TWI513017B - 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法 - Google Patents

具鈍化層之太陽能電池及其製程方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI513017B
TWI513017B TW102123167A TW102123167A TWI513017B TW I513017 B TWI513017 B TW I513017B TW 102123167 A TW102123167 A TW 102123167A TW 102123167 A TW102123167 A TW 102123167A TW I513017 B TWI513017 B TW I513017B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
passivation layer
junction
solar cell
light incident
electrode layers
Prior art date
Application number
TW102123167A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201501333A (en
Inventor
Mei Huan Yang
Chiun Yen Tung
Cheng Liang Wu
Original Assignee
Mh Gopower Company Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mh Gopower Company Ltd filed Critical Mh Gopower Company Ltd
Priority to TW102123167A priority Critical patent/TWI513017B/zh
Priority to US14/186,457 priority patent/US20150000729A1/en
Publication of TW201501333A publication Critical patent/TW201501333A/zh
Priority to TW104103092A priority patent/TWI590474B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI513017B publication Critical patent/TWI513017B/zh

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

具鈍化層之太陽能電池及其製程方法
本發明係有關於一種太陽能電池及其製程方法，特別係有關於一種具鈍化層之太陽能電池及其製程方法。
請參查美國專利第4,516,314、4,409,422、4,332,973號，其揭示一種多接面之太陽能電池，藉此方法可以提高電池輸出電壓。該多接面之太陽能電池技術不同於習用之單接面太陽能電池，該具多接面之太陽能電池技術相對於其他技術提供至少兩個優點：(1)較低製造成本；(2)可以在高聚光強度下運作，但由於該多接面之太陽能電池的光入射表面容易發生載子複合的情形，而導致光電轉換效率不佳，此外，由於該多接面之太陽能電池之光電轉換效率的衰退非常嚴重，使該多接面之太陽能電池無法廣泛的應用。
本發明之主要目的在於提出一種具鈍化層之太陽能電池，藉由原子層沉積製程沉積鈍化層於矽基垂直多接面電池之光入射面，可大幅降低矽基垂直多接面電池之光入射面之載子複合機率以提高光電轉換效率且可降低具鈍化層之太陽能電池之光電轉換效率的衰退效應。
本發明之一種具鈍化層之太陽能電池包含一矽基垂直多接面電池及一鈍化層，該矽基垂直多接面電池具有一光入射面，且該矽基垂直多接面電池係由複數個具有矽基PN接面結構的半導體基板及複數個連接電極層間隔堆疊並垂直串連而成，各該連接電極層位於相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板之間，且各該連接電極層連接相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板，各該連接電極層具有一顯露面，且各該具有矽基PN接面結構的半導體基板係具有一光接收表面，其中各該光接收表面為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板的PN接面(PN junction)，且該矽基垂直多接面電池之該光入射面是由相鄰的各該光接收表面及各該連接電極層之該顯露面所併列形成，該鈍化層覆蓋於該光入射面，該鈍化層可透光且可降低該矽基垂直多接面電池吸收太陽光所產生之載子的複合機率，該鈍化層是藉由原子層沉積(Atomic layer deposition，ALD)製程而形成。
本發明藉由該鈍化層覆蓋於該矽基垂直多接面電池之該光入射面，以原子層沉積製程所沉積之該鈍化層具有優異的三維包覆性(conformality)、無孔洞結構與缺陷密度小等優點，使該鈍化層可緊密的覆蓋於該矽基垂直多接面電池之該光入射面，且由於該鈍化層選自於負電荷之介電材料，因此可降低該矽基垂直多接面電池吸收太陽光所產生之載子的複合機率，且可降低該具鈍化層之太陽能電池之光電轉換效率的衰退效應。
請參閱第1a圖，為本發明之一實施例，一種具鈍化層之太陽能電池100包含一矽基垂直多接面電池200及一鈍化層230，該矽基垂直多接面電池200具有一光入射面210、一第一端面220及一第二端面221，該光入射面210位於該第一端面220及該第二端面221之間，且該光入射面210連接該第一端面220及該第二端面221，該鈍化層230覆蓋於該光入射面210，太陽光經由該鈍化層230及該光入射面210進入該矽基垂直多接面電池200，以使該矽基垂直多接面電池200進行光電轉換而產生電能。
