие границам соответствующего топологического элемента на цифровом топологическом рисунке, и в котором доза для упомянутого топологического элемента в скорректированном топологическом рисунке отличается от дозы для соответствующего топологического элемента на цифровом топологическом рисунке на величину, основанную на упомянутой карте коррекции фоновых доз.

6. Способ по любому из пп.3-5, в котором упомянутая цифровая топология моделируется в виде функции p(x,y) топологического рисунка, при этом упомянутая альфа-функция эффекта близости и упомянутая бета-функция эффекта близости представляют собой суммы одной или более гауссовых функций gα(r) и gβ(r), соответственно, где gα(r) и gβ(r) -гауссовы функции при β>>α, и где α и β можно подставить вместо σ в
Figure 00000001
,
где r - расстояние пучка заряженных частиц при падении на резист в точке (x,y),
причем упомянутый способ содержит этап вычисления упомянутой карты коррекции фоновых доз в виде:
Figure 00000002
,
где s - коэффициент масштабирования, c - постоянная смещения, и ⊗ - оператор свертки,
при этом получение упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит вычисление:
Figure 00000003
,
где упомянутый скорректированный топологический рисунок предпочтительно вычисляется в виде fn,c(x,y).

7. Способ по п.6, в котором s по существу равно 1/(1+η).

8. Способ по п.6 или 7, в котором упомянутая постоянная c зависит от самого плотного распределения топологических элементов в форме линий, которые могут появляться на упомянутом цифровом топологическом рисунке, и в котором значение c находится в пределах диапазона 0,45⋅η/(1+η) - 0,55⋅η/(1+η), предпочтительно по существу равно 0,5⋅η/(1+η).

9. Способ по п.6 или 7, в котором упомянутая постоянная c зависит от самого плотного распределения топологических элементов в форме контактов, которые могут появляться на упомянутом цифровом топологическом рисунке, причем значение c находится в пределах диапазона 0,30⋅η/(1+η) - 0,60⋅η/(1+η), предпочтительно по существу равно 0,45⋅η/(1+η).

10. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутая обратная свертка топологического рисунка с модифицированной функцией эффекта близости корректирует бета-функцию эффекта близости без коррекции альфа-функции эффекта близости.

11. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно содержащий этап нанесения рисунка на упомянутую мишень с использованием упомянутого скорректированного топологического рисунка.

12. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутая альфа-функция эффекта близости и упомянутая бета-функция эффекта близости представляют собой суммы одной или более гауссовых функций.

13. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором преобразование Фурье бета-функции эффекта близости приближается к нулю при увеличении пространственного разрешения преобразования Фурье.

14. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором свертка модифицированной функции эффекта близости с цифровым топологическим рисунком является по существу обратимой.

15. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутый этап выполнения операции обратной свертки выполняется путем вычисления аппроксимации упомянутой обратной свертки предпочтительно с использованием разложения в ряд Тейлора модифицированной функции эффекта близости.

16. Способ по любому из предыдущих пунктов, дополнительно содержащий этап нормирования упомянутого скорректированного топологического рисунка.

17. Способ по п.16, в котором упомянутый этап нормирования упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит:
- определение самого плотного рисунка конкретного топологического элемента, который может появляться на цифровом топологическом рисунке,
- определение дозы энергии, требуемой для нанесения рисунка на мишень с упомянутыми конкретными топологическими элементами на рисунке, соответствующем упомянутому самому плотному рисунку,
- добавление постоянного смещения в упомянутый скорректированный топологический рисунок для получения смещенного скорректированного топологического рисунка, в котором все значения больше или равны нулю,
- масштабирование упомянутого смещенного скорректированного топологического рисунка таким образом, чтобы топологические элементы в пределах упомянутого рисунка, которые размещаются в самом плотном рисунке, имели дозу 100%, и топологические элементы, расположенные за пределами упомянутого самого плотного рисунка, имели более высокую дозу.

18. Способ по любому из предыдущих пунктов, содержащий этап, перед получением упомянутого скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки цифрового топологического рисунка с упомянутой модифицированной функцией эффекта близости, использования электронного процессора для выполнения коррекции внутреннего эффекта близости на упомянутом цифровом топологическом рисунке.

19. Структура данных, содержащая представление скорректированного топологического рисунка, полученного с использованием способа по любому из предыдущих пунктов.

20. Структура данных по п.19, в которой упомянутое представление упомянутого скорректированного топологического рисунка содержит представление цифрового топологического рисунка и отдельное представление карты коррекции фоновых доз.

