RU2011137425A - Устройство для плазменной обработки больших площадей - Google Patents

Устройство для плазменной обработки больших площадей Download PDF

Info

Publication number
RU2011137425A
RU2011137425A RU2011137425/07A RU2011137425A RU2011137425A RU 2011137425 A RU2011137425 A RU 2011137425A RU 2011137425/07 A RU2011137425/07 A RU 2011137425/07A RU 2011137425 A RU2011137425 A RU 2011137425A RU 2011137425 A RU2011137425 A RU 2011137425A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
antenna
circuit
resonant
sections
interconnected
Prior art date
Application number
RU2011137425/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2507628C2 (ru
Inventor
Филипп ГИТТЬЕНН
Original Assignee
ЭЛИССЕН Сарл
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ЭЛИССЕН Сарл filed Critical ЭЛИССЕН Сарл
Publication of RU2011137425A publication Critical patent/RU2011137425A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2507628C2 publication Critical patent/RU2507628C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247—Resonators
    • H01J37/32256—Tuning means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Устройство (50) для плазменной обработки, содержащее:a. по меньшей мере, одну плоскую антенну (A),b. по меньшей мере, один высокочастотный генератор (20), возбуждающий антенну (A),c. систему (55) нагнетания газа и диффузор,d. рабочую камеру (51) вблизи с антенной (A),e. при этом плоская антенна (A) содержит множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (М1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (М1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1, 2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6) так, что вышеупомянутая антенна (A) имеет множество резонансных частот,f. и генератор (20) радиочастотных сигналов возбуждает антенну (A), по меньшей мере, на одной из ее резонансных частот.2. Устройство по п.1, в котором электропроводные участки (1, 2) цепи параллельны друг другу.3. Устройство по п.2, в котором элементарные резонансные замкнутые контуры (М1, M2, M3) имеют два параллельных более длинных электропроводных участка цепи (1, 2), концы которых взаимосвязаны посредством поперечных более коротких соединительных элементов (3, 4).4. Устройство по п.3, в котором поперечные более короткие соединительные элементы (3, 4) содержат противостоящие конденсаторы (5, 6).5. Устройство по п.3 или 4, в котором параллельные более длинные электропроводные участки (1, 2) цепи содержат противостоящие конденсаторы (5, 6), каждый из которых последовательно подключен между отрезками (1a, 1b; 2a, 2b) соответствующего электропроводного участка (1, 2) цепи.6. Устройство по любому из пп.2-4, в котором элементарные резонансные замкнутые контуры (М1, M2, M3) взаимосвязаны посредством общих участков (2) цепи для формирования резонансной антенны (A) лестничного типа

Claims (14)

