RU2012141985A - Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение - Google Patents

Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение Download PDF

Info

Publication number
RU2012141985A
RU2012141985A RU2012141985/28A RU2012141985A RU2012141985A RU 2012141985 A RU2012141985 A RU 2012141985A RU 2012141985/28 A RU2012141985/28 A RU 2012141985/28A RU 2012141985 A RU2012141985 A RU 2012141985A RU 2012141985 A RU2012141985 A RU 2012141985A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vmj
layers
photovoltaic cell
buffer zone
cell
Prior art date
Application number
RU2012141985/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Бернард Л. САТЕР
Original Assignee
Гринфилд Солар Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/535,952 external-priority patent/US20100037937A1/en
Priority claimed from US12/536,982 external-priority patent/US20100037943A1/en
Priority claimed from US12/536,987 external-priority patent/US8106293B2/en
Priority claimed from US12/536,992 external-priority patent/US8293079B2/en
Application filed by Гринфилд Солар Корп. filed Critical Гринфилд Солар Корп.
Publication of RU2012141985A publication Critical patent/RU2012141985A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/047—PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:многопереходный (VMJ) фотоэлектрический элемент с вертикальными переходами, который включает в себя множество соединенных в одно целое единичных элемента, причем каждый единичный элемент имеет множество слоев, которые формируют PN переход(ы); ибуферную зону, которая защищает множество слоев от по меньшей мере одного из давления и растяжения, оказываемых на VMJ фотоэлектрический элемент.2. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферная зона реализуется в виде сформированного бандажа на поверхности конечного слоя единичного элемента.3. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферный слой включает в себя слой сильнолегированного кремния очень малого сопротивления.4. Способ защиты активных слоев в VMJ элементе, содержащий:соединение в единое целое множества активных слоев с целью формирования VMJ элемента; изащиту активных слоев от по меньшей мере одного из давления, растяжения, момента и скручивания, приложенных к VMJ элементу, посредством буферной зоны.5. Способ по п.4, также содержащий формирование буферной зоны с очень низким сопротивлением как части конечных слоев VMJ элемента.6. Способ по п.4, также содержащий выполнение омических контактов между внешними слоями единичных элементов.

Claims (6)

1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
многопереходный (VMJ) фотоэлектрический элемент с вертикальными переходами, который включает в себя множество соединенных в одно целое единичных элемента, причем каждый единичный элемент имеет множество слоев, которые формируют PN переход(ы); и
буферную зону, которая защищает множество слоев от по меньшей мере одного из давления и растяжения, оказываемых на VMJ фотоэлектрический элемент.
2. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферная зона реализуется в виде сформированного бандажа на поверхности конечного слоя единичного элемента.
3. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферный слой включает в себя слой сильнолегированного кремния очень малого сопротивления.
4. Способ защиты активных слоев в VMJ элементе, содержащий:
соединение в единое целое множества активных слоев с целью формирования VMJ элемента; и
защиту активных слоев от по меньшей мере одного из давления, растяжения, момента и скручивания, приложенных к VMJ элементу, посредством буферной зоны.
5. Способ по п.4, также содержащий формирование буферной зоны с очень низким сопротивлением как части конечных слоев VMJ элемента.
6. Способ по п.4, также содержащий выполнение омических контактов между внешними слоями единичных элементов.
RU2012141985/28A 2008-08-14 2012-10-02 Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение RU2012141985A (ru)

Applications Claiming Priority (16)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8892108P 2008-08-14 2008-08-14
US8893608P 2008-08-14 2008-08-14
US61/088,921 2008-08-14
US61/088,936 2008-08-14
US8938908P 2008-08-15 2008-08-15
US61/089,389 2008-08-15
US9253108P 2008-08-28 2008-08-28
US61/092,531 2008-08-28
US12/535,952 2009-08-05
US12/535,952 US20100037937A1 (en) 2008-08-15 2009-08-05 Photovoltaic cell with patterned contacts
US12/536,987 2009-08-06
US12/536,982 2009-08-06
US12/536,982 US20100037943A1 (en) 2008-08-14 2009-08-06 Vertical multijunction cell with textured surface
US12/536,992 2009-08-06
US12/536,987 US8106293B2 (en) 2008-08-14 2009-08-06 Photovoltaic cell with buffer zone
US12/536,992 US8293079B2 (en) 2008-08-28 2009-08-06 Electrolysis via vertical multi-junction photovoltaic cell

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011109164/28A Division RU2472251C2 (ru) 2008-08-14 2009-08-12 Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012141985A true RU2012141985A (ru) 2014-05-10

