RU2009137422A - Комбинированная подложка для светодиодов - Google Patents
Комбинированная подложка для светодиодов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009137422A RU2009137422A RU2009137422/28A RU2009137422A RU2009137422A RU 2009137422 A RU2009137422 A RU 2009137422A RU 2009137422/28 A RU2009137422/28 A RU 2009137422/28A RU 2009137422 A RU2009137422 A RU 2009137422A RU 2009137422 A RU2009137422 A RU 2009137422A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- carbon
- textured surface
- led
- free material
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
1. Комбинированная подложка для светодиодов, включающая сапфировое основание с текстурированной поверхностью, на которой расположен, по крайней мере, один эпитаксиальный слой, выполненный из, по крайней мере, одного металла третьей группы, отличающаяся тем, что эпитаксиальный слой выполнен из безуглеродного материала и прилегает непосредственно к текстурированной поверхности сапфирового основания, при этом толщина слоя, выполненного из безуглеродного материала, составляет не менее 100 мкм. ! 2. Комбинированная подложка по п.1, отличающаяся тем, что эпитаксиальный слой выполнен из нитрида галлия.
Claims (2)
1. Комбинированная подложка для светодиодов, включающая сапфировое основание с текстурированной поверхностью, на которой расположен, по крайней мере, один эпитаксиальный слой, выполненный из, по крайней мере, одного металла третьей группы, отличающаяся тем, что эпитаксиальный слой выполнен из безуглеродного материала и прилегает непосредственно к текстурированной поверхности сапфирового основания, при этом толщина слоя, выполненного из безуглеродного материала, составляет не менее 100 мкм.
2. Комбинированная подложка по п.1, отличающаяся тем, что эпитаксиальный слой выполнен из нитрида галлия.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009137422/28A RU2009137422A (ru) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Комбинированная подложка для светодиодов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009137422/28A RU2009137422A (ru) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Комбинированная подложка для светодиодов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009137422A true RU2009137422A (ru) | 2011-04-10 |
Family
ID=44051949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009137422/28A RU2009137422A (ru) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | Комбинированная подложка для светодиодов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2009137422A (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2702948C1 (ru) * | 2017-05-26 | 2019-10-14 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Основание, нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовое излучение элемент и способ производства основания |
-
2009
- 2009-09-30 RU RU2009137422/28A patent/RU2009137422A/ru not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2702948C1 (ru) * | 2017-05-26 | 2019-10-14 | Соко Кагаку Ко., Лтд. | Основание, нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовое излучение элемент и способ производства основания |
| US11049999B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-06-29 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Template, nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element, and method of manufacturing template |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200733419A (en) | Light emitting diode bonded with metal diffusion and manufacturing method thereof | |
| TW200746455A (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
| TW200627675A (en) | Growth of Ⅲ-nitride light-emitting devices on textured substrates | |
| EP2882267A3 (en) | Wiring substrate, light emitting device, and manufacturing method of wiring substrate | |
| EP2295844A3 (en) | Light-emitting device and illumination device | |
| TW200739949A (en) | Gallium nitride type compound semiconductor light-emitting device and process for producing the same | |
| EP2669947A3 (en) | Sapphire substrate configured to form light emitting diode chip providing light in multi-directions, light emitting diode chip, and illumination device | |
| JP2006286910A5 (ru) | ||
| RU2009128751A (ru) | Сапфировые подложки и способы их изготовления | |
| TW200610192A (en) | Group III nitride semiconductor crystal and manufacturing method of the same, group III nitride semiconductor device and manufacturing method of the same, and light emitting device | |
| TW200644269A (en) | Light emitting diode and method of fabricating thereof | |
| TW200717863A (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device | |
| RU2014142050A (ru) | Светоизлучающее устройство, выращенное на кремниевой подложке | |
| RU2012147484A (ru) | Светоизлучающий прибор и способ его изготовления | |
| TW200623464A (en) | High efficiency group III nitride led with lenticular surface | |
| SG144121A1 (en) | Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof | |
| ATE535027T1 (de) | Lichtemittierende iii-nitrid-vorrichtung mit spannungsreduzierter lichtemittierender schicht | |
| GB2483388A (en) | Light emitting diodes | |
| EP2530746A3 (en) | Growth substrate and light emitting device | |
| TW200729543A (en) | Light emitting device and method of forming the same | |
| WO2009001596A1 (ja) | 発光素子及び照明装置 | |
| WO2011071922A3 (en) | Epitaxial formation support structures and associated methods | |
| CN106374020B (zh) | 一种薄膜芯片的制作方法及其薄膜芯片 | |
| WO2011065723A3 (ko) | 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TW200705721A (en) | Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20121001 |