RU2011138073A - Рельефные микроструктуры поверхности, соответствующие устройства и способ их изготовления - Google Patents
Рельефные микроструктуры поверхности, соответствующие устройства и способ их изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011138073A RU2011138073A RU2011138073/28A RU2011138073A RU2011138073A RU 2011138073 A RU2011138073 A RU 2011138073A RU 2011138073/28 A RU2011138073/28 A RU 2011138073/28A RU 2011138073 A RU2011138073 A RU 2011138073A RU 2011138073 A RU2011138073 A RU 2011138073A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microstructure
- layer
- matrix
- copy
- relief
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
- G02B5/0221—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures the surface having an irregular structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0257—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties creating an anisotropic diffusion characteristic, i.e. distributing output differently in two perpendicular axes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Printing Methods (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
1. Способ тиражирования образующей узор рельефной микроструктуры поверхности, включающий стадии:- формирования первого слоя (21), имеющего образующую узор рельефную микроструктуру поверхности, на втором слое (22), причем первый слой содержит первый материал, а второй слой содержит второй материал;- создания матрицы путем копирования микроструктуры первого слоя во второй слой с использованием по меньшей мере одной стадии сухого или мокрого травления;- отличающийся дополнительной стадией, на которой микроструктуру матрицы вводят в контакт с материалом копии так, чтобы микроструктура матрицы воспроизвелась в материале копии с профилем рельефа поверхности, обратным по сравнению с профилем рельефа поверхности матрицы.2. Способ по п.1, в котором на одной из стадий травления толщину первого слоя уменьшают до тех пор, пока не будет удален материал в нижних зонах (26) рельефной микроструктуры поверхности и не откроются части (27) нижележащего второго слоя (22).3. Способ по п.1, в котором глубина скопированной микроструктуры больше глубины исходной микроструктуры.4. Способ по п.1, в котором скопированная микроструктура имеет разную глубину на разных ее участках.5. Способ по п.1, в котором имеется по меньшей мере один участок узора, содержащий анизотропную микроструктуру.6. Способ по п.1, в котором узор содержит по меньшей мере один участок, на котором микроструктура является непериодической.7. Способ по п.1, в котором по меньшей мере на одном участке характеристическое отношение рельефа поверхности меньше 50.8. Способ по п.1, в котором по меньшей мере на одном участке коэффициент заполнения рельефа поверхности находится в диапазоне от
Claims (21)
1. Способ тиражирования образующей узор рельефной микроструктуры поверхности, включающий стадии:
- формирования первого слоя (21), имеющего образующую узор рельефную микроструктуру поверхности, на втором слое (22), причем первый слой содержит первый материал, а второй слой содержит второй материал;
- создания матрицы путем копирования микроструктуры первого слоя во второй слой с использованием по меньшей мере одной стадии сухого или мокрого травления;
- отличающийся дополнительной стадией, на которой микроструктуру матрицы вводят в контакт с материалом копии так, чтобы микроструктура матрицы воспроизвелась в материале копии с профилем рельефа поверхности, обратным по сравнению с профилем рельефа поверхности матрицы.
2. Способ по п.1, в котором на одной из стадий травления толщину первого слоя уменьшают до тех пор, пока не будет удален материал в нижних зонах (26) рельефной микроструктуры поверхности и не откроются части (27) нижележащего второго слоя (22).
3. Способ по п.1, в котором глубина скопированной микроструктуры больше глубины исходной микроструктуры.
4. Способ по п.1, в котором скопированная микроструктура имеет разную глубину на разных ее участках.
5. Способ по п.1, в котором имеется по меньшей мере один участок узора, содержащий анизотропную микроструктуру.
6. Способ по п.1, в котором узор содержит по меньшей мере один участок, на котором микроструктура является непериодической.
7. Способ по п.1, в котором по меньшей мере на одном участке характеристическое отношение рельефа поверхности меньше 50.
8. Способ по п.1, в котором по меньшей мере на одном участке коэффициент заполнения рельефа поверхности находится в диапазоне от 0,2 до 0,8.
9. Способ по п.1, в котором образующую узор рельефную микроструктуру поверхности формируют по технологии мономерного рифления.
