RU2014112050A - Устройства хранения энергии с по меньшей мере одной пористой поликристаллической подложкой - Google Patents
Устройства хранения энергии с по меньшей мере одной пористой поликристаллической подложкой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014112050A RU2014112050A RU2014112050/07A RU2014112050A RU2014112050A RU 2014112050 A RU2014112050 A RU 2014112050A RU 2014112050/07 A RU2014112050/07 A RU 2014112050/07A RU 2014112050 A RU2014112050 A RU 2014112050A RU 2014112050 A RU2014112050 A RU 2014112050A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polycrystalline substrate
- polycrystalline
- substrate
- porous layer
- grain size
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 52
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 title claims 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/08—Structural combinations, e.g. assembly or connection, of hybrid or EDL capacitors with other electric components, at least one hybrid or EDL capacitor being the main component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/24—Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
- H01G11/28—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/66—Current collectors
- H01G11/68—Current collectors characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
1. Структура, содержащая:первую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, равный по меньшей мере размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен; ипервый пористый слой, сформированный внутри первой поликристаллической подложки, где первый пористый слой содержит множество каналов.2. Структура по п. 1, дополнительно содержащая:вторую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, который по меньшей мере равен размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен;второй пористый слой, сформированный в пределах второй поликристаллической подложки, где второй пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность второй поликристаллической подложки; иизолирующий материал, сформированный между первой и второй поликристаллическими подложками, где каждый канал первого пористого слоя имеет выход на пористую поверхность первой поликристаллической подложки.3. Структура по п. 2, в которой указанное множество каналов покрыто графеном.4. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может подвергаться травлению с получением пористого материала.5. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния или карбида кремния.6. Структура по п. 2, в которой первая и вторая поликристаллические подложки имеют толщину менее одного мил�
Claims (30)
1. Структура, содержащая:
первую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, равный по меньшей мере размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен; и
первый пористый слой, сформированный внутри первой поликристаллической подложки, где первый пористый слой содержит множество каналов.
2. Структура по п. 1, дополнительно содержащая:
вторую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, который по меньшей мере равен размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен;
второй пористый слой, сформированный в пределах второй поликристаллической подложки, где второй пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность второй поликристаллической подложки; и
изолирующий материал, сформированный между первой и второй поликристаллическими подложками, где каждый канал первого пористого слоя имеет выход на пористую поверхность первой поликристаллической подложки.
3. Структура по п. 2, в которой указанное множество каналов покрыто графеном.
4. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может подвергаться травлению с получением пористого материала.
5. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния или карбида кремния.
6. Структура по п. 2, в которой первая и вторая поликристаллические подложки имеют толщину менее одного миллиметра каждая.
7. Структура по п. 1, в которой зерна первой поликристаллической подложки имеют размер между 200 и 500 нанометрами (нм).
8. Структура по п. 1, в которой пористый слой имеет размер пор приблизительно 20 нанометров (нм).
9. Структура по п. 2, в которой зерна первой и второй поликристаллических подложек имеют размер между 250 и 350 нанометрами (нм).
10. Способ получения устройства хранения энергии, включающий этапы, на которых:
определяют размер кристаллического зерна, который является по меньшей мере таким размером, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен;
получают материал поликристаллической подложки, имеющий такой размер кристаллического зерна; и
формируют пористый слой внутри поликристаллической подложки, где пористый слой содержит множество каналов.
11. Способ по п. 10, дополнительно включающий обработку пористого слоя при температуре выше 400°C, где пористый слой формируется в результате анодного травления поликристаллической подложки, и где каждый канал пористого слоя имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
12. Способ по п. 10, в котором получение поликристаллической подложки включает экструдирование расплавленного материала подложки через валки из карбида кремния, где расплавленная подложка содержит легированный бором кремний.
13. Способ по п. 12, в котором экструдирование осуществляется с такой скоростью, при которой подложка охлаждается в поликристаллическую структуру с размером зерна, являющимся по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен.
14. Устройство хранения энергии, содержащее:
первую электропроводящую структуру;
вторую электропроводящую структуру;
электрический изолятор, разделяющий первую электропроводящую структуру от второй электропроводящей структуры, где по меньшей мере первая электропроводящая структура или вторая электропроводящая структура содержит поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, который является по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен.
15. Устройство хранения энергии по п. 14, дополнительно содержащее:
пористый слой, сформированный внутри поликристаллической подложки, где пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
16. Устройство хранения энергии по п. 15, в котором поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может быть подвергнут анодному травлению с получением пористого материала.
17. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка имеет толщину менее одного миллиметра.
18. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка содержит кремний.
19. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка содержит карбид кремния.
20. Устройство хранения энергии заявления 14, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 200 и 500 нанометрами (нм).
21. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 250 и 350 нанометрами (нм).
22. Устройство, содержащее:
подложку;
микропроцессор на подложке; и
устройство хранения энергии, связанное с микропроцессором, причем устройство хранения энергии содержит первую электропроводящую структуру, вторую электропроводящую структуру и электрический изолятор, предназначенный для разделения проводящих структур друг от друга, где по меньшей мере первая электропроводящая структура или вторая электропроводящая структура содержит поликристаллическую подложку с размером зерна, который является по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границе зерен.
23. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит пористый слой, где пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
24. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может быть подвергнут анодному травлению с получением пористых структур в материале.
25. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет толщину менее одного миллиметра.
26. Устройство по п. 23, в котором пористый слой содержит множество каналов, проходящих с края подложки внутрь части подложки.
27. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит кремний.
28. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит карбид кремния.
29. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 200 и 500 нанометрами (нм).
30. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 250 и 350 нанометрами (нм).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/584,488 US9025313B2 (en) | 2012-08-13 | 2012-08-13 | Energy storage devices with at least one porous polycrystalline substrate |
| US13/584,488 | 2012-08-13 | ||
| PCT/US2013/045215 WO2014028104A2 (en) | 2012-08-13 | 2013-06-11 | Energy storage devices with at least one porous polycrystalline substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014112050A true RU2014112050A (ru) | 2015-10-10 |
| RU2577249C2 RU2577249C2 (ru) | 2016-03-10 |
Family
ID=50066026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014112050/07A RU2577249C2 (ru) | 2012-08-13 | 2013-06-11 | Устройства хранения энергии с по меньшей мере одной пористой поликристаллической подложкой |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9025313B2 (ru) |
| EP (1) | EP2783374B1 (ru) |
| JP (1) | JP5905595B2 (ru) |
| KR (1) | KR101529032B1 (ru) |
| CN (1) | CN104471663A (ru) |
| BR (1) | BR112015000651B1 (ru) |
| RU (1) | RU2577249C2 (ru) |
| TW (1) | TWI532194B (ru) |
| WO (1) | WO2014028104A2 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9299505B2 (en) * | 2011-12-14 | 2016-03-29 | Intel Corporation | Overcoming variance in stacked capacitors |
| US10053358B2 (en) * | 2016-08-31 | 2018-08-21 | Robert Bosch Gmbh | MEMS structure with graphene component |
| CN109995126A (zh) * | 2018-07-13 | 2019-07-09 | 东北林业大学 | 一种光储直流微网的改进型负荷动态分配方法 |
| CN109817474B (zh) * | 2019-01-30 | 2020-03-17 | 宁波工程学院 | 一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法 |
| EP3796351B1 (en) * | 2019-09-17 | 2021-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low defect high capacitance thin solid electrolyte capacitor and method of fabrication thereof |
| CN116670867A (zh) * | 2020-10-15 | 2023-08-29 | 赖安·雷德福德 | 无膜氧化还原液流电能储存电池 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267270A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Takashi Katoda | 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 |
| US5576240A (en) * | 1994-12-09 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for making a metal to metal capacitor |
| JP3437034B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2003-08-18 | シャープ株式会社 | シリコンリボンの製造装置及びその製造方法 |
| JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
| JP3112456B1 (ja) | 1998-11-16 | 2000-11-27 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ |
| JP4045731B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2008-02-13 | 株式会社日立製作所 | 薄膜半導体素子の製造方法 |
| JP2003092285A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Canon Inc | 半導体基板の製造方法 |
| JP4135347B2 (ja) | 2001-10-02 | 2008-08-20 | 株式会社日立製作所 | ポリシリコン膜生成方法 |
| DE60335074D1 (de) * | 2002-12-27 | 2011-01-05 | Panasonic Corp | Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung, und Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP4383062B2 (ja) | 2003-01-31 | 2009-12-16 | コバレントマテリアル株式会社 | 多孔質炭化珪素焼結体の製造方法 |
| JP2004288228A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Hoya Corp | 情報記録媒体用基板、情報記録媒体およびその製造方法 |
| JP4517364B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-04 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2007087854A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 色素増感太陽電池 |
| RU2308112C1 (ru) * | 2005-12-26 | 2007-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Восток" | Анодная многослойная пленка |
| CN104795486A (zh) * | 2006-12-01 | 2015-07-22 | 麻省理工学院 | 用于纳米结构热电材料中高品质因数的方法 |
| JP5196149B2 (ja) * | 2008-02-07 | 2013-05-15 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池用負極材及びその製造方法並びにリチウムイオン二次電池及び電気化学キャパシタ |
