RU2015104164A - Способ нанесения покрытия импульсами высокой мощности - Google Patents
Способ нанесения покрытия импульсами высокой мощности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015104164A RU2015104164A RU2015104164A RU2015104164A RU2015104164A RU 2015104164 A RU2015104164 A RU 2015104164A RU 2015104164 A RU2015104164 A RU 2015104164A RU 2015104164 A RU2015104164 A RU 2015104164A RU 2015104164 A RU2015104164 A RU 2015104164A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reaction gas
- coating
- flow rate
- partial pressure
- dependence
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
1. Способ нанесения покрытия на подложку посредством реакционного с плазменной поддержкой процесса распыления HiPIMS, отличающийся тем, что сначала определяют расход реакционного газа в зависимости от параметра нанесения покрытия или нескольких параметров нанесения покрытия, и для нанесения покрытия упомянутый или упомянутые параметры нанесения покрытия выбирают таким образом, что нанесение покрытия выполняют в переходном режиме, причем расход реакционного газа регулируют посредством установки упомянутого параметра нанесения покрытия или упомянутых параметров нанесения покрытия.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый параметр нанесения покрытия представляет собой парциальное давление реакционного газа.3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что расход реакционного газа регулируют таким образом, что он составляет, по существу, по меньшей мере 70% от максимального расхода реакционного газа4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что парциальное давление реакционного газа устанавливают в диапазоне, нижняя граница которого приводит к максимальному расходу реакционного газа, и верхняя граница которого приводит к 70% от максимального расхода реакционного газа.5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что мощность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится стабильнее.6. Способ по п. 2, отличающийся тем, что мощность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится
Claims (12)
1. Способ нанесения покрытия на подложку посредством реакционного с плазменной поддержкой процесса распыления HiPIMS, отличающийся тем, что сначала определяют расход реакционного газа в зависимости от параметра нанесения покрытия или нескольких параметров нанесения покрытия, и для нанесения покрытия упомянутый или упомянутые параметры нанесения покрытия выбирают таким образом, что нанесение покрытия выполняют в переходном режиме, причем расход реакционного газа регулируют посредством установки упомянутого параметра нанесения покрытия или упомянутых параметров нанесения покрытия.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый параметр нанесения покрытия представляет собой парциальное давление реакционного газа.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что расход реакционного газа регулируют таким образом, что он составляет, по существу, по меньшей мере 70% от максимального расхода реакционного газа
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что парциальное давление реакционного газа устанавливают в диапазоне, нижняя граница которого приводит к максимальному расходу реакционного газа, и верхняя граница которого приводит к 70% от максимального расхода реакционного газа.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что мощность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится стабильнее.
6. Способ по п. 2, отличающийся тем, что мощность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится стабильнее.
7. Способ по п. 4, отличающийся тем, что длительность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится стабильнее.
8. Способ по п. 2, отличающийся тем, что длительность импульса повышают до тех пор, пока зависимость расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа не уменьшится таким образом, что процесс нанесения покрытия становится стабильнее.
9. Способ по п. 2, отличающийся тем, что устанавливают заданную высоту максимального расхода реакционного газа посредством установки плотности мощности в импульсе.
10. Способ по п. 3, отличающийся тем, что устанавливают заданную высоту максимального расхода реакционного газа посредством установки плотности мощности в импульсе.