10. Способ по п.1, в котором узор содержит участки с модуляцией поверхности, состоящей из переходов от углублений к возвышениям и от возвышений к углублениям, причем в (первом) поперечном направлении на каждых 20 мкм участка поверхности имеется (в среднем) по меньшей мере один переход от возвышения к углублению или наоборот, и предпочтительно дополнительно во втором поперечном направлении участка поверхности, которое перпендикулярно первому направлению, на каждых 200 мкм участка поверхности имеется в среднем по меньшей мере один переход от возвышения к углублению или наоборот.
11. Способ по п.1, отличающийся дополнительной стадией, на которой копию используют в качестве дочерней матрицы для тиражирования образующей узор рельефной микроструктуры поверхности путем введения дочерней матрицы в контакт с материалом копии так, чтобы микроструктура дочерней матрицы воспроизвелась в материале копии с профилем рельефа поверхности, обратным по сравнению с профилем рельефа поверхности дочерней матрицы.
12. Способ по п.11, в котором в качестве дочерней матрицы используют копию более высокого порядка.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед введением микроструктуры матрицы (дочерней матрицы) в контакт с материалом копии на микроструктуру наносят тонкий слой металла.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал копии наносят на микроструктуру одним из следующих методов: нанесение покрытия, печать, погружение, напыление, напыление в вакууме, литье, осаждение методом химического восстановления или электролитическое осаждение.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что рельефную микроструктуру поверхности получают в материале копии тиснением.
16. Способ по п.11, отличающийся тем, что рельефную микроструктуру поверхности получают в материале копии тиснением.
17. Применение копии рельефной микроструктуры поверхности, полученной способом по любому из предыдущих пунктов, в качестве матрицы для последующего тиражирования.
18. Оптический элемент, имеющий образующую узор рельефную микроструктуру поверхности, полученную путем тиражирования способом по любому из пп.1-16.
19. Оптический элемент по п.18, отличающийся тем, что он по меньшей мере частично является отражающим.
20. Оптический элемент по п.18, отличающийся тем, что он содержит слой диэлектрического материала на рельефной микроструктуре поверхности.
21. Оптическое защитное устройство, содержащее оптический элемент по любому из пп.18-20.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09153151 | 2009-02-18 | ||
EP09153151.7 | 2009-02-18 | ||
PCT/EP2010/000909 WO2010094441A1 (en) | 2009-02-18 | 2010-02-15 | Surface relief microstructures, related devices and method of making them |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011138073A true RU2011138073A (ru) | 2013-03-27 |
RU2540092C2 RU2540092C2 (ru) | 2015-01-27 |
Family
ID=40796271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011138073/28A RU2540092C2 (ru) | 2009-02-18 | 2010-02-15 | Рельефные микроструктуры поверхности, соответствующие устройства и способ их изготовления |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9618839B2 (ru) |
EP (1) | EP2399151B1 (ru) |
JP (3) | JP2012517919A (ru) |
CN (1) | CN102326102B (ru) |
AU (1) | AU2010214906B2 (ru) |
BR (1) | BRPI1008453A2 (ru) |
CA (1) | CA2751668A1 (ru) |
MX (1) | MX2011007955A (ru) |
RU (1) | RU2540092C2 (ru) |
UA (1) | UA106486C2 (ru) |
WO (1) | WO2010094441A1 (ru) |
ZA (1) | ZA201106743B (ru) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5481306B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、光学フィルムおよびそれらの製造方法、偏光板、画像晶表示装置、立体画像表示システム |
RU2548945C2 (ru) * | 2013-05-06 | 2015-04-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Микроструктурные элементы для селекции электромагнитного излучения и способ их изготовления |
TWI653495B (zh) | 2014-06-26 | 2019-03-11 | 荷蘭商皇家飛利浦有限公司 | 發光二極體照明單元 |
US10295728B2 (en) * | 2014-10-23 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Light diffusing component and a method of manufacturing a light diffusing component |
CA2912888C (en) * | 2014-11-25 | 2018-04-03 | Hao Jiang | Methods for fabricating color image display devices comprising structural color pixels from a generic stamp |