| JP5320847B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2013-10-23 | 信越化学工業株式会社 | ３１ｐ変換多結晶珪素粒子の製造方法 |
| US8526167B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Porous amorphous silicon-carbon nanotube composite based electrodes for battery applications |
| SG10201500763XA (en) * | 2009-10-30 | 2015-04-29 | Univ Rice William M | Structured silicon battery anodes |
| JP2011159856A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサ用電極体、コンデンサおよびそれらの製造方法 |
| US9013861B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-04-21 | Intel Corporation | Charge storage device, method of making same, method of making an electrically conductive structure for same, mobile electronic device using same, and microelectronic device containing same |
| CN102103930B (zh) * | 2010-11-02 | 2012-07-11 | 河北工业大学 | 由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法 |
| CN102074371B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-04-03 | 清华大学 | 纳米多孔复合材料的三维微型超级电容电极及其制作方法 |
| EP2761636A4 (en) | 2011-09-30 | 2015-12-02 | Intel Corp | METHOD FOR INCREASING THE ENERGY DENSITY AND THE EFFICIENT OUTPUT POWER OF AN ENERGY STORAGE DEVICE |
| US9409767B2 (en) | 2011-11-03 | 2016-08-09 | Intel Corporation | Energy storage structure, method of manufacturing a support structure for same, and microelectronic assembly and system containing same |
| WO2013100916A1 (en) | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Intel Corporation | Fabrication of porous silicon electrochemical capacitors |
-
2012
- 2012-08-13 US US13/584,488 patent/US9025313B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-11 KR KR1020147008250A patent/KR101529032B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-11 CN CN201380037359.XA patent/CN104471663A/zh active Pending
- 2013-06-11 BR BR112015000651-5A patent/BR112015000651B1/pt active IP Right Grant
- 2013-06-11 JP JP2014542598A patent/JP5905595B2/ja active Active
- 2013-06-11 EP EP13829494.7A patent/EP2783374B1/en active Active
- 2013-06-11 WO PCT/US2013/045215 patent/WO2014028104A2/en active Application Filing
- 2013-06-11 RU RU2014112050/07A patent/RU2577249C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-08-09 TW TW102128645A patent/TWI532194B/zh active
-
2015
- 2015-04-16 US US14/688,937 patent/US9406450B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2783374A2 (en) | 2014-10-01 |
| TW201419554A (zh) | 2014-05-16 |
| WO2014028104A3 (en) | 2014-07-03 |
| EP2783374B1 (en) | 2019-05-01 |
| KR20140059831A (ko) | 2014-05-16 |
| RU2577249C2 (ru) | 2016-03-10 |
| JP2015502045A (ja) | 2015-01-19 |
| CN104471663A (zh) | 2015-03-25 |
| US20150294803A1 (en) | 2015-10-15 |
| KR101529032B1 (ko) | 2015-06-18 |
| TWI532194B (zh) | 2016-05-01 |
| EP2783374A4 (en) | 2015-08-26 |
| BR112015000651A2 (pt) | 2017-06-27 |
| WO2014028104A2 (en) | 2014-02-20 |
| US9025313B2 (en) | 2015-05-05 |
| US20140043729A1 (en) | 2014-02-13 |
| JP5905595B2 (ja) | 2016-04-20 |
| US9406450B2 (en) | 2016-08-02 |
| BR112015000651B1 (pt) | 2021-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014112050A (ru) | Устройства хранения энергии с по меньшей мере одной пористой поликристаллической подложкой | |
| Huang et al. | Temperature-dependent electrical property transition of graphene oxide paper | |
| Park et al. | Optimized poly (methyl methacrylate)-mediated graphene-transfer process for fabrication of high-quality graphene layer | |
| JP2019527925A5 (ru) | ||
| JP2016535441A5 (ru) | ||
| TW202016985A (zh) | 形成二維材料層的方法、場效電晶體及其製造方法 | |
| GB2567363A (en) | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices | |
| JP2015088391A5 (ru) | ||
| JP2016541114A5 (ja) | 半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法 | |
| JP2009003434A5 (ru) | ||
| CN103352202B (zh) | 一种常压化学气相沉积大面积高质量双层石墨烯薄膜的可控制备方法 | |
| JP2014013810A5 (ru) | ||
| RU2015122434A (ru) | Изготовление электродов с сильно развитой трехмерной поверхностью | |
| Huang et al. | Observing the evolution of graphene layers at high current density | |
| CN104282575A (zh) | 一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法 | |
| KR20130079051A (ko) | 그래핀 전자 소자 및 그 제조 방법 | |
| EP3203501A3 (en) | Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same | |
| SA518391957B1 (ar) | خلية شمسية تشتمل على حبيبات من مادة مطلية شبه موصلة وطريقة لتصنيع الخلية الشمسية | |
| Ilyasov et al. | Surface states and adsorption energy of carbon in the interface of the two-dimensional graphene/Al 2 O 3 (0001) system | |
| US9691961B2 (en) | Thermoelectric conversion material using substrate having nanostructure, and method for producing same | |
| WO2015164215A8 (en) | Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures | |
| US10053772B2 (en) | Doped graphene | |
| Martín‐Sánchez et al. | Carrier storage in Ge nanoparticles produced by pulsed laser deposition | |
| WO2013013666A3 (de) | Solarzelle und verfahren zur herstellung derselben | |
| CN106885830A (zh) | 一种低温硫化氢气敏材料及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180612 |