RU2010146687A - Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме - Google Patents
Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010146687A RU2010146687A RU2010146687/05A RU2010146687A RU2010146687A RU 2010146687 A RU2010146687 A RU 2010146687A RU 2010146687/05 A RU2010146687/05 A RU 2010146687/05A RU 2010146687 A RU2010146687 A RU 2010146687A RU 2010146687 A RU2010146687 A RU 2010146687A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- melt
- plasma
- vacuum
- purification
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме, заключающийся в разогреве в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработке расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ и пары воды, отличающийся тем, что разогрев и плавление неочищенного кремния производят в вакууме с помощью графитового нагревателя, при этом кремний помещают в кварцевый тигель цилиндрической формы, расплав кремния обрабатывают плазмой увлажненного аргона, при этом применяют систему из трех струйных двухрежимных плазмотронов с изолированными от корпуса анодами и системой подачи воды в канал анода, что позволяет повысить тепловую эффективность, увеличить вероятность окислительно-восстановительных реакций, слиток поликристаллического кремния формируют путем медленного охлаждения расплава в кварцевом тигле, что позволяет более эффективно обрабатывать расплав кремния окислительно-восстановительной плазмой с большей концентрацией паров воды и величиной тепловой мощности выделяющейся на поверхности кремния в вакууме и реализовать дополнительную очистку с помощью направленной кристаллизации.
Claims (1)
- Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме, заключающийся в разогреве в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработке расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ и пары воды, отличающийся тем, что разогрев и плавление неочищенного кремния производят в вакууме с помощью графитового нагревателя, при этом кремний помещают в кварцевый тигель цилиндрической формы, расплав кремния обрабатывают плазмой увлажненного аргона, при этом применяют систему из трех струйных двухрежимных плазмотронов с изолированными от корпуса анодами и системой подачи воды в канал анода, что позволяет повысить тепловую эффективность, увеличить вероятность окислительно-восстановительных реакций, слиток поликристаллического кремния формируют путем медленного охлаждения расплава в кварцевом тигле, что позволяет более эффективно обрабатывать расплав кремния окислительно-восстановительной плазмой с большей концентрацией паров воды и величиной тепловой мощности выделяющейся на поверхности кремния в вакууме и реализовать дополнительную очистку с помощью направленной кристаллизации.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010146687/05A RU2465202C2 (ru) | 2010-11-17 | 2010-11-17 | Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010146687/05A RU2465202C2 (ru) | 2010-11-17 | 2010-11-17 | Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010146687A true RU2010146687A (ru) | 2012-05-27 |
| RU2465202C2 RU2465202C2 (ru) | 2012-10-27 |
Family
ID=46231258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010146687/05A RU2465202C2 (ru) | 2010-11-17 | 2010-11-17 | Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2465202C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105819451A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-08-03 | 大连理工大学 | 一种直流电场诱导合金定向凝固生长、强化合金精炼过程的工艺 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2648615C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-03-26 | Сергей Михайлович Карабанов | Способ плазмохимического рафинирования металлов в вакууме и плазмотрон для его осуществления |
| RU2693172C1 (ru) * | 2018-10-09 | 2019-07-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" ФГБОУ ВО "РГРТУ" | Способ очистки металлургического кремния от примесей |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2159213C2 (ru) * | 1999-02-25 | 2000-11-20 | Абдюханов Мансур Абдрахманович | Способ очистки кремния и устройство для его осуществления |
| US6994835B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-02-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon continuous casting method |
-
2010
- 2010-11-17 RU RU2010146687/05A patent/RU2465202C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105819451A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-08-03 | 大连理工大学 | 一种直流电场诱导合金定向凝固生长、强化合金精炼过程的工艺 |
| CN105819451B (zh) * | 2016-03-08 | 2018-01-09 | 大连理工大学 | 一种直流电场诱导合金定向凝固生长、强化合金精炼过程的工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2465202C2 (ru) | 2012-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| De Sousa et al. | Use of a thermal plasma process to recycle silicon kerf loss to solar-grade silicon feedstock | |
| WO2012100485A1 (zh) | 一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 | |
| MX2009012750A (es) | Instalacion de tratamiento al vacio y metodo de tratamiento al vacio. | |
| TW201130039A (en) | Arrangements for manipulating plasma confinement within a plasma processing system and methods thereof | |
| JP2013519619A5 (ru) | ||
| RU2010146687A (ru) | Способ очистки металлургического кремния увлажненной плазмой переменного тока в вакууме | |
| CN101698481B (zh) | 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法 | |
| ES2547923T3 (es) | Procedimiento para el funcionamiento de un horno de arco | |
| CN101850975A (zh) | 一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法 | |
| JP2011251853A (ja) | 珪素の精製方法 | |
| CN104310405A (zh) | 一种微波等离子体辅助的多晶硅提纯方法 | |
| JP2010100508A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| CN101775650A (zh) | 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法及装置 | |
| Karabanov et al. | Mathematical modeling and experimental research of the method of plasma chemical purification of metallurgical-grade silicon | |
| WO2010065469A3 (en) | Purification of materials non-electrically conductive in the solid state and electrically conductive in the molten state with electric induction power | |
| JP2014084501A (ja) | マグネシウム蒸気凝縮装置 | |
| WO2012163531A1 (en) | Device for refining of silicon by directional solidification in an oxygen-containing atmosphere as well as a refining method of silicon | |
| JPH07267624A (ja) | シリコンの精製方法及びその装置 | |
| JP2009292687A (ja) | シリコンの精製方法及び精製装置 | |
| JP2019059971A (ja) | 溶融塩電解槽の乾燥方法 | |
| CN202587573U (zh) | 一种高频感应等离子发生器 | |
| RU2472875C1 (ru) | Способ выращивания монокристалла кремния из расплава | |
| CN102452651A (zh) | 一种湿氩等离子体去除硅中硼杂质的工艺 | |
| JPH09309716A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JP5942899B2 (ja) | シリコンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121118 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20150910 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161118 |