RU2470390C1 - Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами - Google Patents

Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами Download PDF

Info

Publication number
RU2470390C1
RU2470390C1 RU2011117657/08A RU2011117657A RU2470390C1 RU 2470390 C1 RU2470390 C1 RU 2470390C1 RU 2011117657/08 A RU2011117657/08 A RU 2011117657/08A RU 2011117657 A RU2011117657 A RU 2011117657A RU 2470390 C1 RU2470390 C1 RU 2470390C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
bus
mos transistors
cell
mosfet
voltage
Prior art date
Application number
RU2011117657/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011117657A (ru
Inventor
Александр Станиславович Коротков
Роман Игоревич Романов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный политехнический университет" (ФГБОУ ВПО "СПбГПУ")
Priority to RU2011117657/08A priority Critical patent/RU2470390C1/ru
Publication of RU2011117657A publication Critical patent/RU2011117657A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2470390C1 publication Critical patent/RU2470390C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении помехоустойчивости. Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами на МОП-транзисторах состоит из триггера, двух ключей выборки и логического элемента «И», управляющего ключами, причем триггер состоит из первого и второго МОП-транзисторов с n-каналом и третьего и четвертого МОП-транзисторов с р-каналом, при этом содержит дополнительную общую шину триггеров, к которой подключены истоки первого и второго МОП-транзисторов, причем потенциал общей шины триггеров выше, чем потенциал общей шины ячейки. 3 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано при построении массива памяти интегрального статического запоминающего устройства, выполненного на базе КМОП технологии.
Известна статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами (US 7768816 В2, МПК G11C 11/00, опубл. 11.06.2009, US 7355906 В2, МПК G11C 7/00, опубл. 29.11.2007), ключи выборки которой составлены из двух последовательно соединенных МОП-транзисторов, управляемых с различных адресных входов. Данная структура позволяет обеспечить выборку по словам и столбцам без включения в состав ячейки дополнительного логического элемента «И». Однако ограничение минимальной величины напряжения порога переключения в режиме записи накладывает ограничение на минимальную ширину МОП-транзисторов ключей выборки, что приводит к увеличению площади ячейки и увеличению входных емкостей адресных входов.
Известна статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами (US 2007/0025162 А1, МПК G11C 11/00, G11C 5/14, опубл. 01.02.2007), в которой напряжения на узлах питания инверторов изменяются в зависимости от режима работы при помощи внешнего источника питания. Данная структура позволяет увеличить статическую устойчивость ячейки в режиме чтения и независимо от этого повысить порог переключения в режиме записи. Однако из-за процессов перезаряда емкостей шин питания при смене режима, а также применения управляемых источников питания увеличивается энергопотребление устройства памяти.
Известна статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами (US 7768816 В2, МПК G11C 11/00, опубл. 11.06.2009, US 7355906 В2, МПК G11C 7/00, опубл. 29.11.2007), представляющая шеститранзисторную ячейку, МОП-транзисторы ключей выборки которой управляются с помощью логического элемента «И», выполненного на двух n-канальных и одном р-канальном МОП-транзисторах, подключенного к адресным входам. Данная структура позволяет уменьшить площадь, занимаемую МОП-транзисторами ключей выборки, а также уменьшить входные емкости адресных входов. Однако ограничение минимальной величины напряжения порога переключения в режиме записи накладывает ограничения на статическую устойчивость ячейки в режиме чтения, что приводит к увеличению вероятности битовых ошибок.
Известна статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами (US 2010/0080045 А1, МПК G11C 11/00, опубл. 01.04.2010), представляющая шеститранзисторную ячейку, МОП-транзисторы ключей выборки которой управляются с помощью логического элемента «И», выполненного на двух n-канальных МОП-транзисторах, подключенного к адресным входам. Данная структура позволяет уменьшить площадь, занимаемую логическим элементом «И». Однако ограничение минимальной величины напряжения порога переключения в режиме записи ухудшает статическую устойчивость ячейки в режиме чтения, что приводит к увеличению вероятности битовых ошибок.
По наибольшему числу признаков за ближайший аналог (прототип) предлагаемого устройства выбрана статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами, описанная в US 2010/0080045 А1, МПК G11C 11/00, опубл. 01.04.2010, Фиг.2.
Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами состоит из триггера, двух ключей выборки, логического элемента «И», управляющего ключами, и дополнительно введенной общей шины триггеров, потенциал которой выше потенциала общей шины ячейки. Триггер построен на основе двух КМОП-инверторов. К выходным узлам инверторов, а также к разрядным шинам подключены ключи выборки, выполненные на основе n-канальных МОП-транзисторов. Логический элемент «И» состоит из двух n-канальных МОП-транзисторов, один из которых включен между выходным узлом логического элемента и общей шиной ячейки, а другой - между выходным узлом логического элемента и первой адресной шиной. Затворы МОП-транзисторов, составляющих логический элемент, подключены к проводникам второй адресной шины, причем логические уровни на проводниках и, следовательно, на затворах попарно-инверсные. Выходной узел логического элемента подключен к затворам n-канальных МОП-транзисторов, образующих ключи выборки. Истоки р-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов соединены с шиной питания. Истоки n-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов соединены с общей шиной триггеров.