21. Структура данных по п.20, в которой упомянутое представление цифрового топологического рисунка содержит некоторое количество многоугольников и связанные с ними значения доз, и в которой упомянутое представление карты коррекции фоновых доз содержит некоторое количество многоугольников и связанные с ними значения доз, которые будут накладываться на цифровой топологический рисунок для формирования упомянутого скорректированного топологического рисунка.

22. Структура данных по пп.19, 20 или 21, в которой упомянутая карта коррекции фоновых доз представлена в виде некоторого количества смежных и неперекрывающихся многоугольников, имеющих размер, который по существу больше, чем наименьший размер топологического элемента на цифровом топологическом рисунке.

23. Структура данных по любому из пп.19-22, в которой радиус, в котором варьируется доза карты коррекции фоновых доз, пропорционален радиусу влияния бета-функции эффекта близости, причем упомянутый радиус предпочтительно соответствует β.

24. Система для литографии пучками заряженных частиц, содержащая электронный процессор, выполненный с возможностью выполнения способа по любому из пп.1-18 и/или для получения скорректированного топологического рисунка из структуры данных по любому из пп.19-23.

25. Система для литографии пучками заряженных частиц по п.24, дополнительно содержащая:
источник пучка заряженных частиц для испускания пучка заряженных частиц;
апертурную решетку для разделения упомянутого пучка на множество пучков заряженных частиц;
решетку схем гашения пучка, выполненную для отдельного гашения пучков из упомянутого множества пучков заряженных частиц для того, чтобы упомянутые пучки могли или не могли полностью или частично достигать мишени; и
контроллер, выполненный с возможностью управления упомянутой решеткой схем гашения пучка для гашения упомянутых пучков, основываясь на скорректированном топологическом рисунке, полученном с помощью упомянутого электронного калькулятора.

26. Машиночитаемый носитель, содержащий инструкции, хранящиеся на нем для предписания компьютеру выполнять способ по любому из пп.1-18.

27. Способ выполнения процесса коррекции эффекта близости пучка заряженных частиц, причем упомянутый способ содержит этапы:
приема цифровой топологии рисунка, который будет наноситься на мишень с использованием одного или более пучков заряженных частиц;
выбора основной функции эффекта близости, содержащей сумму альфа-функции эффекта близости и бета-функции эффекта близости, причем упомянутая альфа-функция эффекта близости моделирует внутренний эффект близости, и упомянутая бета-функция эффекта близости моделирует внешний эффект близости, при этом постоянная η задана как отношение между бета-функцией эффекта близости и альфа-функцией эффекта близости в упомянутой сумме,
отличающийся тем, что упомянутый способ содержит этапы:
определения модифицированной функции эффекта близости, соответствующей упомянутой основной функции эффекта близости, причем в упомянутой модифицированной функции эффекта близости альфа-функция эффекта близости заменяется на функцию, которая является обратимой в пространстве Фурье и имеет частотную характеристику по существу во всем частотном диапазоне цифрового топологического рисунка; и
использования электронного процессора, выполняющего обратную свертку цифрового топологического рисунка с модифицированной функцией эффекта близости и получения скорректированного топологического рисунка на основании упомянутой обратной свертки.
RU2016137484A 2014-02-21 2015-02-19 Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц RU2691955C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461942676P 2014-02-21 2014-02-21
US61/942,676 2014-02-21
PCT/NL2015/050105 WO2015126246A1 (en) 2014-02-21 2015-02-19 Proximity effect correction in a charged particle lithography system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016137484A true RU2016137484A (ru) 2018-03-26
RU2016137484A3 RU2016137484A3 (ru) 2018-06-18
RU2691955C2 RU2691955C2 (ru) 2019-06-19