WO2016166044A1 (en) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | Rolic Ag | Multiple image scattering device |
WO2017010548A1 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | 凸版印刷株式会社 | 表示体 |
CA2994397A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-16 | Rolic Technologies AG | Azimuthally modulated scattering device |
EP3168057A1 (fr) * | 2015-11-11 | 2017-05-17 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'une piece metallique avec au moins un motif a illusion d'optique |
EP3750716B1 (en) | 2016-06-30 | 2022-02-09 | Toppan Printing Co., Ltd. | Display body and article provided with display body |
CN105974731B (zh) * | 2016-07-25 | 2020-01-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压印板、检测方法及检测装置 |
CA3078896A1 (en) | 2017-11-06 | 2019-05-09 | Magic Leap, Inc. | Method and system for tunable gradient patterning using a shadow mask |
US10475656B2 (en) * | 2017-12-19 | 2019-11-12 | Micron Technology, Inc. | Hydrosilylation in semiconductor processing |
AT520942B1 (de) * | 2018-03-15 | 2019-09-15 | Werner Faerber | Verfahren zur Herstellung einer Lichtlenkfolie und damit hergestellte Folie |
US11397272B2 (en) | 2018-12-11 | 2022-07-26 | Exxonmobil Upstream Research Company | Data augmentation for seismic interpretation systems and methods |
CA3122685C (en) | 2018-12-11 | 2024-01-09 | Exxonmobil Upstream Research Company | Automated seismic interpretation systems and methods for continual learning and inference of geological features |
CA3122686C (en) | 2018-12-11 | 2023-10-24 | Exxonmobil Upstream Research Company | Automated reservoir modeling using deep generative networks |
US10690821B1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of producing slanted gratings |
CN112128710A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 宜兰汽车配件制造(平湖)有限公司 | 使用于汽车投影灯的彩色图案成像透光片的制造方法 |
GB2589685B (en) * | 2019-08-21 | 2023-01-18 | Snap Inc | Manufacture of surface relief structures |
FR3105088B1 (fr) * | 2019-12-20 | 2021-12-24 | Oberthur Fiduciaire Sas | Structure optique à effet de relief |
EP3888929B1 (en) | 2020-03-31 | 2022-05-11 | NWM Research Spolka z ograniczona Odpowiedzialnoscia Spolka komandytowa | A method of manufacturing a discretized optical security microstructure on a substrate and a shim for use in the method |
CN115552296A (zh) * | 2020-05-08 | 2022-12-30 | 尼尔技术有限公司 | 多级结构及其制造方法 |
US20230400608A1 (en) * | 2020-10-27 | 2023-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Multi-level optical diffuser with high near infrared clarity |
EP4283022A1 (en) * | 2021-01-21 | 2023-11-29 | FUJIFILM Corporation | Master mold, and method for producing metal molded article |
TW202247990A (zh) | 2021-05-12 | 2022-12-16 | 瑞士商羅立克科技股份公司 | 用於創造表面微結構的方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5084351A (en) | 1979-12-28 | 1992-01-28 | Flex Products, Inc. | Optically variable multilayer thin film interference stack on flexible insoluble web |
JPH10198259A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
WO2001029148A1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-04-26 | Rolic Ag | Topologically structured polymer coating |
JP3582713B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2004-10-27 | 日本ビクター株式会社 | 証明用シール |
EP1363143A1 (en) | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Rolic AG | Bright and white optical diffusing film |
US6849558B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
JP3702445B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2005-10-05 | 学校法人慶應義塾 | 光学素子及びその光学素子を用いた装置 |
EP1400838A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | Rolic AG | Thin films with corrugated surface topologies and method to produce them |
JP2004177805A (ja) | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Alps Electric Co Ltd | 反射体及び反射体の製造方法並びに液晶表示装置 |
WO2005019503A2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-03-03 | Nanoopto Corporation | Sub-micron-scale patterning method and system |
WO2006007742A1 (en) | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Rolic Ag | Anisotropic optical devices and method for making same |