請參閱第1a、1b及2圖，其為本發明之具鈍化層之太陽能電池100，該矽基垂直多接面電池200係由複數個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a及複數個連接電極層240間隔堆疊並垂直串連而成，各該連接電極層240位於相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之間，且各該連接電極層240連接相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a，該些連接電極層240提供低電阻的歐姆接面、高強度的黏合及良好的熱傳導，使得相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a可具有優良的接合強度、導電及散熱路徑，該連接電極層240之材料係為電阻值低之導電材料，可選自於矽(Si)、鈦金屬(Ti)、鈷金屬(Co)、鎢金屬(W)、鉿金屬(Hf)、鉭金屬(Ta)、鉬金屬(Mo)、鉻金屬(Cr)、銀金屬(Ag)、銅金屬(Cu)、鋁金屬(Al)或上述之材料的合金之一，較佳地，該連接電極層240為鈦金屬(Ti)及鋁金屬(Al)及鈦鎢合金所組成，請參閱第1a圖，各該連接電極層240具有一顯露面241，且各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a係具有一光接收表面210a，各該光接收表面210a為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a的PN接面(PN junction)，且該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210是由相鄰的各該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241所併列形成。
請參閱第2圖，在本實施例中，各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a具有六個面，分別為一第一面201a、一第二面(未顯示，位於該第一面之對面)、一第三面202a、一第四面(未顯示，位於該第三面之對面)、一第五面203a與一第六面(未顯示，位於該第五面之對面)，其中該第五面203a為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之N型矽基板面，該第六面(未顯示，位於該第五面203a之對面)為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之P型矽基板面，該第一面201a、該第二面(位於該第一面201a之對面)、該第三面202a、該第四面(未顯示，位於該第三面之對面)上，皆為該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之PN接面(PNjunction)，因此，該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之該光接收表面210a是可選自於該第一面201a、該第二面、該第三面202a或該第四面，在本實施例中，該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之該光接收表面210a為該第一面201a。
請參閱第1b圖，在本實施例中，各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241皆為不平整之表面，因此，由相鄰的各該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241所併列形成的該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210亦為不平整之表面，且各該連接電極層240及各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之間具有一間距D而形成有一凹槽S，其中不平整之該光入射面210為該些凹槽S、該些光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241所形成。
請參閱第1a及1b圖，該鈍化層230覆蓋於該光入射面210，該鈍化層230可透光且可降低該矽基垂直多接面電池200吸收太陽光所產生之載子的複合機率，且由該鈍化層230是藉由原子層沉積(Atomic layer deposition，ALD)製程而形成，因此該鈍化層230可延著該光入射面210沉積而緊密的覆蓋於該光入射面210，且該鈍化層230填充該些凹槽S，以修正該些具有矽基PN接面結構的半導體基板200a表面之瑕疵與懸鍵，以增加該矽基垂直多接面電池200的光電轉換效率並降低該垂直多接面電池200之光電轉換效率的衰退效應，較佳的，該鈍化層230是以電漿原子層沉積(plasmaatomic layer deposition，PALD)製成，且該鈍化層230之材料係為Al2 O3 ，該鈍化層230之厚度係介於10奈米至90奈米之間。此外，由於本發明之該矽基垂直多接面電池200的厚度較薄，太陽光可穿透該矽基垂直多接面太陽能電池200，因此，該矽基垂直多接面太陽能電池200之各個PN接面皆可能發生載子複合的情形，較佳的，該鈍化層230覆蓋於該矽基垂直多接面太陽能電池200的所有PN接面，可再減低該矽基垂直多接面太陽能電池200之載子複合的情形，而增加該矽基垂直多接面太陽能電池200的光電轉換效應。