1. Устройство (50) для плазменной обработки, содержащее:
a. по меньшей мере, одну плоскую антенну (A),
b. по меньшей мере, один высокочастотный генератор (20), возбуждающий антенну (A),
c. систему (55) нагнетания газа и диффузор,
d. рабочую камеру (51) вблизи с антенной (A),
e. при этом плоская антенна (A) содержит множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (М1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (М1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1, 2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6) так, что вышеупомянутая антенна (A) имеет множество резонансных частот,
f. и генератор (20) радиочастотных сигналов возбуждает антенну (A), по меньшей мере, на одной из ее резонансных частот.
2. Устройство по п.1, в котором электропроводные участки (1, 2) цепи параллельны друг другу.
3. Устройство по п.2, в котором элементарные резонансные замкнутые контуры (М1, M2, M3) имеют два параллельных более длинных электропроводных участка цепи (1, 2), концы которых взаимосвязаны посредством поперечных более коротких соединительных элементов (3, 4).
4. Устройство по п.3, в котором поперечные более короткие соединительные элементы (3, 4) содержат противостоящие конденсаторы (5, 6).
5. Устройство по п.3 или 4, в котором параллельные более длинные электропроводные участки (1, 2) цепи содержат противостоящие конденсаторы (5, 6), каждый из которых последовательно подключен между отрезками (1a, 1b; 2a, 2b) соответствующего электропроводного участка (1, 2) цепи.
6. Устройство по любому из пп.2-4, в котором элементарные резонансные замкнутые контуры (М1, M2, M3) взаимосвязаны посредством общих участков (2) цепи для формирования резонансной антенны (A) лестничного типа.
7. Устройство (50) по любому из пп.1-4, дополнительно содержащее электропроводную пластину (S), параллельную антенне (A), и средство для настройки относительного положения (P) пластины (5) так, что могут быть настроены резонансные частоты антенны (A).
8. Устройство (50) по любому из пп.1-4, дополнительно содержащее средство (10) для генерирования магнитного поля рядом с антенной.
9. Устройство по п.8, в котором средство (10) для генерирования магнитного поля содержит набор постоянных магнитов (10a, 10b).
10. Устройство (50) по п.8, дополнительно содержащее средство (60, 61, 62, 63, 64) для ввода постоянного тока в антенну (A), наложенного на высокочастотный ток, так, что постоянный ток генерирует магнитное поле рядом с антенной (A).
11. Устройство (50) по любому из пп.1-4, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну дополнительную антенну.
12. Устройство (50) по любому из пп.1-4, в котором антенна (A) размещена внутри рабочей камеры (51).
13. Устройство (50) по любому из пп.1-4, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну согласующую схему (40).
14. Устройство (50) по любому из пп.1-4, в котором высокочастотный генератор (20) питает антенну (A), по меньшей мере, двумя сдвинутыми по фазе мощными радиочастотными (RF) сигналами через две различные точки (38, 39) ввода, что приводит в результате к сдвигу (30) во времени распределения тока в участках (1, 100) цепи антенны (A).
RU2011137425/07A 2009-02-10 2009-02-10 Устройство для плазменной обработки больших площадей RU2507628C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/IB2009/050549 WO2010092433A1 (en) 2009-02-10 2009-02-10 Apparatus for large area plasma processing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011137425A true RU2011137425A (ru) 2013-03-20
RU2507628C2 RU2507628C2 (ru) 2014-02-20

Family

ID=41040791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011137425/07A RU2507628C2 (ru) 2009-02-10 2009-02-10 Устройство для плазменной обработки больших площадей

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10242843B2 (ru)
EP (1) EP2396804B1 (ru)
JP (1) JP5506826B2 (ru)
CN (1) CN102318034B (ru)
BR (1) BRPI0924314B1 (ru)
CA (1) CA2752183C (ru)
ES (1) ES2475265T3 (ru)
PL (1) PL2396804T3 (ru)
RU (1) RU2507628C2 (ru)
WO (1) WO2010092433A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US10861679B2 (en) * 2014-09-08 2020-12-08 Tokyo Electron Limited Resonant structure for a plasma processing system
WO2016177740A1 (en) * 2015-05-04 2016-11-10 ECOLE POLYTECHNIQUE FéDéRALE DE LAUSANNE Method and device for determining plasma characteristics
WO2017005554A1 (en) * 2015-07-03 2017-01-12 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Device for the treatment of a web substrate in a plasma enhanced process
DE102016107400B4 (de) 2015-12-23 2021-06-10 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Induktiv gekoppelte Plasmaquelle und Vakuumprozessieranlage
JP7135529B2 (ja) * 2018-07-19 2022-09-13 日新電機株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
JPH0737697A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Hitachi Ltd プラズマ発生装置
JP2641390B2 (ja) * 1994-05-12 1997-08-13 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
US5685942A (en) * 1994-12-05 1997-11-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US5589737A (en) * 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
US5643639A (en) 1994-12-22 1997-07-01 Research Triangle Institute Plasma treatment method for treatment of a large-area work surface apparatus and methods
US6209480B1 (en) * 1996-07-10 2001-04-03 Mehrdad M. Moslehi Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use
JP3646901B2 (ja) * 1996-08-26 2005-05-11 株式会社アルバック プラズマ励起用アンテナ、プラズマ処理装置
RU2124248C1 (ru) * 1996-09-20 1998-12-27 Али Гемиранович Вологиров Способ создания однородной плазмы с рабочей зоной большой площади на основе разряда в вч-свч диапазонах и устройство для его осуществления (варианты)
JPH11195499A (ja) * 1997-12-29 1999-07-21 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPH11317299A (ja) * 1998-02-17 1999-11-16 Toshiba Corp 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置
AU726151B2 (en) 1998-04-08 2000-11-02 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Plasma CVD apparatus
JP2961103B1 (ja) 1998-04-28 1999-10-12 三菱重工業株式会社 プラズマ化学蒸着装置
WO2000069022A1 (fr) * 1999-05-07 2000-11-16 Furuno Electric Co., Ltd. Antenne a polarisation circulaire
US6331754B1 (en) * 1999-05-13 2001-12-18 Tokyo Electron Limited Inductively-coupled-plasma-processing apparatus
KR100338057B1 (ko) * 1999-08-26 2002-05-24 황 철 주 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치
JP3377773B2 (ja) * 2000-03-24 2003-02-17 三菱重工業株式会社 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法
KR20010108968A (ko) * 2000-06-01 2001-12-08 황 철 주 플라즈마 공정장치
JP2003158078A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd シリコン半導体の形成方法
US7569154B2 (en) * 2002-03-19 2009-08-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus and computer storage medium
US6842147B2 (en) * 2002-07-22 2005-01-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing uniform processing rates
EP1480250A1 (en) 2003-05-22 2004-11-24 HELYSSEN S.à.r.l. A high density plasma reactor and RF-antenna therefor
JP2005158564A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ励起用コイル、プラズマ励起装置、及びプラズマ処理装置
US7845310B2 (en) * 2006-12-06 2010-12-07 Axcelis Technologies, Inc. Wide area radio frequency plasma apparatus for processing multiple substrates
JP5479867B2 (ja) * 2009-01-14 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2396804B1 (en) 2014-03-26
US20110308734A1 (en) 2011-12-22
RU2507628C2 (ru) 2014-02-20
US10242843B2 (en) 2019-03-26
CN102318034B (zh) 2014-07-23
JP5506826B2 (ja) 2014-05-28
WO2010092433A1 (en) 2010-08-19
CA2752183A1 (en) 2010-08-19
EP2396804A1 (en) 2011-12-21
CA2752183C (en) 2018-12-11
BRPI0924314B1 (pt) 2020-02-18
PL2396804T3 (pl) 2014-08-29
CN102318034A (zh) 2012-01-11
ES2475265T3 (es) 2014-07-10
JP2012517663A (ja) 2012-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011137425A (ru) Устройство для плазменной обработки больших площадей
CY1116854T1 (el) Μεθοδοι και συσκευες για το συντονισμο ενος επαγωγεα σε ολοκληρωμενα κυκλωματα ραδιοσυχνοτητωn
MX367476B (es) Antena para etiqueta de radiofrecuencia y metodo de fabricacion de esta, asi como una etiqueta de radiofrecuencia.
ATE543153T1 (de) Vorrichtungssysteme für funkfrequenzidentifikationen
FR2907269B1 (fr) Dispositif de generation de plasma radiofrequence.
RU2017116786A (ru) Катушка типа "птичья клетка" с распределенным возбуждением
DE602006020707D1 (de) Rfid-lesegerät mit antenne und betriebsverfahren dafür
US8373520B2 (en) Power coupler for industrial high-frequency generator
EP1555539A3 (en) NMR probe circuit for generating close frequency resonances
RU2011144352A (ru) Устройство и кабельное соединение для использования в многорезонансной системе магнитного резонанса
Liu et al. A novel multi-coil magnetically-coupled resonance array for wireless power transfer system
RU2006122990A (ru) Нелинейный пассивный маркер - параметрический рассеиватель
JP2021034908A5 (ru)
RU2610387C1 (ru) Антенна емкостная двухрезонансная для укв диапазона частот
KR20190002634A (ko) 전압 파형 형성 오실레이터
ATE504006T1 (de) Schaltungsanordnung zum verstimmen eines resonanzkreises einer mr-vorrichtung
RU2012111143A (ru) Способ получения водорода из воды и устройство для его осуществления
Shah et al. A novel approach to design an antenna aperture tuning circuit
KR100708591B1 (ko) 정재파를 이용한 클럭 분배 방법 및 그 장치
RU2012101309A (ru) Вч устройство и ускоритель с таким вч устройством
Madi et al. Effect of different varactor models on antenna tunability
JP2016518090A (ja) 高効率を有するブロードバンド電力増幅器
RU2751648C1 (ru) Быстро перестраиваемая емкостная приемо-передающая антенна коротковолнового диапазона
RU2538346C1 (ru) Высокочастотный ключевой усилитель мощности
RU73129U1 (ru) Планарная антенная система