При описанном подключении истоков n-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов к дополнительной шине с потенциалом, повышенным по сравнению с общей шиной, увеличение статической устойчивости ячейки в режиме чтения достигается за счет уменьшения напряжения затвор-исток МОП-транзисторов ключей выборки, что приводит к увеличению их сопротивления в открытом состоянии. При этом уменьшения порога переключения триггера в режиме записи не происходит, что связано с увеличением напряжения переключения инверторов относительно нулевого логического уровня на разрядных шинах. Однако при этом уменьшается разрядный ток ячейки, что приводит к уменьшению амплитуды полезного сигнала на разрядных шинах в режиме чтения. При стандартной КМОП-технологии с минимальным разрешением 0.18-мкм запас статической устойчивости ячейки в режиме чтения составляет, как правило, от 300 до 400 мВ.
Задачей изобретения является увеличение статической устойчивости ячейки в режиме чтения без уменьшения напряжения порога переключения в режиме записи за счет введения дополнительной общей шины триггеров, потенциал которой выше потенциала общей шины ячейки.
Сущность предлагаемого технического решения заключается в том, что аналогично прототипу статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами состоит из триггера, двух ключей выборки и логического элемента «И», управляющего ключами. Триггер построен на двух КМОП-инверторах, причем к узлу, в котором соединяются стоки МОП-транзисторов одного из инверторов, подключены затворы МОП-транзисторов другого инвертора, и наоборот. Истоки n-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов подключены к дополнительно введенной в состав ячейки общей шине триггера, истоки р-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов подключены к шине питания. Истоки МОП-транзисторов, образующих ключи выборки, подключены к стокам инверторов из состава триггера, причем к стокам МОП-транзисторов из состава одного инвертора подключен один транзистор. Стоки МОП-транзисторов, образующих ключи выборки, подключены к разрядным шинам, причем к одной шине подключен один транзистор. Затворы МОП-транзисторов, образующих ключи выборки, соединены между собой и подключены к узлу, который является выходом логического элемента «И». Логический элемент «И» состоит из двух n-канальных МОП-транзисторов. Причем сток первого из них подключен к узлу, который является выходом логического элемента «И», а исток - к общей шине ячейки. Исток второго МОП-транзистора подключен к узлу, который является выходом логического элемента «И», а сток - к первой адресной шине. Затворы МОП-транзисторов, составляющих логический элемент, подключены к проводникам второй адресной шины, причем логические уровни на проводниках и, следовательно, на затворах попарно-инверсные. В отличие от прототипа истоки n-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов триггера подключены к дополнительно введенной в состав ячейки общей шине триггеров, потенциал которой выше, чем потенциал общей шины ячейки.
Подключение истоков n-канальных МОП-транзисторов из состава инверторов в отличие от прототипа не на общую шину ячейки, а к дополнительной общей шине триггеров приводит к увеличению потенциала нулевого логического уровня на выходе инверторов, а также к увеличению напряжения порога переключения инверторов относительно общей шины ячейки.
В режиме чтения из-за увеличения потенциала нулевого логического уровня на выходе инверторов происходит уменьшение напряжения затвор-исток МОП-транзисторов ключей выборки, что приводит к увеличению их сопротивления в открытом состоянии. Открытый МОП-транзистор ключа выборки совместно с открытым n-канальным МОП-транзистором из состава инвертора образуют делитель напряжения. Уменьшение напряжения между разрядной шиной, заряженной до потенциала высокого логического уровня, и общей шиной триггеров, а также увеличение сопротивления МОП-транзистора ключа выборки в открытом состоянии приводит к уменьшению падения напряжения на открытом n-канальном МОП-транзисторе из состава инвертора. В результате увеличивается разница между напряжением сток-исток данного МОП-транзистора и напряжением затвор-исток второго n-канального МОП-транзистора из состава триггера, при котором происходит переключение триггера в противоположное состояние. Данная разница напряжений определяет запас статической устойчивости ячейки.
В режиме записи открытый МОП-транзистор ключа выборки совместно с открытым р-канальным МОП-транзистором из состава инвертора образуют делитель напряжения. Сопротивление МОП-транзистора ключа выборки определяется напряжением затвор-сток, то есть разностью потенциалов между затвором и разрядной шиной, и не зависит от потенциала общей шины триггеров. Сопротивление р-канального МОП-транзистора определяется напряжением затвор-исток, то есть разностью потенциалов между общей шиной триггеров и шиной питания, и увеличивается с увеличением потенциала общей шины триггеров. Следовательно, с увеличением потенциала общей шины триггеров увеличивается напряжение исток-сток р-канального МОП-транзистора. При этом также увеличивается напряжение порога переключения инверторов относительно общей шины ячейки, что приводит к увеличению порога переключения ячейки в режиме записи.
Сущность изобретения иллюстрируется следующими графическими материалами.
Схема статической запоминающей ячейки с двумя адресными входами показана на фиг.1, на которой приняты следующие обозначения: 1 - первый МОП-транзистор M1, 2 - второй МОП-транзистор М2, 3 - третий МОП-транзистор М3, 4 - четвертый МОП-транзистор М4, 5 - общая шина триггеров, 6 - шина питания, 7 - пятый МОП-транзистор М5, 8 - шестой МОП-транзистор М6, 9 - первая разрядная шина, 10 - вторая разрядная шина, 11 - выход логического элемента «И», 12 - седьмой МОП-транзистор М7, 13 - восьмой МОП-транзистор М8, 14 - общая шина ячейки, 15 - первая адресная шина, 16 - неинвертирующий разряд второй адресной шины, 17 - инвертирующий разряд второй адресной шины.
