RU2013143517A - Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу - Google Patents
Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013143517A RU2013143517A RU2013143517/08A RU2013143517A RU2013143517A RU 2013143517 A RU2013143517 A RU 2013143517A RU 2013143517/08 A RU2013143517/08 A RU 2013143517/08A RU 2013143517 A RU2013143517 A RU 2013143517A RU 2013143517 A RU2013143517 A RU 2013143517A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistors
- groups
- nmop
- memory cell
- integrated circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ОЗУ, состоящая из пар NMOП и РМОП транзисторов, соединенных между собой, с шиной источника питания, и линиями выборки и данных и размещенных на кристалле интегральной микросхемы, отличающаяся тем, что транзисторы объединены в две группы, каждая из которых содержит одну пару NMOП и РМОП транзисторов с объединенными стоками, один NMOП транзистор и один РМОП транзистор, соединенные своими затворами с объединенными стоками этой пары, причем эти две группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна от другой на расстоянии, равном или больше порогового расстояния, для исключения одновременного воздействия одиночной ядерной частицы на обе группы транзисторов с уровнем больше порогового.2. Ячейка памяти по п.1, отличающаяся тем, что группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна за другой, при этом i-я и (i+К)-я группы транзисторов образуют i-ю ячейку памяти, где i=1,2,…,К.
Claims (2)
1. Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ОЗУ, состоящая из пар NMOП и РМОП транзисторов, соединенных между собой, с шиной источника питания, и линиями выборки и данных и размещенных на кристалле интегральной микросхемы, отличающаяся тем, что транзисторы объединены в две группы, каждая из которых содержит одну пару NMOП и РМОП транзисторов с объединенными стоками, один NMOП транзистор и один РМОП транзистор, соединенные своими затворами с объединенными стоками этой пары, причем эти две группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна от другой на расстоянии, равном или больше порогового расстояния, для исключения одновременного воздействия одиночной ядерной частицы на обе группы транзисторов с уровнем больше порогового.
2. Ячейка памяти по п.1, отличающаяся тем, что группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна за другой, при этом i-я и (i+К)-я группы транзисторов образуют i-ю ячейку памяти, где i=1,2,…,К.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013143517/08A RU2554849C2 (ru) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013143517/08A RU2554849C2 (ru) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013143517A true RU2013143517A (ru) | 2015-04-10 |
| RU2554849C2 RU2554849C2 (ru) | 2015-06-27 |
Family
ID=53282274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013143517/08A RU2554849C2 (ru) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2554849C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2621011C1 (ru) * | 2016-05-25 | 2017-05-30 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН) | Логический элемент сравнения комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ассоциативного селектора запоминающего устройства |
| RU184546U1 (ru) * | 2018-07-24 | 2018-10-30 | Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС") | Радиационно-стойкий элемент памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2209507C1 (ru) * | 2002-05-13 | 2003-07-27 | Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Парафазное каскадное логическое устройство на кмдп транзисторах |
| US6744661B1 (en) * | 2002-05-15 | 2004-06-01 | Virage Logic Corp. | Radiation-hardened static memory cell using isolation technology |
| US8014184B1 (en) * | 2009-09-14 | 2011-09-06 | Xilinx, Inc. | Radiation hardened memory cell |
| RU2470390C1 (ru) * | 2011-05-03 | 2012-12-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ") | Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами |
-
2013
- 2013-09-26 RU RU2013143517/08A patent/RU2554849C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2554849C2 (ru) | 2015-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014158250A5 (ru) | ||
| GB2571652A (en) | Vertical transistors with merged active area regions | |
| JP2013150313A5 (ru) | ||
| TW201614505A (en) | Memory cell and memory array | |
| JP2013109818A5 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| JP2014038684A5 (ru) | ||
| JP2013008435A5 (ru) | ||
| JP2013016246A5 (ru) | ||
| IN2014CN04993A (ru) | ||
| TW201614657A (en) | Semiconductor device | |
| EP2814036A3 (en) | Synapse array, pulse shaper circuit and neuromorphic system | |
| EA201990032A1 (ru) | Способы и композиции для терапии посредством потенциирования стволовых клеток | |
| JP2014057298A5 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2015017253A3 (en) | Mask-programmed read only memory with enhanced security | |
| JP2016105343A5 (ru) | ||
| TW201614531A (en) | Method of designing layout of semiconductor device | |
| WO2016137681A3 (en) | P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods | |
| JP2011259418A5 (ru) | ||
| JP2015207760A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012257210A5 (ru) | ||
| DK3717248T3 (da) | Integrerede kredsløb med hukommelsesceller | |
| IN2013CH04627A (ru) | ||
| SG10201806114YA (en) | Semiconductor memory devices | |
| JP2013109817A5 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| IN2014DE00712A (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner |