RU2011106038A - Фотоэлектрический элемент, имеющий высокую эффективность преобразования - Google Patents

Фотоэлектрический элемент, имеющий высокую эффективность преобразования Download PDF

Info

Publication number
RU2011106038A
RU2011106038A RU2011106038/28A RU2011106038A RU2011106038A RU 2011106038 A RU2011106038 A RU 2011106038A RU 2011106038/28 A RU2011106038/28 A RU 2011106038/28A RU 2011106038 A RU2011106038 A RU 2011106038A RU 2011106038 A RU2011106038 A RU 2011106038A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transition
photovoltaic cell
accordance
emitter
base
Prior art date
Application number
RU2011106038/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2524744C2 (ru
Inventor
Габриэле ГОРИ (IT)
Габриэле ГОРИ
Роберта КАМПЕЗАТО (IT)
Роберта КАМПЕЗАТО
Original Assignee
Чези-Чентро Элеттротекнико Спериментале Италиано Джачинто Мотта С.П.А. (It)
Чези-Чентро Элеттротекнико Спериментале Италиано Джачинто Мотта С.П.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Чези-Чентро Элеттротекнико Спериментале Италиано Джачинто Мотта С.П.А. (It), Чези-Чентро Элеттротекнико Спериментале Италиано Джачинто Мотта С.П.А. filed Critical Чези-Чентро Элеттротекнико Спериментале Италиано Джачинто Мотта С.П.А. (It)
Publication of RU2011106038A publication Critical patent/RU2011106038A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2524744C2 publication Critical patent/RU2524744C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Монолитный фотоэлектрический элемент (100), содержащий, по меньшей мере, один переход (120, 124), причем упомянутый, по меньшей мере, один переход включает в себя базу (120), сформированную посредством легированного полупроводникового материала первого типа проводимости, и эмиттер (124), сформированный посредством легированного полупроводникового материала второго типа проводимости, противоположного первому, причем упомянутый эмиттер накладывают на базу в соответствии с первым направлением (х), и база, по меньшей мере, одного из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода, имеет понижающийся градиент (С(х)) концентрации легирующей примеси вдоль упомянутого первого направления, ! отличающийся тем, что ! упомянутая база содержит: ! первую часть на удалении от эмиттера, вторую часть в непосредственной близости к эмиттеру и третью часть между первой частью и второй частью, где, ! в первой части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -9·1017 см-3/мкм до -4·1017 см-3/мкм; ! во второй части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -3·1017 см-3/мкм до -9*1016 см-3/мкм; ! в третьей части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -2·1017 см-3/мкм до -5·1016 см-3/мкм. ! 2. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором ! длина базы вдоль первого направления равна первой величине (L), причем упомянутая вторая часть проходит вдоль первого направления от пер�

Claims (14)

1. Монолитный фотоэлектрический элемент (100), содержащий, по меньшей мере, один переход (120, 124), причем упомянутый, по меньшей мере, один переход включает в себя базу (120), сформированную посредством легированного полупроводникового материала первого типа проводимости, и эмиттер (124), сформированный посредством легированного полупроводникового материала второго типа проводимости, противоположного первому, причем упомянутый эмиттер накладывают на базу в соответствии с первым направлением (х), и база, по меньшей мере, одного из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода, имеет понижающийся градиент (С(х)) концентрации легирующей примеси вдоль упомянутого первого направления,
отличающийся тем, что
упомянутая база содержит:
первую часть на удалении от эмиттера, вторую часть в непосредственной близости к эмиттеру и третью часть между первой частью и второй частью, где,
в первой части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого по существу находится в пределах от -9·1017 см-3/мкм до -4·1017 см-3/мкм;
во второй части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -3·1017 см-3/мкм до -9*1016 см-3/мкм;
в третьей части упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси имеет наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -2·1017 см-3/мкм до -5·1016 см-3/мкм.
2. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором
длина базы вдоль первого направления равна первой величине (L), причем упомянутая вторая часть проходит вдоль первого направления от первого конца (0), соответствующего концу базы на удалении от эмиттера, ко второму концу (х1), причем упомянутая третья часть проходит вдоль первого направления от второго конца к третьему концу (х2), причем упомянутая вторая часть проходит вдоль первого направления от третьего конца к четвертому концу, соответствующему концу базы в непосредственной близости к эмиттеру;
второй конец располагается на первом расстоянии от первого конца, а третий конец располагается на втором расстоянии от первого конца вдоль первого расстояния;
упомянутое первое расстояние имеет значение, находящееся в пределах от одной пятой до одной третьей первой величины, а упомянутое второе расстояние имеет значение, находящееся в пределах от одной третьей первого размера до девяти десятых первой величины.
3. Фотоэлектрический элемент по п.1 или 2, в котором упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси соответствует кусочно-линейной функции.
4. Фотоэлектрический элемент по п.3, в котором упомянутая кусочно-линейная функция содержит, по меньшей мере, три линейных изменения, причем каждая часть базы соответствует, по меньшей мере, одному соответствующему линейному изменению.
5. Фотоэлектрический элемент по п.1 или 2, в котором упомянутый понижающийся градиент концентрации легирующей примеси соответствует полиномиальной функции.
6. Фотоэлектрический элемент по п.5, в котором упомянутая полиномиальная функция является полиномиальной функцией, по меньшей мере, четвертой степени.
7. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
8. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
9. Фотоэлектрический элемент по п.3, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
10. Фотоэлектрический элемент по п.4, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
11. Фотоэлектрический элемент по п.5, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
12. Фотоэлектрический элемент по п.6, в котором
по меньшей мере, один переход включает в себя первый переход, второй переход и третий переход, причем упомянутый второй переход накладывают на первый переход в соответствии с первым направлением, и упомянутый третий переход накладывают на второй переход в соответствии с первым направлением, и
упомянутый, по меньшей мере, один из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода является вторым переходом.
13. Фотоэлектрический элемент по п.8, в котором концентрация легирующей примеси на первом конце равна первому значению, содержащемуся в пределах 5·1016 см-3 и 5·1018 см-3, а концентрация легирующей примеси на четвертом конце равна второму значению, содержащемуся в пределах 5·1015 см-3 и 5·1017 см-3.
14. Способ изготовления фотоэлектрического элемента, содержащего, по меньшей мере, один переход, при этом способ содержит этапы, на которых:
создают упомянутый, по меньшей мере, один переход, формирующий базу посредством легированного полупроводникового материала первого типа проводимости и формирующий эмиттер посредством легированного полупроводникового материала второго типа проводимости, противоположного первому, причем упомянутый эмиттер накладывают на базу в соответствии с первым направлением, при этом этап, на котором формируют базу, по меньшей мере, одного из упомянутого, по меньшей мере, одного перехода, включает в себя легирование полупроводникового материала с понижающимся градиентом концентрации легирующей примеси вдоль упомянутого первого направления,
отличающийся тем, что
упомянутый этап легирования включает в себя:
легирование первой части, скомпонованной на удалении от эмиттера, с понижающимся градиентом концентрации легирующей примеси, имеющим наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -9·1017 см-3/мкм до -4·1017 см-3/мкм,
легирование второй части, скомпонованной в непосредственной близости к эмиттеру, с понижающимся градиентом концентрации легирующей примеси, имеющим наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -3·1017 см-3/мкм до -9·1016 см-3/мкм, и
легирование третьей части, скомпонованной между первой частью и второй частью, с понижающимся градиентом концентрации легирующей примеси, имеющим наклон, среднее значение которого, по существу, находится в пределах от -2·1017 см-3/мкм до -5·1016 см-3/мкм.
RU2011106038/28A 2009-07-21 2010-07-20 Фотоэлектрический элемент, имеющий высокую эффективность преобразования RU2524744C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI2009A001285A IT1394853B1 (it) 2009-07-21 2009-07-21 Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione
ITMI2009A001285 2009-07-21
PCT/EP2010/060477 WO2011009857A1 (en) 2009-07-21 2010-07-20 Photovoltaic cell having a high conversion efficiency

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011106038A true RU2011106038A (ru) 2012-08-27
RU2524744C2 RU2524744C2 (ru) 2014-08-10

Family

ID=41549911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011106038/28A RU2524744C2 (ru) 2009-07-21 2010-07-20 Фотоэлектрический элемент, имеющий высокую эффективность преобразования

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9240514B2 (ru)
EP (1) EP2457262B1 (ru)
JP (1) JP5579847B2 (ru)
CN (1) CN102144304B (ru)
ES (1) ES2421940T3 (ru)
IT (1) IT1394853B1 (ru)
RU (1) RU2524744C2 (ru)
WO (1) WO2011009857A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544869C1 (ru) * 2013-11-13 2015-03-20 Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ pin-ФОТОДИОДОВ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ВЫСОКООМНОМ p-КРЕМНИИ

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1394853B1 (it) * 2009-07-21 2012-07-20 Cesi Ct Elettrotecnico Sperimentale Italiano Giacinto Motta S P A Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione
US20150221803A1 (en) 2014-02-05 2015-08-06 Solar Junction Corporation Monolithic multijunction power converter
FR2981195A1 (fr) 2011-10-11 2013-04-12 Soitec Silicon On Insulator Multi-jonctions dans un dispositif semi-conducteur forme par differentes techniques de depot
WO2013128628A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 三洋電機株式会社 光起電力装置
US10903383B2 (en) 2012-09-14 2021-01-26 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
US9997659B2 (en) 2012-09-14 2018-06-12 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
US9099595B2 (en) 2012-09-14 2015-08-04 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
US11495705B2 (en) 2012-09-14 2022-11-08 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
US9985160B2 (en) 2012-09-14 2018-05-29 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
US11646388B2 (en) 2012-09-14 2023-05-09 The Boeing Company Group-IV solar cell structure using group-IV or III-V heterostructures
TWI602315B (zh) 2013-03-08 2017-10-11 索泰克公司 具有經組構成效能更佳之低帶隙主動層之感光元件及相關方法
ITMI20131297A1 (it) 2013-08-01 2015-02-02 Cesi Ct Elettrotecnico Sperim Entale Italian Cella fotovoltaica con banda proibita variabile
TWI575765B (zh) * 2014-05-19 2017-03-21 The anti - reflection spectrum of the multi - faceted solar cell increases the structure
CN106252463B (zh) * 2016-09-05 2018-01-19 上海空间电源研究所 一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法
WO2019010037A1 (en) 2017-07-06 2019-01-10 Solar Junction Corporation HYBRID MOCVD / MBE EPITAXIAL GROWTH OF MULTI-JUNCTION SOLAR CELLS ADAPTED TO THE HIGH-PERFORMANCE NETWORK
WO2019067553A1 (en) 2017-09-27 2019-04-04 Solar Junction Corporation SHORT-LENGTH WAVELENGTH INFRARED OPTOELECTRONIC DEVICES HAVING DILUTED NITRIDE LAYER
EP3939085A1 (en) * 2019-03-11 2022-01-19 Array Photonics, Inc. Short wavelength infrared optoelectronic devices having graded or stepped dilute nitride active regions

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2244365C1 (ru) * 2003-12-09 2005-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Альфа" Фотоприемное устройство
US20090078310A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Heterojunction Subcells In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20090155952A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Emcore Corporation Exponentially Doped Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
IT1394853B1 (it) * 2009-07-21 2012-07-20 Cesi Ct Elettrotecnico Sperimentale Italiano Giacinto Motta S P A Cella fotovoltaica ad elevata efficienza di conversione

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544869C1 (ru) * 2013-11-13 2015-03-20 Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ pin-ФОТОДИОДОВ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ВЫСОКООМНОМ p-КРЕМНИИ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2457262B1 (en) 2013-05-01
ITMI20091285A1 (it) 2011-01-22
JP2012533896A (ja) 2012-12-27
ES2421940T3 (es) 2013-09-06
IT1394853B1 (it) 2012-07-20
EP2457262A1 (en) 2012-05-30
US9240514B2 (en) 2016-01-19
US20120167967A1 (en) 2012-07-05
JP5579847B2 (ja) 2014-08-27
RU2524744C2 (ru) 2014-08-10
WO2011009857A1 (en) 2011-01-27
CN102144304B (zh) 2016-01-06
CN102144304A (zh) 2011-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011106038A (ru) Фотоэлектрический элемент, имеющий высокую эффективность преобразования
Zhu et al. Recent progress in piezo‐phototronic effect enhanced solar cells
CN103021492B (zh) 碳化硅横向pin型微型核电池的制造方法
CN107210368B (zh) 钙钛矿太阳能电池模块
EP2293341A3 (en) Solar cell
WO2010120233A3 (en) Multi-junction photovoltaic cell with nanowires
WO2011014792A3 (en) Photovoltaic cell with semiconductor fingers
JP2010080888A (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
CN102157612A (zh) 太阳能电池及其制造方法
US20150171245A1 (en) Flip-chip Solar Cell Chip and Fabrication Method Thereof
JP2010283406A (ja) 太陽電池
CN205376554U (zh) 一种硅光电二极管
CN105684156B (zh) 齐纳二极管
CN102544185A (zh) 一种光点位置检测传感器
WO2012104198A3 (de) Photovoltaische solarzelle sowie verfahren zu deren herstellung
KR102254732B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101677504B1 (ko) 선형 셀이 장착된 태양전지 모듈
CN206742245U (zh) 一种双向对称的tvs二极管
SE9701724D0 (sv) A pn-diode of SiC and a method for production thereof
WO2011098069A3 (de) Rückseitenkontaktierte solarzelle mit unstrukturierter absorberschicht
CN202434554U (zh) 一种光点位置检测传感器
CN103035310B (zh) 碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法
CN203406311U (zh) 一种硅光电二极管
KR101418687B1 (ko) 태양전지
KR101566369B1 (ko) 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 태양전지