11. Способ по любому из пп. 2-10, отличающийся тем, что для определения зависимости расхода реакционного газа от парциального давления реакционного газа выполняют способ со следующими этапами:
a) впуск реакционного газа в камеру нанесения покрытия, причем соответствующий поток реакционного газа измеряется и одновременно измеряется присутствующее в камере нанесения покрытия парциальное давление, без воспламенения плазмы;
b) впуск реакционного газа в камеру нанесения покрытия, причем соответствующий поток реакционного газа измеряется и одновременно измеряется присутствующее в камере нанесения покрытия парциальное давление, причем воспламеняется плазма;
c) повторение этапов а) и b) при нескольких различных потоках реакционного газа, и определение зависимости потока реакционного газа от парциального давления как с плазмой, так и без плазмы,
d) при заданном парциальном давлении вычитание значения потока реакционного газа, которое было определено без плазмы, из значения потока реакционного газа, которое было определено с плазмой, и уравнивание разности с расходом реакционного газа.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что в качестве реакционного газа применяют азот.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE201210013577 DE102012013577A1 (de) | 2012-07-10 | 2012-07-10 | Hochleistungsimpulsbeschichtungsmethode |
DE102012013577.7 | 2012-07-10 | ||
PCT/EP2013/001914 WO2014008989A1 (de) | 2012-07-10 | 2013-06-29 | Hochleistungsimpulsbeschichtungsverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2015104164A true RU2015104164A (ru) | 2016-08-27 |
Family
ID=48700524
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015104267A RU2015104267A (ru) | 2012-07-10 | 2013-06-24 | Способ нанесения покрытия при помощи высокомощных импульсов |
RU2015104164A RU2015104164A (ru) | 2012-07-10 | 2013-06-29 | Способ нанесения покрытия импульсами высокой мощности |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015104267A RU2015104267A (ru) | 2012-07-10 | 2013-06-24 | Способ нанесения покрытия при помощи высокомощных импульсов |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10060026B2 (ru) |
EP (2) | EP2872665B1 (ru) |
JP (3) | JP6271533B2 (ru) |
KR (3) | KR102408543B1 (ru) |
CN (2) | CN104428442B (ru) |
AR (1) | AR091708A1 (ru) |
BR (2) | BR112015000253B1 (ru) |
CA (2) | CA2878324C (ru) |
DE (1) | DE102012013577A1 (ru) |
HU (1) | HUE065108T2 (ru) |
IN (1) | IN2015DN00119A (ru) |
MX (2) | MX2015000441A (ru) |
MY (2) | MY171167A (ru) |
PH (2) | PH12015500057B1 (ru) |
RU (2) | RU2015104267A (ru) |
SG (2) | SG11201500131PA (ru) |
WO (2) | WO2014008984A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108368599B (zh) * | 2015-11-10 | 2020-11-06 | 山特维克知识产权股份有限公司 | 一种对用于涂覆的表面进行预处理的方法 |
US12009192B2 (en) * | 2016-11-03 | 2024-06-11 | Starfire Industries Llc | System for coupling RF power into LINACs and bellows coating by magnetron sputtering with kick pulse |
US11008650B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-05-18 | Starfire Industries Llc | Compact system for coupling RF power directly into RF linacs |
US11021788B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-06-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering method |
CN110184571A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-30 | 天津君盛天成科技发展有限公司 | 高功率脉冲涂装方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353343A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法および製造装置 |
DE10039478A1 (de) | 2000-08-08 | 2002-02-28 | Cemecon Ceramic Metal Coatings | Zerstäubungs-Bauteil |
EP1592821B1 (de) * | 2002-12-04 | 2009-01-14 | Leybold Optics GmbH | Verfahren zur herstellung einer multilayerschicht und vorrichtung zur durchführung des verfahrens |
WO2005036607A2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Deposition Sciences, Inc. | System and method for feedforward control in thin film coating processes |
DE102006017382A1 (de) * | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Itg Induktionsanlagen Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder zur Behandlung von Oberflächen |
EP2010691B1 (de) * | 2006-04-21 | 2017-12-06 | CemeCon AG | Beschichteter körper |
DE102006061324B4 (de) * | 2006-06-20 | 2008-07-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Regelung eines reaktiven Hochleistungs-Puls-Magnetronsputterprozesses und Vorrichtung hierzu |
SE533395C2 (sv) * | 2007-06-08 | 2010-09-14 | Sandvik Intellectual Property | Sätt att göra PVD-beläggningar |
US7966909B2 (en) * | 2007-07-25 | 2011-06-28 | The Gillette Company | Process of forming a razor blade |
TWI463028B (zh) * | 2007-12-07 | 2014-12-01 | Oc Oerlikon Balzers Ag | 使用hipims的反應性噴濺 |
DE202009018428U1 (de) * | 2008-04-28 | 2011-09-28 | Cemecon Ag | Vorrichtung zum Vorbehandeln und Beschichten von Körpern |