На фиг.2. показана зависимость запаса статической устойчивости в режиме чтения от напряжения на общей шине триггеров - SNM. На фиг.3. показана зависимость напряжения порога переключения ячейки в режиме записи от напряжения на общей шине триггеров - WRM.
Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами состоит из триггера, двух ключей выборки, логического элемента «И» и дополнительно введенной общей шины триггеров, потенциал которой выше потенциала общей шины ячейки. Триггер построен на первом (1), втором (2), третьем (3) и четвертом (4) МОП-транзисторах. Истоки первого (1) и второго (2) МОП-транзисторов подключены к общей шине триггеров (5), истоки третьего (3) и четвертого (4) МОП-транзисторов подключены к шине питания (6). Затворы первого и третьего МОП-транзисторов соединены между собой и подключены к стокам четвертого и второго МОП-транзисторов, а затворы четвертого и второго МОП-транзисторов соединены между собой и подключены к стокам первого и третьего МОП-транзисторов. Исток пятого МОП-транзистора (7), образующего первый ключ выборки, подключен к соединенным между собой стокам первого (1) и третьего (3) МОП-транзисторов, а исток шестого МОП-транзистора (8), образующего второй ключ выборки, подключен к соединенным между собой стокам второго (2) и четвертого (4) МОП-транзисторов. Стоки шестого и пятого МОП-транзисторов подключены к первой (9) и ко второй (10) разрядным шинам соответственно. Затворы пятого (7) и шестого (8) МОП-транзисторов соединены между собой и подключены к узлу (11), который является выходом логического элемента «И». Логический элемент «И» состоит из седьмого (12) и восьмого (13) МОП-транзисторов. Причем сток седьмого МОП-транзистора (12) подключен к выходу логического элемента «И» (11), а исток - к общей шине ячейки (14). Исток восьмого МОП-транзистора (13) подключен к выходу логического элемента «И» (11), а сток - к первой адресной шине (15). Затворы седьмого и восьмого МОП-транзисторов, составляющих логический элемент, подключены к проводникам второй адресной шины (16) и (17), причем затвор восьмого транзистора подключен к неинвертирующему разряду (16) второй адресной шины, а затвор седьмого транзистора подключен к инвертирующему разряду (17).
Ячейка работает следующим образом.
В режимах записи и чтения на первую адресную шину (15) и неинвертирующий разряд второй адресной шины (16) поступают сигналы высокого логического уровня, а на инвертирующий разряд второй адресной шины (17) поступает сигнал низкого логического уровня. В результате седьмой МОП-транзистор (12) переходит в режим отсечки, а восьмой МОП-транзистор (13) переходит в режим инверсии. При этом первая адресная шина (15) через канал восьмого МОП-транзистора (13) соединяется с выходным узлом (11) логического элемента «И», что приводит к появлению напряжения высокого логического уровня на затворах пятого (7) и шестого (8) МОП-транзисторов. Предположим далее, что на истоке пятого МОП-транзистора (7) присутствует потенциал, равный потенциалу шины питания, а на истоке шестого МОП-транзистора (8) присутствует потенциал, равный потенциалу общей шины триггеров (5). Тогда, в режиме чтения разрядные шины заряжены до напряжения высокого уровня. Из-за того что напряжение затвор-исток шестого МОП-транзистора (8) превышает пороговое напряжение отпирания, возникает ток, протекающий через каналы второго (2) и шестого (8) МОП-транзисторов, разряжающий первую разрядную шину (9) до потенциала общей шины триггеров (5). Напряжения затвор-исток и затвор-сток пятого МОП-транзистора (7) не превышают порогового напряжения отпирания, в результате пятый МОП-транзистор находится в режиме отсечки и вторая разрядная шина (10) сохраняет заряд. В режиме записи при смене состояния ячейки на первой разрядной шине (9) присутствует напряжение высокого, а на второй разрядной шине (10) - напряжение низкого уровня. Из-за того что напряжение затвор-сток пятого МОП-транзистора (7) превышает пороговое напряжение отпирания, возникает ток, протекающий через каналы третьего (3) и пятого (7) МОП-транзисторов. В результате потенциал стока третьего МОП-транзистора (3) оказывается ниже напряжения порога области активного режима инверторов, возникает положительная обратная связь, и триггер изменяет состояние на противоположное.
Для подтверждения работоспособности проведено моделирование ячейки.
Результаты моделирования схемы, выполненной с использованием типовых параметров КМОП-технологии с минимальным разрешением 0.18 мкм при напряжении на первой адресной шине 1.8 В, напряжении на неинвертирующем разряде второй адресной шины 1.8 В, напряжении на инвертирующем разряде второй адресной шины 0 В, напряжении на шине питания 1.8 В приведены на фиг.2 и фиг.3. Напряжения указаны относительно уровня общей шины ячейки и соответствуют стандартному варианту включения ячеек памяти. Напряжение на общей шине триггеров изменялось от 0 до 0.9 В. На фиг.2 показана зависимость запаса статической устойчивости в режиме чтения от напряжения на общей шине триггеров при напряжении 1.8 В на обеих разрядных шинах. На фиг.3 показана зависимость напряжения порога переключения ячейки в режиме записи от напряжения на общей шине триггеров при напряжении 1.8 В на первой разрядной шине и при линейном изменении напряжения на второй разрядной шине от 1.8 В до 0 за 50 нс. Подложки n-канальных МОП-транзисторов подключены к общей шине ячейки. Подложки р-канальных МОП-транзисторов подключены к шине питания. Из результатов моделирования видно, что запас статической устойчивости в режиме чтения увеличился в два раза, при этом напряжение порога переключения ячейки в режиме записи существенно не изменилось (увеличилось на 10%).