Family

ID=52633557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016137484A RU2691955C2 (ru) 2014-02-21 2015-02-19 Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9184026B2 (ru)
EP (1) EP3108495A1 (ru)
JP (2) JP2016512930A (ru)
KR (1) KR102403574B1 (ru)
NL (1) NL2014314B1 (ru)
RU (1) RU2691955C2 (ru)
WO (1) WO2015126246A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325757B2 (en) * 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
US11556058B2 (en) * 2018-10-31 2023-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Proximity effect correction in electron beam lithography
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0166549A2 (en) * 1984-06-21 1986-01-02 Varian Associates, Inc. Method for proximity effect correction in electron beam lithography systems
JP3469422B2 (ja) * 1996-02-23 2003-11-25 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法及び描画装置
US5736281A (en) 1996-06-07 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Dose modification proximity effect compensation (PEC) technique for electron beam lithography
US5847959A (en) * 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JP2000012437A (ja) * 1998-06-24 2000-01-14 Oki Electric Ind Co Ltd 電子線描画方法
RU2243613C1 (ru) * 2003-07-16 2004-12-27 Гурович Борис Аронович Способ формирования объемной структуры
US7266800B2 (en) 2004-06-04 2007-09-04 Invarium, Inc. Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
EP1612834A1 (en) 2004-06-29 2006-01-04 Leica Microsystems Lithography GmbH A process for controlling the proximity effect correction
US7256870B2 (en) 2005-02-01 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for controlling iso-dense bias in lithography
US7487489B2 (en) 2005-02-28 2009-02-03 Yuri Granik Calculation system for inverse masks
US20110004856A1 (en) 2005-02-28 2011-01-06 Yuri Granik Inverse Mask Design and Correction for Electronic Design
JP4476975B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4976071B2 (ja) * 2006-02-21 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US7638247B2 (en) 2006-06-22 2009-12-29 Pdf Solutions, Inc. Method for electron beam proximity effect correction
JP4945380B2 (ja) * 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
DE102010004939A1 (de) 2010-01-18 2011-07-21 EQUIcon Software GmbH Jena, 07745 Verfahren zur Steuerung der Elektronenstrahl-Belichtung von Wafern und Masken mit Proximity-Korrektur
FR2959026B1 (fr) * 2010-04-15 2012-06-01 Commissariat Energie Atomique Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin
JP2012060054A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
RU2462784C1 (ru) * 2011-03-31 2012-09-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Способ электронной литографии
KR102009536B1 (ko) * 2011-09-13 2019-08-09 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 확률론적 방법에 의해 노광될 패턴에 대하여 디콘볼루션을 사용하여 전자 근접 효과를 보정 하기 위한 방법
TWI477925B (zh) * 2011-10-04 2015-03-21 Nuflare Technology Inc Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method
JP2013232531A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Canon Inc 描画装置及び物品の製造方法
JP6076708B2 (ja) * 2012-11-21 2017-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量チェック方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9184026B2 (en) 2015-11-10
US20150243481A1 (en) 2015-08-27
WO2015126246A1 (en) 2015-08-27
RU2691955C2 (ru) 2019-06-19
JP2016512930A (ja) 2016-05-09
NL2014314A (en) 2015-08-26
KR20160125442A (ko) 2016-10-31
EP3108495A1 (en) 2016-12-28
NL2014314B1 (en) 2016-07-19
JP2019009447A (ja) 2019-01-17
KR102403574B1 (ko) 2022-05-30
RU2016137484A3 (ru) 2018-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016137484A (ru) Коррекция эффекта близости в системе для литографии пучками заряженных частиц
WO2017091339A1 (en) Tool to provide integrated circuit masks with accurate dimensional compensation of patterns
CN101794325B (zh) 使用主分量分析的紧凑abbe内核生成
US20120192126A1 (en) Systems and methods providing electron beam proximity effect correction
US20090193387A1 (en) Methodology and system for determining numerical errors in pixel-based imaging simulation in designing lithographic masks
US9754068B2 (en) Method, computer readable storage medium and computer system for creating a layout of a photomask
WO2015023610A1 (en) An edge-based full chip mask topography modeling
Gavrilyuk et al. Exact and truncated difference schemes for boundary value ODEs
US20180107773A1 (en) Simulation method and information processing apparatus
US8959466B1 (en) Systems and methods for designing layouts for semiconductor device fabrication
Garimella A simple introduction to moving least squares and local regression estimation
JP6336272B2 (ja) 電子ビーム・リソグラフィによってプレートまたはマスク上に印刷されるパターンを推定する方法、および対応する印刷装置
CN113779779A (zh) 优化掩模的方法、设备和计算机可读存储介质
US20150310158A1 (en) Method for Integrated Circuit Manufacturing
JP6405087B2 (ja) 粒子ビーム描画プロセスおよび特に電子ビーム描画プロセスにおけるショット雑音の影響のシミュレーション
CN111507059B (zh) 一种图形图像联合优化的光刻掩模优化方法、装置及电子设备
US8875066B2 (en) Performing image calculation based on spatial coherence
CN113962185B (zh) 一种表面等离子体近场光刻掩模拓扑优化的方法及系统
Rupp et al. Adaptive variable-order spherical harmonics expansion of the Boltzmann Transport Equation
CN114707305A (zh) 一种地闪活动分析方法及系统
US20120060132A1 (en) Non-Linear Rasterized Contour Filters
Zamani A new, robust and applied model for approximation of huge data
US11022966B1 (en) Method of modeling e-beam photomask manufacturing process using image-based artificial neural networks
US20160211115A1 (en) Method for the correction of electron proximity effects
Young et al. Parallel finite element density functional computations exploiting grid refinement and subspace recycling

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant