RU2014108564A - Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии - Google Patents
Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014108564A RU2014108564A RU2014108564/28A RU2014108564A RU2014108564A RU 2014108564 A RU2014108564 A RU 2014108564A RU 2014108564/28 A RU2014108564/28 A RU 2014108564/28A RU 2014108564 A RU2014108564 A RU 2014108564A RU 2014108564 A RU2014108564 A RU 2014108564A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser diodes
- emitting device
- semiconductor light
- symmetry
- axis
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
- H01S5/2031—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers characterized by special waveguide layers, e.g. asymmetric waveguide layers or defined bandgap discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4018—Lasers electrically in series
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/30—Semiconductor lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
- H01S5/1075—Disk lasers with special modes, e.g. whispering gallery lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее два или более лазерных диода и имеющее ось симметрии относительно поворотов вокруг оси симметрии на углы 2п/m, где m - равно целому числу или бесконечности, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов имеет ось симметрии, причем лазерные диоды расположены последовательно на оси симметрии светоизлучающего устройства таким образом, что их оси симметрии совпадают между собой, при этом торцы лазерных диодов соединены так, что они находятся в электрическом и механическом контакте и образуют линейку лазерных диодов, диаграмма направленности излучения которой имеет ось симметрии, совпадающую с осью симметрии светоизлучающего устройства.2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит дисковый оптический резонатор.3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит полый дисковый оптический резонатор.4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит кольцевой оптический резонатор.5. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит многоугольный оптический резонатор.6. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит полый многоугольный оптический резонатор.7. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов выполнен из нитридов третьей группы.8. Лазерная лампа белого света, отличающаяся тем, ч�
Claims (8)
1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее два или более лазерных диода и имеющее ось симметрии относительно поворотов вокруг оси симметрии на углы 2п/m, где m - равно целому числу или бесконечности, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов имеет ось симметрии, причем лазерные диоды расположены последовательно на оси симметрии светоизлучающего устройства таким образом, что их оси симметрии совпадают между собой, при этом торцы лазерных диодов соединены так, что они находятся в электрическом и механическом контакте и образуют линейку лазерных диодов, диаграмма направленности излучения которой имеет ось симметрии, совпадающую с осью симметрии светоизлучающего устройства.
2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит дисковый оптический резонатор.
3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит полый дисковый оптический резонатор.
4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит кольцевой оптический резонатор.
5. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит многоугольный оптический резонатор.
6. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов содержит полый многоугольный оптический резонатор.
7. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый из лазерных диодов выполнен из нитридов третьей группы.
8. Лазерная лампа белого света, отличающаяся тем, что в качестве источника голубого или ультрафиолетового излучения, возбуждающего люминофор, использовано светоизлучающее устройство по любому из пп.1-7.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014108564/28A RU2577787C2 (ru) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии |
| CN201580011511.6A CN106134021B (zh) | 2014-03-05 | 2015-03-05 | 具有对称轴线的半导体发光装置 |
| EP15715509.4A EP3114738B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-03-05 | Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry |
| PCT/RU2015/000137 WO2015133936A1 (en) | 2014-03-05 | 2015-03-05 | Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry |
| US15/123,381 US9948065B2 (en) | 2014-03-05 | 2015-03-05 | Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry |
| JP2016555550A JP6334726B2 (ja) | 2014-03-05 | 2015-03-05 | 対称軸を有する半導体発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014108564/28A RU2577787C2 (ru) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014108564A true RU2014108564A (ru) | 2015-09-10 |
| RU2577787C2 RU2577787C2 (ru) | 2016-03-20 |
Family
ID=52823767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014108564/28A RU2577787C2 (ru) | 2014-03-05 | 2014-03-05 | Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9948065B2 (ru) |
| EP (1) | EP3114738B1 (ru) |
| JP (1) | JP6334726B2 (ru) |
| CN (1) | CN106134021B (ru) |
| RU (1) | RU2577787C2 (ru) |
| WO (1) | WO2015133936A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2631048B2 (ja) | 1991-06-29 | 1997-07-16 | ワイケイケイ株式会社 | スライドファスナー仕上げ装置 |
| DE102017121480B4 (de) * | 2017-09-15 | 2024-04-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Lichtemittierendes Halbleiterbauteil |
| US11658453B2 (en) * | 2018-01-29 | 2023-05-23 | Ronald LaComb | Concentric cylindrical circumferential laser |
| RU2722407C1 (ru) * | 2019-09-03 | 2020-05-29 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха) | Импульсный лазерный полупроводниковый излучатель |
| RU195797U1 (ru) * | 2019-09-03 | 2020-02-05 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Импульсный лазерный полупроводниковый излучатель |