Claims (1)

  1. Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами на МОП-транзисторах, состоящая из триггера, двух ключей выборки и логического элемента «И», управляющего ключами, причем триггер состоит из первого и второго МОП-транзисторов с n-каналом и третьего и четвертого МОП-транзисторов с р-каналом, при этом истоки первого и второго МОП-транзисторов соединены с общей шиной триггеров, истоки третьего и четвертого МОП-транзисторов соединены с шиной питания, стоки третьего и первого МОП-транзисторов соединены с затворами четвертого и второго МОП-транзисторов, стоки четвертого и второго МОП-транзисторов соединены с затворами третьего и первого МОП-транзисторов; ключи собраны на пятом и шестом МОП транзисторах с n-каналом, причем исток пятого МОП-транзистора подключен к стоку третьего МОП-транзистора, исток шестого МОП-транзистора подключен к стоку четвертого МОП-транзистора, сток шестого МОП-транзистора подключен к первой разрядной шине, сток пятого МОП-транзистора подключен ко второй разрядной шине, затворы пятого и шестого МОП-транзисторов подключены к стоку седьмого МОП-транзистора; элемент «И» состоит из седьмого и восьмого МОП-транзисторов с n-каналом, причем исток седьмого МОП-транзистора подключен к общей шине ячейки, сток седьмого МОП-транзистора подключен к истоку восьмого МОП-транзистора, сток восьмого МОП-транзистора подключен к первой адресной шине, затвор седьмого МОП-транзистора подключен к инвертирующему разряду второй адресной шины, затвор восьмого МОП-транзистора подключен к неинвертирующему разряду второй адресной шины, отличающаяся тем, что содержит дополнительную общую шину триггеров, к которой подключены истоки первого и второго МОП-транзисторов, причем потенциал общей шины триггеров выше, чем потенциал общей шины ячейки.
RU2011117657/08A 2011-05-03 2011-05-03 Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами RU2470390C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011117657/08A RU2470390C1 (ru) 2011-05-03 2011-05-03 Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011117657/08A RU2470390C1 (ru) 2011-05-03 2011-05-03 Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011117657A RU2011117657A (ru) 2012-11-10
RU2470390C1 true RU2470390C1 (ru) 2012-12-20