DE102008021912C5 (de) * | 2008-05-01 | 2018-01-11 | Cemecon Ag | Beschichtungsverfahren |
US8202820B2 (en) * | 2008-08-26 | 2012-06-19 | Northwestern University | Non-stoichiometric mixed-phase titania photocatalyst |
EP2366488A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Wiederaufarbeiten einer Turbinenschaufel mit wenigstens einer Plattform |
DE102010028558A1 (de) | 2010-05-04 | 2011-11-10 | Walter Ag | PVD-Hybridverfahren zum Abscheiden von Mischkristallschichten |
-
2012
- 2012-07-10 DE DE201210013577 patent/DE102012013577A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-06-24 EP EP13732096.6A patent/EP2872665B1/de active Active
- 2013-06-24 CA CA2878324A patent/CA2878324C/en active Active
- 2013-06-24 HU HUE13732096A patent/HUE065108T2/hu unknown
- 2013-06-24 MX MX2015000441A patent/MX2015000441A/es unknown
- 2013-06-24 KR KR1020217022307A patent/KR102408543B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-24 SG SG11201500131PA patent/SG11201500131PA/en unknown
- 2013-06-24 BR BR112015000253-6A patent/BR112015000253B1/pt active IP Right Grant
- 2013-06-24 CN CN201380037131.0A patent/CN104428442B/zh active Active
- 2013-06-24 JP JP2015520840A patent/JP6271533B2/ja active Active
- 2013-06-24 MY MYPI2015000022A patent/MY171167A/en unknown
- 2013-06-24 KR KR20157001115A patent/KR20150030729A/ko active Application Filing
- 2013-06-24 RU RU2015104267A patent/RU2015104267A/ru unknown
- 2013-06-24 WO PCT/EP2013/001853 patent/WO2014008984A1/de active Application Filing
- 2013-06-24 US US14/413,480 patent/US10060026B2/en active Active
- 2013-06-29 BR BR112015000350-8A patent/BR112015000350B1/pt active IP Right Grant
- 2013-06-29 JP JP2015520843A patent/JP6669496B2/ja active Active
- 2013-06-29 EP EP13735196.1A patent/EP2872666B1/de active Active
- 2013-06-29 MX MX2015000444A patent/MX2015000444A/es unknown
- 2013-06-29 CN CN201380037123.6A patent/CN104411863B/zh active Active
- 2013-06-29 WO PCT/EP2013/001914 patent/WO2014008989A1/de active Application Filing
- 2013-06-29 MY MYPI2015000044A patent/MY175241A/en unknown
- 2013-06-29 IN IN119DEN2015 patent/IN2015DN00119A/en unknown
- 2013-06-29 KR KR1020157001850A patent/KR102209219B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-29 SG SG11201500185SA patent/SG11201500185SA/en unknown
- 2013-06-29 US US14/413,487 patent/US10392694B2/en active Active
- 2013-06-29 CA CA2878536A patent/CA2878536C/en active Active
- 2013-06-29 RU RU2015104164A patent/RU2015104164A/ru unknown
- 2013-07-08 AR ARP130102431 patent/AR091708A1/es unknown
-
2015
- 2015-01-09 PH PH12015500057A patent/PH12015500057B1/en unknown
- 2015-01-09 PH PH12015500056A patent/PH12015500056A1/en unknown
-
2019
- 2019-01-08 JP JP2019001339A patent/JP2019090113A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2015104164A (ru) | Способ нанесения покрытия импульсами высокой мощности | |
MX2016008413A (es) | Metodo de soldadura por puntos de resistencia. | |
WO2011011532A3 (en) | Hollow cathode showerhead | |
Schoeffler et al. | Magnetic-field generation and amplification in an expanding plasma | |
WO2011085064A3 (en) | N-channel flow ratio controller calibration | |
Sobiczewski et al. | Predictive power of nuclear-mass models | |
CN104813104A (zh) | 用于监视和控制在燃气燃烧器设备中的燃烧的方法以及根据所述方法进行操作的燃烧控制系统 | |
TR201910034T4 (tr) | Daldırmalı yanma tipi eritici ve yöntem. | |
RU2020115168A (ru) | Технологическая камера и способ ее продувки | |
RU2014129572A (ru) | Способ гомогенного нанесения покрытий hipims | |
EA201491983A1 (ru) | Способ получения метакриловой кислоты, ее производных и полимеров на основе метакриловой кислоты | |
JP2014082338A5 (ru) | ||
WO2014174301A3 (en) | Operation of a fuel cell system | |
TH148485B (th) | วิธีการเคลือบผิวโดยใช้กำลังงานสูง | |
EA201200696A1 (ru) | Способ получения полимерного нанокомпозиционного материала | |
Scharrer et al. | Performance of a modified 1.4 MeV/u gas stripper for 238U4 | |
RU2588338C2 (ru) | Способ регулирования газовой турбины | |
RU2014154213A (ru) | Способ получения газовой смеси, содержащей окись азота | |
WO2016153166A3 (ko) | 흰등멸구를 접종한 벼로부터 코클리오퀴논을 분리하는 방법 | |
RU2011123296A (ru) | Способ повышения отказоустойчивости изделий (варианты) | |
Gordillo-Vázquez et al. | Modelling of the plasma chemistry induced by radially and temporally resolved positive streamers in low pressure air | |
PL399606A1 (pl) | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gestosci przeznaczonej do nanoszenia powlok w procesach rozpylania magnetronowego | |
Rankin et al. | The Drift Modes of Pulsar B0943+ 10 | |
SG10201809891SA (en) | Method and device for the surface treatment of substrates | |
MY167456A (en) | Method for treating acidic gas |