Claims (2)
1. Способ изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек, включающий создание сквозных истоковых р+-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном р--слое исходной кремниевой р-р+-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика на лицевой поверхности подложки, нанесение на подзатворный диэлектрик слоя поликремния и легирование его фосфором, нанесение на поликремний тугоплавкого металла, формирование полицида тугоплавкого металла на поверхности поликремния высокотемпературным отжигом подложки в определенной среде, создание из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния методом фотолитографии полицидных электродов затвора элементарных ячеек в виде узких протяженных продольных зубцов прямоугольного сечения с рядом прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок, формирование под подзатворным диэлектриком ответвленных контактных площадок затворных зубцов дополнительных локальных высоколегированных n+-областей, создание в высокоомном р--слое подложки р-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек посредством внедрения в подложку соответственно ионов бора, фосфора и мышьяка при использовании в качестве защитной маски полицидных электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренных в подложку примесей, поэтапное осаждение многоуровневого межслойного диэлектрика на лицевую поверхность подложки и поэтапное вскрытие в нем методом фотолитографии контактных окон над высоколегированными р+-перемычками, высоколегированными n+-областями стока и истока и точечно над полицидными электродами затвора элементарных ячеек, формирование многоуровневых металлических электродов стока и шунтирующих шин затвора, а также заземленных на исток экранирующих электродов элементарных ячеек на лицевой поверхности подложки и общего металлического электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, отличающийся тем, что сначала создают узкие полицидные продольные зубцы затворного узла элементарных ячеек без прилегающих к ним со стороны истока ответвленных контактных площадок и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно р-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а металлические проводники, точечно шунтирующие продольные полицидные затворные зубцы элементарных ячеек, формируют одновременно с 1-м уровнем шунтирующих шин затвора транзисторной структуры над сквозными истоковыми р+-перемычками в высокоомном эпитаксиальном р--слое подложки и из того же материала.1. A method of manufacturing high-power silicon microwave LDMOS transistors with a modernized gate unit of elementary cells, including the creation of through source p + jumper of elementary transistor cells in a high-resistance epitaxial p - layer of the original silicon p - p + substrate, growing a gate dielectric on the front surface deposition of a polysilicon layer on the gate dielectric and doping it with phosphorus, deposition of a refractory metal on polysilicon, formation of a refractory metal polycide on the surface polysilicon by high-temperature annealing of the substrate in a certain medium, creation of a refractory metal from a polycide and a layer of polysilicon by photolithography of polycide gate electrode of elementary cells in the form of narrow extended longitudinal teeth of rectangular cross section with a number of branched contact pads adjacent to them, forming a dielectric branched contact pads of gate teeth of additional local highly doped n + -regions, creating in the high-resistance p - layer of the substrate of p-pockets, multistage lightly doped n - -regions of the drain and highly doped n + -regions of the drain and the source of unit cells by introducing boron, phosphorus and arsenic ions into the substrate, respectively, when the gate polycide electrodes are used as a protective mask and layers of a photoresist and subsequent diffusion redistribution of impurities embedded in the substrate, phased deposition of a multilevel interlayer dielectric on the front surface of the substrate and phased opening in it Methods for photolithographic contact holes over the p + -peremychkami highly alloyed, high--domains n + drain and source and point over the polycide gate electrodes of the unit cells, the formation of multi-level metal electrodes and drain shunt gate lines and the grounded shield electrodes on the source of the unit cells on the front surface substrate and a common metal electrode of the source of the transistor structure on its back side, characterized in that at first they create a narrow polycide longitudinal s tine shutter assembly without unit cells adjacent to them from the source contact pads of branch and used as a protective mask when introducing boron ions into the substrate, phosphorus and arsenic, respectively, when forming the p-pockets multistage lightly doped n - -regions Photo and high n The + regions of the drain and the source of the unit cells, and metal conductors that point-bypass the longitudinal polycide gate teeth of the unit cells form simultaneously with the 1st level of the shunt buses the gate of the transistor structure over the through source p + jumper in the high-resistance epitaxial p - layer of the substrate and from the same material.
2. Способ изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек по п. 1, включающий выращивание подзатворного диэлектрика на лицевой поверхности подложки, нанесение на подзатворный диэлектрик слоя поликремния и легирование его фосфором, нанесение на поликремний тугоплавкого металла, отличающийся тем, что методом фотолитографии создают из тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния узкие продольные зубцы элементарных ячеек без примыкающих к ним ответвленных контактных площадок и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка, а полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния формируют на этапе диффузионной разгонки внедренных в подложку примесей при повышенной (900-1000°C) температуре в определенной среде.2. A method of manufacturing high-power silicon microwave LDMOS transistors with a modernized gate unit of elementary cells according to claim 1, comprising growing a gate dielectric on the front surface of the substrate, applying a layer of polysilicon to the gate dielectric and doping it with phosphorus, applying a high-melting polysilicon metal, characterized in that Using the photolithography method, narrow longitudinal teeth of elementary cells without adjacent branch contours adjacent to them are created from a refractory metal and a layer of polysilicon. ktnyh sites and use them as a protective mask when introducing boron ions into the substrate, phosphorus and arsenic, and politsid refractory metal on the polysilicon surface is formed on the diffusion stage distillation impurities implanted into the substrate at high (900-1000 ° C) in a certain temperature environment.