Family

ID=43663782

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011109164/28A RU2472251C2 (ru) 2008-08-14 2009-08-12 Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение
RU2012141985/28A RU2012141985A (ru) 2008-08-14 2012-10-02 Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011109164/28A RU2472251C2 (ru) 2008-08-14 2009-08-12 Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение

Country Status (11)

Country Link
EP (1) EP2327107A1 (ru)
JP (1) JP2012500474A (ru)
CN (4) CN103337547A (ru)
AU (1) AU2009281960A1 (ru)
BR (1) BRPI0917838A2 (ru)
CA (2) CA2820184A1 (ru)
IL (1) IL211205A0 (ru)
MX (1) MX2011001738A (ru)
RU (2) RU2472251C2 (ru)
TW (1) TWI535042B (ru)
WO (1) WO2010019685A1 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420798B (zh) * 2010-12-03 2013-12-21 Mh Solar Co Ltd 混成式太陽能發電系統
TWI424657B (zh) * 2010-12-03 2014-01-21 Mh Solar Co Ltd 具加熱裝置之聚光型太陽能光電系統
TWI418046B (zh) * 2010-12-03 2013-12-01 Mh Solar Co Ltd 一種多接面太陽能電池之製程方法
TWI420782B (zh) * 2010-12-06 2013-12-21 Mh Solar Co Ltd 一種可自供電之電子裝置
TWI420781B (zh) * 2010-12-06 2013-12-21 Mh Solar Co Ltd 一種可攜式太陽能充電裝置
CN102646749A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 美环光能股份有限公司 垂直多接面太阳能电池的制作方法
CN102437208B (zh) * 2011-12-08 2013-11-20 上海太阳能电池研究与发展中心 机械组装太阳能电池
TWI506801B (zh) * 2011-12-09 2015-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 太陽能電池組
CN103165690B (zh) 2011-12-16 2015-11-25 清华大学 太阳能电池
CN103165719B (zh) 2011-12-16 2016-04-13 清华大学 太阳能电池
CN103165742B (zh) * 2011-12-16 2016-06-08 清华大学 太阳能电池的制备方法
CN103178137B (zh) * 2011-12-22 2016-04-13 清华大学 太阳能电池组
RU2487437C1 (ru) * 2012-02-02 2013-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) Фотоэлектронный элемент
DE102012205258A1 (de) 2012-03-30 2013-10-02 Evonik Industries Ag Photoelektrochemische Zelle, System und Verfahren zur lichtgetriebenen Erzeugung von Wasserstoff und Sauerstoff mit einer photoelektrochemischen Zelle und Verfahren zur Herstellung der photoelektrochemischen Zelle
US20150340521A1 (en) * 2012-12-20 2015-11-26 The Trustees Of Boston College Methods and Systems for Controlling Phonon-Scattering
TWI513017B (zh) * 2013-06-28 2015-12-11 Mh Gopower Company Ltd 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法
TWI513018B (zh) * 2013-06-28 2015-12-11 Mh Gopower Company Ltd 具抗反射層之太陽能電池及其製程方法
US9786800B2 (en) * 2013-10-15 2017-10-10 Solarworld Americas Inc. Solar cell contact structure
CN106328643A (zh) * 2015-06-29 2017-01-11 美环能股份有限公司 能量转换装置与使用该能量转换装置的功率晶体管模块
US10553736B2 (en) * 2015-07-01 2020-02-04 Mh Go Power Company Limited Photovoltaic power converter receiver
CN105261659A (zh) * 2015-11-12 2016-01-20 天津三安光电有限公司 太阳能电池及其制备方法
US11431280B2 (en) * 2019-08-06 2022-08-30 Tesla, Inc. System and method for improving color appearance of solar roofs