請參閱第1a及1b圖，該矽基垂直多接面電池200另具複數個導電電極250，各該導電電極250分別設置於該第一端面220及該第二端面221，用以將該具鈍化層之太陽能電池100藉由光電轉換所產生之電能導出，各該導電電極250具有一表面251，在本實施例中，由於各該導電電極250的寬度小於該矽基垂直多接面電池200的寬度，因此，各該導電電極250之該表面251、該第一端面220及該光入射面210形成有一階梯狀之側面，該鈍化層230覆蓋該階梯狀之側面而形成有一階梯狀之包覆面，用以降低該矽基垂直多接面電池200之顯露的第一端面220及第二端面221之載子的複合機率，以提升該具鈍化層之太陽能電池100的光電轉換效率。
請參閱第3圖，為本發明之一種具鈍化層之太陽能電池之製程方法300，其包含「形成矽基垂直多接面電池310」及「沉積鈍化層320」之步驟。
請參閱第1a、2及3圖，於「形成矽基垂直多接面電池310」的步驟中，間隔堆疊複數個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a及複數個連接電極層240，使該些矽基PN接面結構的半導體基板200a及該些連接電極層240垂直串連而形成一矽基垂直多接面電池200，各該連接電極層240位於相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之間，且各該連接電極層240連接相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板200a，其中，各該連接電極層240是以真空鍍膜的方式形成於各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a上，再由熱處理將該些具有矽基PN接面結構的半導體基板200a及該些連接電極層240接合，且各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a及各該連接電極層240為間隔排列，熱處理的溫度介於400度至800度之間，可使該些連接電極層240形成共晶結構，以增加該些具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之間的接合強度。
請參閱第1a圖，該矽基垂直多接面電池具有一光入射面210、一第一端面220、一第二端面221及複數個導電電極250，各該連接電極層240具有一顯露面241，各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a係具有一光接收表面210a，各該光接收表面210a為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a的PN接面(PN junction)，該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210是由相鄰的各該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241所併列形成，在本實施例中，各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241皆為不平整之表面，因此，由相鄰的各該光接收表面210a及各該連接電極層240之該顯露面241所併列形成的該光入射面210亦為不平整之表面，且各該連接電極層240及各該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a之該光接收表面210a之間具有一間距D而形成有一凹槽S，其中不平整之該光入射面210為該些凹槽S與該些光接收表面210a所形成。
請參閱第1a圖，該光入射面210位於該第一端面220及該第二端面221之間，且該光入射面210連接該第一端面220及該第二端面221，各該導電電極250分別設置於該第一端面220及該第二端面221，用以將該具鈍化層之太陽能電池100藉由光電轉換所產生之電能導出，各該導電電極250具有一表面251，在本實施例中，由於各該導電電極250的寬度小於該矽基垂直多接面電池200的寬度，因此，各該導電電極250之該表面251、該第一端面220及該光入射面210形成有一階梯狀之側面。
請參閱第1a、1b及3圖，於「沉積鈍化層320」的步驟中，是藉由原子層沉積(Atomic layer deposition，ALD)製程沉積一鈍化層230於該光入射面210，由於該鈍化層230具有優異的三維包覆性(conformality)、無孔洞結構與缺陷密度小等優點，使該鈍化層230可緊密的覆蓋於該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210及各該導電電極250上並填充於該些凹槽S中，且由於各該導電電極250之該表面251、該第一端面251及該光入射面210形成有該階梯狀之側面，因此，該鈍化層230覆蓋該階梯狀之側面而形成有一階梯狀之包覆面，該鈍化層230用來修正該些具有矽基PN接面結構的半導體基板200a表面之瑕疵與懸鍵，以增加該矽基垂直多接面電池200的光電轉換效率，並大幅降低該具鈍化層之太陽能電池100之光電轉換效率的衰退效應。
