CN211125568U - 一种离子束镀膜聚焦离子源 - Google Patents

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安建昊
唐欢欢
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Jiangsu Pailaite Photoelectric Technology Co ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种离子束镀膜聚焦离子源,包括放电室、安装在放电室内并与放电室绝缘的阳极筒、设置在阳极筒外周侧的若干磁极、安装在放电室的送气口前方且位于阳极筒内的阴极灯丝及依次安装在放电室正前方的聚焦屏栅和聚焦加速栅,阳极筒位于阴极灯丝的一端沿周开设有若干气孔,若干气孔上设有一圈中空的凸起,凸起与送气口连通。本实用新型提供一种离子束镀膜聚焦离子源,反应气体能够均匀分布在阳极筒内,提高了阴极灯丝发射的电子对反应气体电离度及均匀性。进而保证了产品的质量。

Description

一种离子束镀膜聚焦离子源
技术领域
本实用新型属于离子束技术领域,具体涉及一种离子束镀膜聚焦离子源。
背景技术
离子束溅射镀膜技术为科学研究与生产提供了新工艺、新技术,为当今迅速发展的薄膜集成电路、薄膜传感器、磁性薄膜器件、高温合金导体薄膜等广泛的应用领域提供了新的技术手段。离子源是离子束设备的核心部件,它是阴极灯丝发射电子电离气体,形成等离子体并经离子栅网引出。
然而现在这类离子束溅射设备,离子源的屏栅和加速栅大都采用平行栅网,只能引出平行离子束,对工件进行离子束刻蚀微细加工,无法形成聚焦离子束轰击靶材,溅射靶材原子形成离子束镀膜加工;另外,离子源的中和器灯丝是平行架设在栅网前方,受离子束强烈轰击,寿命短,维护更换不方便。
授权公告号CN209312712U实用新型公开一种离子束镀膜聚焦离子源,包括放电室、阳极筒、磁极、聚焦屏栅、聚焦加速栅、阴极灯丝组成。由于聚焦屏栅和聚焦加速栅采用球面栅网,离子束引出加速后形成有效的聚焦离子束,能集中能量轰击靶材进行离子束镀膜加工。同时中和器是和离子源分离设计的,中和器安装在离子源的侧面,中和器灯丝不受离子束直接轰击,中和效率高,灯丝寿命长,安装维护方便。
但是上述实用新型专利文献仍存在不足之处:反应气体由送气口送入阳极筒进行电离,由于反应气体送入时,在阳极筒内分布不均匀,易造成阴极灯丝发射的电子对反应气体电离度及均匀度差,进而影响到产品的质量。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型提供一种离子束镀膜聚焦离子源,反应气体能够均匀分布在阳极筒内,提高了阴极灯丝发射的电子对反应气体电离度及均匀性。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种离子束镀膜聚焦离子源,包括放电室、安装在放电室内并与放电室绝缘的阳极筒、设置在阳极筒外周侧的若干磁极、安装在放电室的送气口前方且位于阳极筒内的阴极灯丝及依次安装在放电室正前方的聚焦屏栅和聚焦加速栅,所述阳极筒位于所述阴极灯丝的一端沿周开设有若干气孔,若干所述气孔上设有一圈中空的凸起,所述凸起与所述送气口连通。
所述阳极筒与所述凸起一体成型。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过在阳极筒位于阴极灯丝的一端沿周开设若干气孔,若干气孔上设有一圈中空的凸起,且凸起与送气口连通,由于若干气孔沿周均匀分布,反应气体经送气口进入中空的凸起内,再由均匀分布的气孔均匀的进入阳极筒内,进而使得反应气体在阳极筒内均匀分布,提高了阴极灯丝发射的电子对反应气体电离度及均匀性,进而保证了产品的质量。
附图说明
图1是本实用新型的离子束镀膜聚焦离子源及其在真空室中的布置示意图。
附图中:1.放电室;2.阳极筒;3.磁极;4.送气口;5.阴极灯丝;6.聚焦屏栅;7.聚焦加速栅;8.气孔;9.凸起。
具体实施方式
如说明书附图中图1所示的一种离子束镀膜聚焦离子源,包括放电室1、安装在放电室1内并与放电室1绝缘的阳极筒2、设置在阳极筒2外周侧的若干磁极3、安装在放电室1的送气口4前方且位于阳极筒2内的阴极灯丝5及依次安装在放电室1正前方的聚焦屏栅6和聚焦加速栅7,阳极筒2位于阴极灯丝5的一端沿周开设有若干气孔8,若干气孔8上设有一圈中空的凸起9,凸起9与送气口4连通。
阳极筒2与凸起9一体成型。
本实用新型通过在阳极筒位于阴极灯丝的一端沿周开设若干气孔,若干气孔上设有一圈中空的凸起,且凸起与送气口连通,由于若干气孔沿周均匀分布,反应气体经送气口进入中空的凸起内,再由均匀分布的气孔均匀的进入阳极筒内,进而使得反应气体在阳极筒内均匀分布,提高了阴极灯丝发射的电子对反应气体电离度及均匀性,进而保证了产品的质量。
综上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用来限定本实用新型实施的范围,凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰,均应包括于本实用新型的权利要求范围内。

Claims (2)

1.一种离子束镀膜聚焦离子源,包括放电室(1)、安装在放电室(1)内并与放电室(1)绝缘的阳极筒(2)、设置在阳极筒(2)外周侧的若干磁极(3)、安装在放电室(1)的送气口(4)前方且位于阳极筒(2)内的阴极灯丝(5)及依次安装在放电室(1)正前方的聚焦屏栅(6)和聚焦加速栅(7),其特征在于:所述阳极筒(2)位于所述阴极灯丝(5)的一端沿周开设有若干气孔(8),若干所述气孔(8)上设有一圈中空的凸起(9),所述凸起(9)与所述送气口(4)连通。
2.根据权利要求1所述的一种离子束镀膜聚焦离子源,其特征在于:所述阳极筒(2)与所述凸起(9)一体成型。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113793791A (zh) * 2021-09-15 2021-12-14 中山市博顿光电科技有限公司 离子束修形离子源及其启动方法、真空腔室

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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