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332973A (en) * 1974-11-08 1982-06-01 Sater Bernard L High intensity solar cell
US4516314A (en) * 1974-11-08 1985-05-14 Sater Bernard L Method of making a high intensity solar cell
US4082570A (en) * 1976-02-09 1978-04-04 Semicon, Inc. High intensity solar energy converter
US4193081A (en) * 1978-03-24 1980-03-11 Massachusetts Institute Of Technology Means for effecting cooling within elements for a solar cell array
US4996577A (en) * 1984-01-23 1991-02-26 International Rectifier Corporation Photovoltaic isolator and process of manufacture thereof
US4634641A (en) * 1985-07-03 1987-01-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Superlattice photoelectrodes for photoelectrochemical cells
JP2784841B2 (ja) * 1990-08-09 1998-08-06 キヤノン株式会社 太陽電池用基板
JPH0797653B2 (ja) * 1991-10-01 1995-10-18 工業技術院長 光電変換素子
US5261969A (en) * 1992-04-14 1993-11-16 The Boeing Company Monolithic voltage-matched tandem photovoltaic cell and method for making same
US5266125A (en) * 1992-05-12 1993-11-30 Astropower, Inc. Interconnected silicon film solar cell array
JP3152328B2 (ja) * 1994-03-22 2001-04-03 キヤノン株式会社 多結晶シリコンデバイス
JPH08125210A (ja) * 1994-10-24 1996-05-17 Jiyousuke Nakada 受光素子及び受光素子アレイ並びにそれらを用いた電解装置
JP2762993B2 (ja) * 1996-11-19 1998-06-11 日本電気株式会社 発光装置及びその製造方法
DE69818449T2 (de) * 1998-01-23 2004-07-08 Nakata, Josuke, Joyo Vorrichtung zur optischen elektrolyse
JP2002170980A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Rasa Ind Ltd 水溶液の電気分解用光電池
US6611085B1 (en) * 2001-08-27 2003-08-26 Sandia Corporation Photonically engineered incandescent emitter
JP2003124481A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池
RU2210142C1 (ru) * 2002-04-17 2003-08-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр завода "Красное знамя" Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой
CN1177375C (zh) * 2003-01-14 2004-11-24 河北科技大学 一种太阳能转换多结极联光电池
US7812249B2 (en) * 2003-04-14 2010-10-12 The Boeing Company Multijunction photovoltaic cell grown on high-miscut-angle substrate
US7718888B2 (en) * 2005-12-30 2010-05-18 Sunpower Corporation Solar cell having polymer heterojunction contacts
EP2028698A4 (en) * 2006-06-14 2011-01-12 Kyosemi Corp SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT OF THE BAR TYPE
CN100463231C (zh) * 2007-07-13 2009-02-18 南京大学 铟镓氮p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103337546A (zh) 2013-10-02
IL211205A0 (en) 2011-04-28
TW201013951A (en) 2010-04-01
EP2327107A1 (en) 2011-06-01
WO2010019685A1 (en) 2010-02-18
CN103337547A (zh) 2013-10-02
AU2009281960A1 (en) 2010-02-18
TWI535042B (zh) 2016-05-21
CA2733976A1 (en) 2010-02-18
MX2011001738A (es) 2011-08-12
CA2733976C (en) 2015-12-22
CN102171840A (zh) 2011-08-31
BRPI0917838A2 (pt) 2017-02-14
CN103354247A (zh) 2013-10-16
CN103354247B (zh) 2016-10-05
WO2010019685A4 (en) 2010-05-06
JP2012500474A (ja) 2012-01-05
RU2472251C2 (ru) 2013-01-10
CN103337546B (zh) 2017-03-01
RU2011109164A (ru) 2012-09-20
CA2820184A1 (en) 2010-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012141985A (ru) Фотоэлектрические элементы с обработанными поверхностями и их применение
US10074762B2 (en) Solar cell module and solar cell module production method
WO2010071341A3 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
WO2009097627A3 (en) Thin-film photovoltaic devices and related manufacturing methods
WO2011053006A3 (en) Thin film solar cell module
JP2009200267A5 (ru)
JP2012521090A5 (ru)
WO2008048233A3 (en) Nanostructure and photovoltaic cell implementing same
TW200733355A (en) Memory array structure with strapping cells
WO2010051355A3 (en) Photovoltaic cell module and method of forming
WO2010024629A3 (ko) 양자점 태양광 소자 및 그 제조방법
EP2075850A3 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011091967A3 (de) Photovoltaische mehrfach-dünnschichtsolarzelle
EP2421057A3 (en) Solar cell
MY177509A (en) Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
JP2014514746A5 (ru)
WO2012037191A3 (en) Improved photovoltaic cell assembly and method
GB2484605A (en) Silicon wafer based structure for heterostructure solar cells
WO2011066570A3 (en) Semiconductor wire array structures, and solar cells and photodetectors based on such structures
TW200627679A (en) Light emitting device having a plurality of light emitting cells connected in series and method of fabricating the same
US20130061904A1 (en) Solar cell module
WO2008042682B1 (en) Improved interconnect for thin film photovoltaic modules
WO2011149850A3 (en) Photovoltaic device and method of making same
WO2010013956A3 (en) Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module
WO2009140196A3 (en) Solar cells and method of making solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20151005