較佳的，該鈍化層230是以電漿原子層沉積(plasmaatomic layer deposition，PALD)製成，且該鈍化層230之材料為Al2 O3 ，該鈍化層230之厚度係介於10奈米至90奈米之間，在本實施例中，電漿原子層沉積之鍍率係為0.1 Å/s 至0.3 Å/s之間，且沈積溫度係介於100℃至350℃之間為最佳，需注意的是，製程之鍍率不可太快，若鍍太快會使得薄膜膜厚不均及薄膜孔洞零星分佈，其中最佳之鍍率為0.23 Å/s ，在此鍍率下由電漿原子層沉積之該鈍化層230與該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a在界面上會有高達1.0x1012 庫倫/cm2 至9.9x1013 庫倫/cm2 之間的負電荷密度，使得該具有矽基PN接面結構的半導體基板200a靠近界面處形成一負電場，可以阻止電子跑到具有許多懸鍵(dangling bond)的具有矽基PN接面結構的半導體基板200a表面，因此有絕佳的鈍化效果，此外，由於在界面上會有高達1.0x1012 庫倫/cm2 至9.9x1013 庫倫/cm2 之間的負電荷密度，所以會讓少數載子有絕佳的載子生命週期。
如下表，其為利用不同製程方式製作長1.1cm寬1.1cm厚度250um之該具鈍化層之太陽能電池100之比較表，其皆於300倍太陽光照射下進行測試(1太陽光=0.09w/cm2 )，由此表可知以電漿原子層製程沉積製程所製作之該鈍化層230為最佳，該具鈍化層之太陽能電池100具有22.67%之光電轉換效率。沉積方式鈍化層材料沉積厚度(Å)Voc (伏特)Isc (安培)Pmax (瓦)F.F效率 (%)電漿原子層沉積Al2 O330032.00.3117.400.74422.67加熱式原子薄膜層沉積Al2 O330032.180.2626.120.72818.73
本發明藉由該鈍化層230覆蓋於該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210，由於以原子層沉積製程所沉積之該鈍化層230具有優異的三維包覆性(conformality)、無孔洞結構與缺陷密度小等優點，使該鈍化層230可緊密的覆蓋於該矽基垂直多接面電池200之該光入射面210，且該鈍化層230選自於負電荷之介電材料，因此可降低該矽基垂直多接面電池200吸收太陽光所產生之載子的複合機率，且可大幅降低該具鈍化層之太陽能電池100之光電轉換效率的衰退效應。
本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範圍。
100‧‧‧具鈍化層之太陽能電池
200‧‧‧矽基垂直多接面電池
210‧‧‧光入射面
220‧‧‧第一端面
221‧‧‧第二端面
230‧‧‧鈍化層
240‧‧‧連接電極層
241‧‧‧顯露面
250‧‧‧導電電極
251‧‧‧表面
200a‧‧‧具有矽基PN接面結構的半導體基板
201a‧‧‧第一面
202a‧‧‧第三面
203a‧‧‧第五面
210a‧‧‧光接收表面
S‧‧‧凹槽
D‧‧‧間距
300‧‧‧具鈍化層之太陽能電池之製程方法
310‧‧‧形成矽基垂直多接面電池
320‧‧‧沉積鈍化層
第1a圖：依據本發明之一實施例，一種具鈍化層之太陽能電池的側視圖。第1b圖：第1a圖之局部放大圖。第2圖：依據本發明之一實施例，一矽基垂直多接面電池的立體圖。第3圖：依據本發明之一實施例，一種具鈍化層之太陽能電池之製程方法的流程圖。
100‧‧‧具鈍化層之太陽能電池
200‧‧‧矽基垂直多接面電池
210‧‧‧光入射面
220‧‧‧第一端面
221‧‧‧第二端面
230‧‧‧鈍化層
240‧‧‧連接電極層
241‧‧‧顯露面
250‧‧‧導電電極
251‧‧‧表面
200a‧‧‧具有矽基PN接面結構的半導體基板
210a‧‧‧光接收表面

Claims (16)

  1. 一種具鈍化層之太陽能電池，其包含：一矽基垂直多接面電池，其具有一光入射面，且該矽基垂直多接面電池係由複數個具有矽基PN接面結構的半導體基板及複數個連接電極層間隔堆疊並垂直串連而成，各該連接電極層位於相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板之間，且各該連接電極層連接相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板，各該連接電極層具有一顯露面，且各該具有矽基PN接面結構的半導體基板係具有一光接收表面，其中各該光接收表面為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板的PN接面(PN junction)，且該矽基垂直多接面電池之該光入射面是由相鄰的各該光接收表面及各該連接電極層之該顯露面所併列形成；以及一鈍化層，該鈍化層為Al2 O3 ，其覆蓋於該光入射面，該鈍化層可透光且可降低該矽基垂直多接面電池吸收太陽光所產生之載子的複合機率，該鈍化層是藉由電漿原子層沉積(plasma atomic layer deposition，PALD)製程而形成，電漿原子層沉積之鍍率係為0.1Å/s至0.3Å/s且沈積溫度係介於100℃至350℃之間，藉此該鈍化層與該具有矽基PN接面結構的半導體基板在界面上會有1.0x1012 庫倫/cm2 至9.9x1013 庫倫/cm2 之間的負電荷密度，使得該具有矽基PN接面結構的半導體基板靠近界面處形成一負電場。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中該矽基垂直多接面電池之該光入射面為不平整之表面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中各該具有矽基PN接面結構的半導體基板之該光接收表面為不平整之表面。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中各該連接電極層之該顯露面為不平整之表面。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中各該連接電極層之該顯露面及各該具有矽基PN接面結構的半導體基板之該光接收表面之間具有一間距而形成有一凹槽，其中不平整之該光入射面為該些凹槽與該些光接收表面所形成，且該鈍化層填充該些凹槽。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中該矽基垂直多接面電池另具有一第一端面、一第二端面及複數個導電電極，該光入射面位於該第一端面及該第二端面之間，且該光入射面連接該第一端面及該第二端面，各該導電電極分別設置於該第一端面及該第二端面，該鈍化層覆蓋各該導電電極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中各該導電電極具有一表面，且各該導電電極之該表面、該第一端面及該光入射面形成有一階梯狀之側面，該鈍化層覆蓋該階梯狀之側面而形成有一階梯狀之包覆面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具鈍化層之太陽能電池，其中該鈍化層之厚度係介於10奈米至90奈米之間。