Family

ID=47321962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011117657/08A RU2470390C1 (ru) 2011-05-03 2011-05-03 Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2470390C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2554849C2 (ru) * 2013-09-26 2015-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу
RU2580072C1 (ru) * 2015-04-07 2016-04-10 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН) Блок памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030094C1 (ru) * 1992-12-07 1995-02-27 Всероссийский научно-исследовательский институт физики Энергонезависимая ячейка памяти
RU2188465C2 (ru) * 1995-09-21 2002-08-27 Сименс Акциенгезелльшафт Запоминающая ячейка статического зупв
US7542331B1 (en) * 2007-10-16 2009-06-02 Juhan Kim Planar SRAM including segment read circuit
US20090257273A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-15 Faraday Technology Corporation 2t sram cell structure
US20100080045A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Robust 8t sram cell

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030094C1 (ru) * 1992-12-07 1995-02-27 Всероссийский научно-исследовательский институт физики Энергонезависимая ячейка памяти
RU2188465C2 (ru) * 1995-09-21 2002-08-27 Сименс Акциенгезелльшафт Запоминающая ячейка статического зупв
US7542331B1 (en) * 2007-10-16 2009-06-02 Juhan Kim Planar SRAM including segment read circuit
US20090257273A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-15 Faraday Technology Corporation 2t sram cell structure
US20100080045A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Robust 8t sram cell

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2554849C2 (ru) * 2013-09-26 2015-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН) Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу
RU2580072C1 (ru) * 2015-04-07 2016-04-10 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН) Блок памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011117657A (ru) 2012-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. A carry lookahead adder based on hybrid CMOS-memristor logic circuit
US20060214695A1 (en) Keeper circuits having dynamic leakage compensation
US10425065B2 (en) High-speed low-power-consumption trigger
Zhang et al. FeMAT: Exploring in-memory processing in multifunctional FeFET-based memory array
Mishra et al. A 9-T 833-MHz 1.72-fJ/bit/search quasi-static ternary fully associative cache tag with selective matchline evaluation for wire speed applications
JPH0450770B2 (ru)
Jothi et al. Design and analysis of power efficient binary content addressable memory (PEBCAM) core cells
US8723612B2 (en) Trimming circuit for clock source
Melek et al. Ultra-low voltage CMOS logic circuits
RU2470390C1 (ru) Статическая запоминающая ячейка с двумя адресными входами
Prithivi Raj et al. RETRACTED ARTICLE: Memristor based high speed and low power consumption memory design using deep search method
US7728621B2 (en) Block-by-block leakage control and interface
Andersson et al. A 35 fJ/bit-access sub-V T memory using a dual-bit area-optimized standard-cell in 65 nm CMOS
CN109658962B (zh) 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值sram存储单元
Gupta et al. Ultra-low-power compact TFET flip-flop design for high-performance low-voltage applications
Jabeur et al. Fine-grain reconfigurable logic cells based on double-gate CNTFETs
Gupta et al. Ultra-compact SRAM design using TFETs for low power low voltage applications
US10536148B2 (en) Apparatus and system of a level shifter
Chen et al. A dual-edged triggered explicit-pulsed level converting flip-flop with a wide operation range
JP3567159B2 (ja) 電力低減機構を持つ半導体集積回路
Gupta et al. Design, Implementation and Performance Comparison of D-Latch Using Different Topologies
Dave A novel adiabatic SRAM design using two level adiabatic logic
Ngueya et al. An ultra-low power and high performance single ended sense amplifier for low voltage flash memories
CN115473521B (zh) 基于新颖仲裁器的超低功耗强物理不可克隆函数电路结构
Jothi et al. A completely efficient charge recovery adiabatic logic content addressable memory

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160504