RU2011110372A - Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния - Google Patents
Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011110372A RU2011110372A RU2011110372/02A RU2011110372A RU2011110372A RU 2011110372 A RU2011110372 A RU 2011110372A RU 2011110372/02 A RU2011110372/02 A RU 2011110372/02A RU 2011110372 A RU2011110372 A RU 2011110372A RU 2011110372 A RU2011110372 A RU 2011110372A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate according
- whiskers
- semiconductor
- substrate
- gallium nitride
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
- G01N21/658—Raman scattering enhancement Raman, e.g. surface plasmons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния, включающая полупроводниковую поверхность, содержащую нитевидные кристаллы, покрытую металлом, выбранным из группы, состоящей из серебра, золота, платины, меди и/или их сплавов, отличающаяся тем, что полупроводник является содержащим галлий нитридом, а каждый нитевидный кристалл имеет внутри линейный дефект. ! 2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что нитевидные кристаллы соединены друг с другом своими удаленными от полупроводниковой поверхности концами, образуя конические пучки. ! 3. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что линейный дефект представляет собой дислокацию или инверсионную область. ! 4. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина металлической пленки на полупроводниковой поверхности составляет от 50 нм до 150 нм, предпочтительно от 70 нм до 80 нм. ! 5. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что длина нитевидных кристаллов составляет от 0,2 мкм до 2,0 мкм, предпочтительно от 0,5 мкм до 1,5 мкм. ! 6. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что диаметр нитевидных кристаллов составляет от 40 нм до 150 нм, предпочтительно от 50 нм до 70 нм. ! 7. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что отношение длины нитевидных кристаллов к их диаметру составляет от 5 до 50, предпочтительно от 10 до 30. ! 8. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что плотность поверхности нитевидных кристаллов составляет от 108/см2 до 1010/см2. ! 9. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что металл представляет собой золото. ! 10. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что содержащий галлий нитрид представляет собой нитрид галлия GaN. ! 11. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что пов
Claims (15)
1. Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния, включающая полупроводниковую поверхность, содержащую нитевидные кристаллы, покрытую металлом, выбранным из группы, состоящей из серебра, золота, платины, меди и/или их сплавов, отличающаяся тем, что полупроводник является содержащим галлий нитридом, а каждый нитевидный кристалл имеет внутри линейный дефект.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что нитевидные кристаллы соединены друг с другом своими удаленными от полупроводниковой поверхности концами, образуя конические пучки.
3. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что линейный дефект представляет собой дислокацию или инверсионную область.
4. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина металлической пленки на полупроводниковой поверхности составляет от 50 нм до 150 нм, предпочтительно от 70 нм до 80 нм.
5. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что длина нитевидных кристаллов составляет от 0,2 мкм до 2,0 мкм, предпочтительно от 0,5 мкм до 1,5 мкм.
6. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что диаметр нитевидных кристаллов составляет от 40 нм до 150 нм, предпочтительно от 50 нм до 70 нм.
7. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что отношение длины нитевидных кристаллов к их диаметру составляет от 5 до 50, предпочтительно от 10 до 30.
8. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что плотность поверхности нитевидных кристаллов составляет от 108/см2 до 1010/см2.
9. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что металл представляет собой золото.
10. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что содержащий галлий нитрид представляет собой нитрид галлия GaN.
11. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что поверхность полупроводника нитрида галлия представляет собой поверхность, аналогичную кристаллографической плоскости с индексами Миллера (0001), т.е. кристаллографическую плоскость C полярности Ga.
12. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что поверхность полупроводника нитрида галлия представляет собой поверхность, аналогичную кристаллографической плоскости с индексами Миллера (000-1), т.е. кристаллографическую плоскость C полярности N.
13. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что для молекул, адсорбированных на ее поверхности, коэффициент усиления EF выше 104, предпочтительно выше 106.
14. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что воспроизводимость спектров комбинационного рассеяния, записанных в различных точках одной и той же подложки, составляет не менее 80%.
15. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что воспроизводимость спектров комбинационного рассеяния, записанных на различных подложках, составляет не менее 75%.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PLP-390798 | 2010-03-23 | ||
| PL390798A PL219706B1 (pl) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | Platforma do pomiarów powierzchniowo wzmocnionego efektu Ramana |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011110372A true RU2011110372A (ru) | 2012-10-27 |
| RU2574176C2 RU2574176C2 (ru) | 2016-02-10 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2369327A3 (en) | 2011-12-21 |
| CN102213677A (zh) | 2011-10-12 |
| UA109104C2 (ru) | 2015-07-27 |
| US20110235031A1 (en) | 2011-09-29 |
| EP2369327B1 (en) | 2018-05-23 |
| PL219706B1 (pl) | 2015-06-30 |
| EP2369327A2 (en) | 2011-09-28 |
| KR20110106821A (ko) | 2011-09-29 |
| US8531660B2 (en) | 2013-09-10 |
| JP2011201769A (ja) | 2011-10-13 |
| PL390798A1 (pl) | 2011-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wolz et al. | Epitaxial growth of GaN nanowires with high structural perfection on a metallic TiN film | |
| Chiu et al. | Nanostructured EGFET pH sensors with surface-passivated ZnO thin-film and nanorod array | |
| EA201890238A1 (ru) | Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках | |
| EA201890168A1 (ru) | Нанопроволока или нанопирамидки, выращенные на графитовой подложке | |
| UA109104C2 (ru) | Платформа для измерения поверхностно-усиленного эффекта рамана | |
| Kassab et al. | Evaluation of carbon thin films using Raman spectroscopy | |
| JP5449121B2 (ja) | 窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法 | |
| Dogan et al. | Formation of high-quality GaN microcrystals by pendeoepitaxial overgrowth of GaN nanowires on Si (111) by molecular beam epitaxy | |
| Hetzl et al. | Polarity control of heteroepitaxial GaN nanowires on diamond | |
| Saha et al. | Crystalline GaAs thin film growth on a c-plane sapphire substrate | |
| Gao et al. | Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties | |
| Labis et al. | Designing zinc oxide nanostructures (nanoworms, nanoflowers, nanowalls, and nanorods) by pulsed laser ablation technique for gas‐sensing application | |
| Yakimov et al. | Electrical and recombination properties of polar orthorhombic κ-Ga2O3 films prepared by halide vapor phase epitaxy | |
| Wu et al. | Control of crystal morphologies and interface structures of AlN grown on sapphire by elementary source vapor phase epitaxy | |
| JP2014241387A (ja) | 基板、基板の製造方法、及び電子装置 | |
| Cervenka et al. | Nucleation and chemical vapor deposition growth of polycrystalline diamond on aluminum nitride: role of surface termination and polarity | |
| Ryu et al. | Stress-relaxed growth of n-GaN epilayers | |
| Buzynin et al. | InN Layers Grown by MOCVD on a‐Plane Al2O3 | |
| Soopy et al. | In (Ga) n nanostructures and devices grown by molecular beam epitaxy and metal-assisted photochemical etching | |
| Raju et al. | Silver oxide (AgO) thin films for surface enhanced Raman scattering (SERS) studies | |
| Yao et al. | Void structures in regularly patterned ZnO nanorods grown with the hydrothermal method | |
| Xie et al. | Impact of Defects for AlN Single Crystal Thin Film by Metal Nitride Vapor Phase Epitaxy | |
| Moise et al. | Electrochemical deposition of ferromagnetic Ni nanoparticles in InP nanotemplates fabricated by anodic etching using environmentally friendly electrolyte | |
| Zhao et al. | Crystallization effects of nanocrystalline GaN films on field emission | |
| Sena et al. | Gallium nitride wafer slicing by a sub-nanosecond laser: effect of pulse energy and laser shot spacing |