  9. 一種具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其包含：形成一矽基多接面太陽能電池，間隔堆疊複數個具有矽基PN接面結構的半導體基板及複數個連接電極層，使該些矽基PN接面結構的半導體基板及該些連接電極層垂直串連而形成一矽基垂直多接面電池，該矽基垂直多接面電池具有一光入射面，其中各該連接電極層位於相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體基板之間，且各該連接電極層連接相鄰的兩個具有矽基PN接面結構的半導體 基板，各該連接電極層具有一顯露面，各該具有矽基PN接面結構的半導體基板係具有一光接收表面，各該光接收表面為各該具有矽基PN接面結構的半導體基板的PN接面(PN junction)，該矽基垂直多接面電池之該光入射面是由相鄰的各該光接收表面及各該連接電極層之該顯露面所併列形成；以及沉積一鈍化層，該鈍化層為Al2 O3 ，其藉由電漿原子層沉積(plasma atomic layer deposition，PALD)製程沉積該鈍化層於該光入射面，該鈍化層覆蓋於該光入射面，其中該鈍化層可透光且可降低該矽基垂直多接面電池吸收太陽光所產生之載子的複合機率，該電漿原子層沉積之鍍率係為0.1Å/s至0.3Å/s且沈積溫度係介於100℃至350℃之間，藉此該鈍化層與該具有矽基PN接面結構的半導體基板在界面上會有1.0x1012 庫倫/cm2 至9.9x1013 庫倫/cm2 之間的負電荷密度，使得該具有矽基PN接面結構的半導體基板靠近界面處形成一負電場。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中該矽基垂直多接面電池之該光入射面為不平整之表面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中各該具有矽基PN接面結構的半導體基板之該光接收表面為不平整之表面。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中各該連接電極層之該顯露面為不平整之表面。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中各該連接電極層及各該具有矽基PN接面結構的半導體基板之該光接收表面之間具有一間距而形成有一凹槽，其中不平整之該光入射面為該些凹槽與該些光接收表面所形成，於沉積鈍化層的步驟中，該鈍化層填充該些凹槽。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中該矽基垂直多接面電池另具有一第一端面、一第二端面及複數個導電電極，該光入射面位於該第一端面及該第二端面之間，且該光入射面連接該第一端面及該第二端面，各該導電電極分別設置於該第一端面及該第二端面，於沉積鈍化層的步驟中，該鈍化層覆蓋各該導電電極。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中各該導電電極具有一表面，且各該導電電極之該表面、該第一端面及該光入射面形成有一階梯狀之側面，該鈍化層覆蓋該階梯狀之側面而形成有一階梯狀之包覆面。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之具鈍化層之太陽能電池之製程方法，其中該鈍化層之厚度係介於10奈米至90奈米之間。
TW102123167A 2013-06-28 2013-06-28 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法 TWI513017B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102123167A TWI513017B (zh) 2013-06-28 2013-06-28 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法
US14/186,457 US20150000729A1 (en) 2013-06-28 2014-02-21 Solar cell with passivation layer and manufacturing method thereof
TW104103092A TWI590474B (zh) 2013-06-28 2015-01-29 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102123167A TWI513017B (zh) 2013-06-28 2013-06-28 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201501333A TW201501333A (en) 2015-01-01
TWI513017B true TWI513017B (zh) 2015-12-11

Family