| DE102020200468A1 (de) * | 2020-01-16 | 2021-07-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlaserdiode und verfahren zur herstellung einer halbleiterlaserdiode |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4280108A (en) * | 1979-07-12 | 1981-07-21 | Xerox Corporation | Transverse junction array laser |
| CA2068899C (en) * | 1991-09-17 | 1997-06-17 | Samuel Leverte Mccall | Whispering mode micro-resonator |
| JPH0878778A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 |
| JP3333747B2 (ja) | 1998-01-19 | 2002-10-15 | 學校法人浦項工科大學校 | 光量子リングレーザダイオードおよび目標角度測定装置 |
| RU2150164C1 (ru) | 1998-02-05 | 2000-05-27 | Аполлонов Виктор Викторович | Излучательный модуль на основе линейки лазерных диодов (варианты) |
| US6134257A (en) | 1998-04-21 | 2000-10-17 | Lucent Technologies Inc. | Solid state laser for operation in librational modes |
| JP3521186B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2004-04-19 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体光素子及びその製造方法 |
| JP2001085790A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 発光増幅素子 |
| RU2187183C2 (ru) | 2000-07-26 | 2002-08-10 | Государственное унитарное научно-производственное предприятие "ИНЖЕКТ" | Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный |
| DE10039435A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit erhöhter Strahlungsauskopplung und Herstellungsverfahren hierfür |
| US20030058908A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-03-27 | Giora Griffel | Vertically coupled ring resonators and laser structures |
| US6577661B1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-06-10 | Arima Optoelectronics Corp. | Semiconductor laser with lateral light confinement by polygonal surface optical grating resonator |
| JP3833674B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2006-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| US20080056314A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Northrop Grumman Corporation | High-power laser-diode package system |
| US8426224B2 (en) | 2006-12-18 | 2013-04-23 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array-based light emitting diodes and lasers |
| FR2928785B1 (fr) | 2008-03-12 | 2012-03-30 | Commissariat Energie Atomique | Systeme a microdisque a modes de galerie pour sources optiques pompees electriquement |
| RU2408816C2 (ru) * | 2009-01-27 | 2011-01-10 | Виктор Викторович Сысун | Светодиодная лампа белого свечения |
| RU2423764C1 (ru) | 2009-12-07 | 2011-07-10 | Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН | Резонатор на модах шепчущей галереи с вертикальным выходом излучения |
| RU2455739C2 (ru) | 2010-03-19 | 2012-07-10 | Владимир Александрович Филоненко | Линейка лазерных диодов |
| JP5765619B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2015-08-19 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置 |
| RU2431225C1 (ru) | 2010-06-15 | 2011-10-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения |
| DE102010032041A1 (de) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten |
| RU2465699C1 (ru) | 2011-06-16 | 2012-10-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты) |
| US8518814B2 (en) * | 2011-12-02 | 2013-08-27 | Northrop Grumman Systems Corporation | Methods of fabrication of high-density laser diode stacks |
-
2014
- 2014-03-05 RU RU2014108564/28A patent/RU2577787C2/ru active
-
2015
- 2015-03-05 JP JP2016555550A patent/JP6334726B2/ja active Active
- 2015-03-05 WO PCT/RU2015/000137 patent/WO2015133936A1/en not_active Ceased
- 2015-03-05 CN CN201580011511.6A patent/CN106134021B/zh active Active
- 2015-03-05 US US15/123,381 patent/US9948065B2/en active Active
- 2015-03-05 EP EP15715509.4A patent/EP3114738B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106134021A (zh) | 2016-11-16 |
| JP6334726B2 (ja) | 2018-05-30 |
| CN106134021B (zh) | 2019-01-18 |
| WO2015133936A1 (en) | 2015-09-11 |
| RU2577787C2 (ru) | 2016-03-20 |
| JP2017510986A (ja) | 2017-04-13 |
| EP3114738B1 (en) | 2021-10-06 |
| EP3114738A1 (en) | 2017-01-11 |
| US9948065B2 (en) | 2018-04-17 |
| US20170110853A1 (en) | 2017-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014108564A (ru) | Полупроводниковое светоизлучающее устройство с осью симметрии | |
| SA520412044B1 (ar) | صمام ثنائي باعث للضوء للعرض ووسيلة عرض تشتمل عليها | |
| RU2016121863A (ru) | Светоизлучающее устройство | |
| GB2610315B (en) | Light emitting diode (LED) filament light bulb with secured antenna | |
| DK3992524T3 (da) | Led-stearinlyslampe | |
| RU2016113299A (ru) | Светоизлучающее устройство | |
| CL2009002067A1 (es) | Dispositivo optico para lampara de luminaria con led para el tratamiento de los hacer luminososo emitidos por los led. | |
| WO2015105853A3 (en) | Methods for testing and characterizing led lighting devices | |
| RU2016147517A (ru) | Способы и устройства для смешивания цветов с помощью модификации углового светового потока | |
| PH12017500707A1 (en) | Straight tube type light emitting diode lamp | |
| CA188443S (en) | Led light bulb | |
| JP2015130319A5 (ja) | 発光装置、電子機器、および照明装置 | |
| DK4025826T3 (da) | Led-filamentlampe | |
| MY173621A (en) | Lighting device and led luminaire | |
| WO2016003550A3 (en) | Waveguide having unidirectional illuminance | |
| CN203703823U (zh) | 光学元件 | |
| EP3349261A4 (en) | Multilevel light emitting led substrate and package, and bulb | |
| JP1730237S (ja) | Ｌｅｄフィラメント電球 | |
| JP1730184S (ja) | Ｌｅｄフィラメント電球 | |
| PH32019000372S1 (en) | Led candle bulb (c-bulb, pointed) | |
| EP4158245C0 (en) | LED SYSTEM WITH A HIGH MELANOPIC EFFICIENCY COEFFICIENT | |
| RU2014138618A (ru) | Отражатель в сборе для использования в осветительном приборе | |
| IT201800001638A1 (it) | Lampada led ad elevata efficienza | |
| RU2014120061A (ru) | Светодиодная лампа | |
| RU2015104528A (ru) | Светодиодный источник света с удаленным люминофором |