RU2013137080A - Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013137080A RU2013137080A RU2013137080/02A RU2013137080A RU2013137080A RU 2013137080 A RU2013137080 A RU 2013137080A RU 2013137080/02 A RU2013137080/02 A RU 2013137080/02A RU 2013137080 A RU2013137080 A RU 2013137080A RU 2013137080 A RU2013137080 A RU 2013137080A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ions
- carbon
- cathode
- plasma
- vapors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения покрытий алмазоподобного углерода, включающий генерацию газоразрядной плазмы, высоковольтную эмиссию из плазмы распыляющих ионов, распыление ускоренными ионами мишени (графит), с образованием паров углерода, конденсацию паров и ионов углерода на подложке, контактирующей с газоразрядной плазмой, отличающийся тем, что поток паров углерода напускают в катодную и анодную полости через отверстие в дне полого катода во встречном направлении потоку ускоренных до 10 кВ распыляющих ионов и ионизуют в разряде с полым катодом, часть потока пара выпускают через эмиссионный канал в отражательном катоде в одном направлении и совместно с потоком извлекаемых ионов углерода и ионов плазмообразующего инертного газа, осаждение паров и ионов углерода ведут при прямом управляемом воздействии ионами плазмообразующего инертного газа энергией 0,12 кэВ.2. Устройство для получения покрытий алмазоподобного углерода, содержащее графитовую мишень, полый и отражательный катоды, цилиндрический анод, магнитную систему, систему напуска газа, источники электрического питания и подложку, отличающееся тем, что в торцевых стенках цилиндрического полого катода выполнены два осевых соосных отверстия, в одном отверстии на дне полого катода устанавливают изолированную от полого катода графитовую мишень под высоким отрицательным электрическим потенциалом, другое отверстие связывает катодную и анодную полости, отражательном катоде выполнен осевой эмиссионный канал, на периферии которого размещена подложка под отрицательным электрическим потенциалом, на которую направляют пары углерода, ионы углерода и ионы плазмооб�
Claims (2)
1. Способ получения покрытий алмазоподобного углерода, включающий генерацию газоразрядной плазмы, высоковольтную эмиссию из плазмы распыляющих ионов, распыление ускоренными ионами мишени (графит), с образованием паров углерода, конденсацию паров и ионов углерода на подложке, контактирующей с газоразрядной плазмой, отличающийся тем, что поток паров углерода напускают в катодную и анодную полости через отверстие в дне полого катода во встречном направлении потоку ускоренных до 10 кВ распыляющих ионов и ионизуют в разряде с полым катодом, часть потока пара выпускают через эмиссионный канал в отражательном катоде в одном направлении и совместно с потоком извлекаемых ионов углерода и ионов плазмообразующего инертного газа, осаждение паров и ионов углерода ведут при прямом управляемом воздействии ионами плазмообразующего инертного газа энергией 0,12 кэВ.
2. Устройство для получения покрытий алмазоподобного углерода, содержащее графитовую мишень, полый и отражательный катоды, цилиндрический анод, магнитную систему, систему напуска газа, источники электрического питания и подложку, отличающееся тем, что в торцевых стенках цилиндрического полого катода выполнены два осевых соосных отверстия, в одном отверстии на дне полого катода устанавливают изолированную от полого катода графитовую мишень под высоким отрицательным электрическим потенциалом, другое отверстие связывает катодную и анодную полости, отражательном катоде выполнен осевой эмиссионный канал, на периферии которого размещена подложка под отрицательным электрическим потенциалом, на которую направляют пары углерода, ионы углерода и ионы плазмообразующего газа аргона.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013137080/02A RU2567770C2 (ru) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013137080/02A RU2567770C2 (ru) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013137080A true RU2013137080A (ru) | 2015-02-20 |
| RU2567770C2 RU2567770C2 (ru) | 2015-11-10 |
Family
ID=53281895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013137080/02A RU2567770C2 (ru) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2567770C2 (ru) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2094528C1 (ru) * | 1995-11-24 | 1997-10-27 | Сергей Игоревич Александров | Способ получения алмазоподобного покрытия |
| KR101499272B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2015-03-05 | 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 | 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 |
| RU104774U1 (ru) * | 2010-12-27 | 2011-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" | Газоразрядное устройство для синтеза углеродсодержащих пленок |
| SE536285C2 (sv) * | 2011-04-07 | 2013-07-30 | Ionautics Ab | Sputtringsprocess för att sputtra ett target av kol |
-
2013
- 2013-08-06 RU RU2013137080/02A patent/RU2567770C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2567770C2 (ru) | 2015-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7872422B2 (en) | Ion source with recess in electrode | |
| JP2008518407A5 (ru) | ||
| CN105655217B (zh) | 一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源 | |
| RU2014109915A (ru) | Осаждение из паровой фазы для нанесения покрытия с погружением в дуговую плазму низкого давления и ионная обработка | |
| TWI518733B (zh) | 離子源、離子植入系統與產生多個電荷離子於離子源內的方法 | |
| AR025066A2 (es) | Metodo para ionizar un vapor de revestimiento en una disposicion de revestimiento por deposicion de vapor, y disposicion de revestimiento por deposicion devapor que usa un catodo con una campana anodica | |
| RU2480858C2 (ru) | Сильноточный источник многозарядных ионов на основе плазмы электронно-циклотронного резонансного разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке | |
| US10032610B2 (en) | Plasma source | |
| CN109192641B (zh) | 一种潘宁冷阴极离子源 | |
| CN104716009A (zh) | 一种基于真空紫外光电离和大气压电离的复合电离源 | |
| JPWO2011034086A1 (ja) | 電子銃、真空処理装置 | |
| RU2373603C1 (ru) | Источник быстрых нейтральных атомов | |
| CN204497191U (zh) | 一种带防静电涂层的考夫曼电源 | |
| US8575565B2 (en) | Ion source apparatus and methods of using the same | |
| CN106508075B (zh) | 热阴极等离子体电子枪 | |
| WO2013099044A1 (ja) | イオンビーム処理装置および中和器 | |
| RU107657U1 (ru) | Форвакуумный плазменный электронный источник | |
| RU2013137080A (ru) | Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления | |
| CN211125568U (zh) | 一种离子束镀膜聚焦离子源 | |
| CN209087761U (zh) | 一种新型等离子体阴极电子束源及3d打印机 | |
| JP2020173984A (ja) | イオン源及びイオン注入装置並びにマグネシウムイオン生成方法 | |
| CN2646155Y (zh) | 闭合式电子漂移型气体离子源 | |
| RU159300U1 (ru) | Электронный источник с плазменным эмиттером | |
| RU2496283C1 (ru) | Генератор широкоаппертурного потока газоразрядной плазмы | |
| RU2789534C1 (ru) | Высокочастотный источник плазмы |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151023 |