ID=52718056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102123167A TWI513017B (zh) 2013-06-28 2013-06-28 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI513017B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013951A (en) * 2008-08-14 2010-04-01 Bernard L Sater Photovoltaic cells with processed surfaces and related applications
TWM409540U (en) * 2010-12-03 2011-08-11 Mh Solar Co Ltd Concentrating solar cell system
TW201205830A (en) * 2010-07-27 2012-02-01 Univ Nat Taiwan Thin film solar cell structure and fabricating method thereof
TWM467179U (zh) * 2013-06-28 2013-12-01 Mh Solar Co Ltd 具鈍化層之太陽能電池

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013951A (en) * 2008-08-14 2010-04-01 Bernard L Sater Photovoltaic cells with processed surfaces and related applications
TW201205830A (en) * 2010-07-27 2012-02-01 Univ Nat Taiwan Thin film solar cell structure and fabricating method thereof
TWM409540U (en) * 2010-12-03 2011-08-11 Mh Solar Co Ltd Concentrating solar cell system
TWM467179U (zh) * 2013-06-28 2013-12-01 Mh Solar Co Ltd 具鈍化層之太陽能電池

Also Published As

Publication number Publication date
TW201501333A (en) 2015-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3583631B1 (en) Multijunction photovoltaic device
US7968792B2 (en) Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
US7786376B2 (en) High efficiency solar cells and manufacturing methods
JP2018037680A (ja) 太陽電池及びその製造方法
TW201513380A (zh) 高效率堆疊太陽電池
JP6608351B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP2017168498A (ja) 積層型光電変換装置およびその製造方法
CN113257940A (zh) 叠层光伏器件及生产方法
JPWO2016158838A1 (ja) 光電変換装置、光電変換装置の製造方法および光電変換モジュール
CN111384187A (zh) 复合背电极及其制备方法和叠层太阳能电池
TWM467179U (zh) 具鈍化層之太陽能電池
TW201327870A (zh) 太陽能電池的製備方法
TWI506801B (zh) 太陽能電池組
KR101626929B1 (ko) 화합물 박막을 이용한 다중접합 태양전지 제조 방법 및 다중접합 태양전지
JP2009253269A (ja) 半導体ナノ素材を利用した光電変換装置およびその製造方法｛ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｄｅｖｉｃｅｕｓｉｎｇｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｍｅｔｈｏｄｏｆｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
TWI513017B (zh) 具鈍化層之太陽能電池及其製程方法
KR20200036780A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
TW201543703A (zh) 金屬接合材料鍍膜方法
TWI513018B (zh) 具抗反射層之太陽能電池及其製程方法
TWM467181U (zh) 具抗反射層之太陽能電池
TW201532383A (zh) 太陽電池之ｉ－ｖ測定方法、太陽電池之ｉ－ｖ測定裝置、太陽電池之製造方法、太陽電池模組之製造方法及太陽電池模組
TW201322467A (zh) 太陽能電池、太陽能電池組及其製備方法
KR20140058794A (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
TWI405347B (zh) Ｃｉｇｓ太陽能電池
TWI489636B (zh) 具有金屬堆疊電極之太陽能電池及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees