CN203406311U - 一种硅光电二极管 - Google Patents
一种硅光电二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203406311U CN203406311U CN201320511500.2U CN201320511500U CN203406311U CN 203406311 U CN203406311 U CN 203406311U CN 201320511500 U CN201320511500 U CN 201320511500U CN 203406311 U CN203406311 U CN 203406311U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type silicon
- doped
- silicon layer
- type
- highly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。本实用新型的反向击穿电压高于30V，暗电流小于5nA。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅光电二极管。
背景技术
光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，光电二极管在反向电压作用下工作，在光照时产生光电流。当无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小，称为暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为亮电流。光的强度越大，反向电流也越大。
影响反向击穿电压的因素有杂质浓度、半导体薄层厚度，反向击穿电压还与PN结点形状、表面状况及材料结构等诸多因素有关。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种反向击穿电压高于30V，暗电流小于5nA的硅光电二极管。
实现本实用新型的技术方案是：一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片上设有高掺杂的P型（P+）硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型（P+）硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片的外周设有高掺杂的N型（N+）硅环，高掺杂的N型（N+）硅环和高掺杂的P型（P+）硅层之间隔着低掺杂的N型（N-）硅层，所述高掺杂的P型（P+）硅层厚度为200±5μm ，P型（P+）硅层上表面设有氮化硅膜，在P型（P+）硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,
N型（N-）硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。
作为本实用新型的进一步改进，所述金属AL的厚度为1.8-2.2㎛，所述金属Au膜的厚度为0.1㎛，优化硅光电二极管芯片的接触性能。
作为本实用新型的进一步改进，所述N型（N+）硅环和
P型（P+）硅层之间的N型（N-）硅层四角为圆角，减小暗电流。
本实用新型采用低掺杂高电阻率的长方体N型（N-）硅晶片作为基片，提高反向击穿电压。采用高掺杂的N型（N+）保护环，减小暗电流。
附图说明
图1是本实用新型实施例1硅光电二极管正面结构示意图；
图2是本实用新型实施例1硅光电二极管侧面剖视图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图做进一步说明。
实施例1
如图1和图2所示，一种硅光电二极管10，在电阻率为1200-4000Ω·cm，厚度为275-285μm，长宽为0.68mm×0.68mm的低掺杂N型正方形晶片1上，设有厚度为200±5μm的圆角正方体的高掺杂的P型（P+）硅层2，低掺杂N型长方形晶片1的周边还设有厚度为200±5μm的高掺杂的N型（N+）硅环3，高掺杂的N型（N+）硅环和高掺杂P型（P+）硅层之间隔着N型（N-）硅层4。
硅晶片上表面设有氮化硅硅膜5。P型（P+）硅层上表面中心部位的氮化硅膜上的开有圆形接触孔6，接触孔内贴附有金属AL膜作为阳极7,
金属AL膜厚度为1.8-2.2㎛，N型（N-）硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极8，金属Au膜厚度为0.1μm。
本实施例的硅光电二极管反向击穿电压高于30V，暗电流小于5nA
Claims (2)
1.一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，其特征是，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm ，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。
2.根据权利要求1所述的硅光电二极管，其特征是，所述金属AL的厚度为2㎛，所述金属Au膜的厚度为0.1㎛。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320511500.2U CN203406311U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种硅光电二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320511500.2U CN203406311U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种硅光电二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203406311U true CN203406311U (zh) | 2014-01-22 |
Family
ID=49942232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320511500.2U Expired - Fee Related CN203406311U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种硅光电二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203406311U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112071923A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 摄像系统、光探测器及光电二极管 |
-
2013
- 2013-08-20 CN CN201320511500.2U patent/CN203406311U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112071923A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 摄像系统、光探测器及光电二极管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6771131B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族半導体ダイオード | |
| JP2012054570A5 (zh) | ||
| EP2383791A3 (en) | Solar cell | |
| EP2495777A3 (en) | Electrical energy generator | |
| JP2013080946A5 (zh) | ||
| EP2390920A3 (en) | Monolithically integrated solar modules and methods of manufacture | |
| EP2680313A3 (en) | Solar cell | |
| EP3333904A1 (en) | Multijunction solar cell having patterned emitter and method of making the solar cell | |
| WO2014172164A3 (en) | Method of fabricating a merged p-n junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer | |
| TW200812110A (en) | Vertical nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| EP2731146A3 (en) | Photoelectric device and the manufacturing method thereof | |
| CN205376554U (zh) | 一种硅光电二极管 | |
| CN203406311U (zh) | 一种硅光电二极管 | |
| KR101113692B1 (ko) | 태양전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 태양전지 | |
| EP2442368A3 (en) | Semiconductor substrate for solar cell and solar cell | |
| CN203406310U (zh) | 硅光电二极管 | |
| CN208157435U (zh) | 电子书触控板传感器用光电二极管 | |
| CN204538049U (zh) | 微型硅光电二极管 | |
| EP2618386A8 (en) | Bifacial solar cell | |
| CN205376553U (zh) | 一种微型硅光电二极管 | |
| WO2016056916A4 (en) | Self aligned low temperature process for solar cells | |
| CN204029872U (zh) | 一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管 | |
| KR101566369B1 (ko) | 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 | |
| CN211507661U (zh) | 双结深光电二极管 | |
| RU2013113078A (ru) | Фотовольтаическая структура |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140122 Termination date: 20160820 |