KR100676073B1 (ko) * | 2004-12-07 | 2007-01-30 | 태산엘시디 주식회사 | 도광판 제조용 스탬퍼의 제작방법 |
JP4479491B2 (ja) | 2004-12-10 | 2010-06-09 | 住友電気工業株式会社 | 回折格子形成方法 |
EP1855127A1 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Rolic AG | Optically effective surface relief microstructures and method of making them |
US8318253B2 (en) * | 2006-06-30 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
ES2494293T3 (es) * | 2006-09-13 | 2014-09-15 | Rolic Ag | Retardador fotoalineado por volumen |
CN101016634B (zh) * | 2006-12-30 | 2010-12-15 | 苏州大学 | 一种具有表面浮雕微结构金属滚筒的制作方法 |
-
2010
- 2010-02-15 RU RU2011138073/28A patent/RU2540092C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-02-15 UA UAA201111018A patent/UA106486C2/ru unknown
- 2010-02-15 AU AU2010214906A patent/AU2010214906B2/en active Active
- 2010-02-15 CA CA2751668A patent/CA2751668A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-15 BR BRPI1008453A patent/BRPI1008453A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-02-15 WO PCT/EP2010/000909 patent/WO2010094441A1/en active Application Filing
- 2010-02-15 CN CN201080008146.0A patent/CN102326102B/zh active Active
- 2010-02-15 US US13/148,849 patent/US9618839B2/en active Active
- 2010-02-15 MX MX2011007955A patent/MX2011007955A/es active IP Right Grant
- 2010-02-15 JP JP2011550460A patent/JP2012517919A/ja active Pending
- 2010-02-15 EP EP10705286.2A patent/EP2399151B1/en active Active
-
2011
- 2011-09-15 ZA ZA2011/06743A patent/ZA201106743B/en unknown
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014266440A patent/JP6322568B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-01 JP JP2016234138A patent/JP2017072847A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2751668A1 (en) | 2010-08-26 |
EP2399151B1 (en) | 2019-11-27 |
CN102326102A (zh) | 2012-01-18 |
AU2010214906B2 (en) | 2014-12-04 |
CN102326102B (zh) | 2015-09-23 |
UA106486C2 (ru) | 2014-09-10 |
BRPI1008453A2 (pt) | 2016-02-23 |
WO2010094441A1 (en) | 2010-08-26 |
RU2540092C2 (ru) | 2015-01-27 |
JP2017072847A (ja) | 2017-04-13 |
JP6322568B2 (ja) | 2018-05-09 |
EP2399151A1 (en) | 2011-12-28 |
JP2012517919A (ja) | 2012-08-09 |
JP2015092268A (ja) | 2015-05-14 |
US9618839B2 (en) | 2017-04-11 |
US20120027998A1 (en) | 2012-02-02 |
ZA201106743B (en) | 2012-06-27 |
AU2010214906A1 (en) | 2011-08-18 |
MX2011007955A (es) | 2011-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2011138073A (ru) | Рельефные микроструктуры поверхности, соответствующие устройства и способ их изготовления | |
CN101692151B (zh) | 一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法 | |
CN103402908A (zh) | 在大面积上生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的方法 | |
TWI750446B (zh) | 覆板及其使用方法 | |
WO2011111697A1 (ja) | 陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および反射防止膜の製造方法 | |
TW201140650A (en) | Pattern formation method | |
TWI665078B (zh) | 製造圖案化印模以圖案化輪廓表面之方法、供在壓印微影製程中使用之圖案化印模、壓印微影方法、包括圖案化輪廓表面之物件及圖案化印模用於壓印微影之用法 | |
KR101022506B1 (ko) | 쉐도우 증착과 나노전사 프린팅을 이용한 나노임프린트 리소그래피의 패턴전사 방법 | |
KR20100006748A (ko) | 플라즈마 에칭을 이용한 마이크로-나노 패턴의 제작 방법 | |
Chuo et al. | Rapid fabrication of nano-structured quartz stamps | |
JP2009515350A (ja) | リソグラフィマスクなどの形状体を搭載する支持体を形成する方法 | |
KR101548849B1 (ko) | 몰드의 제조 방법 | |
WO2017032758A1 (en) | Seamless roll-to-roll nano-imprinting | |
JP2009235434A (ja) | 微細構造体製造方法 | |
JP5272791B2 (ja) | ナノインプリント用モールドの製造方法 | |
JP2013193454A (ja) | マスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法並びにそれらに使用される表面加工方法 | |
WO2007129355A1 (en) | Device and method for obtaining a substrate structured on micrometric or nanometric scale | |
KR100897931B1 (ko) | 나노스탬프 제조방법 | |
KR101103484B1 (ko) | 롤 스탬프의 제조방법 | |
JP2010100941A (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナからなる鋳型及びその製造方法 | |
CN102866579A (zh) | 基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法 | |
Sun et al. | Direct tailoring the Si substrate for antireflection via random nanohole nanoimprint | |
Chen et al. | Nanofabrication of SiC templates for direct hot embossing for metallic photonic structures and meta materials | |
TWI230975B (en) | Reversal imprint technique | |
KR20090065899A (ko) | 미세 회로가 형성된 필름 기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200216 |