RU2009127486A - Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты) - Google Patents

Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2009127486A
RU2009127486A RU2009127486/28A RU2009127486A RU2009127486A RU 2009127486 A RU2009127486 A RU 2009127486A RU 2009127486/28 A RU2009127486/28 A RU 2009127486/28A RU 2009127486 A RU2009127486 A RU 2009127486A RU 2009127486 A RU2009127486 A RU 2009127486A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical
laser radiation
heterostructure
diode source
amplifier
Prior art date
Application number
RU2009127486/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2419934C2 (ru
Inventor
Василий Иванович Швейкин (RU)
Василий Иванович Швейкин
Виктор Арчилович Геловани (RU)
Виктор Арчилович Геловани
Алексей Николаевич Сонк (RU)
Алексей Николаевич Сонк
Original Assignee
Василий Иванович Швейкин (RU)
Василий Иванович Швейкин
Виктор Арчилович Геловани (RU)
Виктор Арчилович Геловани
Алексей Николаевич Сонк (RU)
Алексей Николаевич Сонк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to RU2009127486/28A priority Critical patent/RU2419934C2/ru
Application filed by Василий Иванович Швейкин (RU), Василий Иванович Швейкин, Виктор Арчилович Геловани (RU), Виктор Арчилович Геловани, Алексей Николаевич Сонк (RU), Алексей Николаевич Сонк filed Critical Василий Иванович Швейкин (RU)
Priority to EP10800095A priority patent/EP2466704A1/en
Priority to KR1020127000776A priority patent/KR20120034099A/ko
Priority to JP2012520561A priority patent/JP2012533878A/ja
Priority to CA2768469A priority patent/CA2768469A1/en
Priority to CN201080032186.9A priority patent/CN102474074B/zh
Priority to SG2012000279A priority patent/SG177488A1/en
Priority to US13/384,531 priority patent/US8401046B2/en
Priority to PCT/RU2010/000377 priority patent/WO2011008127A1/ru
Publication of RU2009127486A publication Critical patent/RU2009127486A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2419934C2 publication Critical patent/RU2419934C2/ru
Priority to IL217391A priority patent/IL217391A0/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085—Oblique facets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4006—Injection locking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/1007—Branched waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides

Abstract

1. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения, содержащий по крайней мере один, по крайней мере одномодовый одночастотный задающий диодный лазер, далее задающий лазер, по крайней мере один диодный оптический усилитель, далее линейный усилитель, интегрально и оптически связанный с указанным задающим лазером, по крайней мере два диодных оптических усилителя, далее перпендикулярные усилители, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем, при этом задающий лазер и указанные линейный усилитель и перпендикулярные усилители сформированы в единой гетероструктуре, на основе полупроводниковых соединений, содержащей по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем по крайней мере с одной стороны от активного слоя прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, причем упомянутая гетероструктура охарактеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно, отношение nэф к nвт из диапазона от единицы до единицы минус гамма, где гамма определяются числом много меньшим единицы, при этом упомянутый задающий лазер, включающий активную полосковую область генерации с присоединенными слоями металлизации, боковую ограничительную область излучения с присоединенным изолирующим слоем, расположенную с каждой из боковых сторон активной области генерации задающего лазера, а также омические контакты, оптические грани, отражатели, оптический резонатор, причем на обе

Claims (21)

1. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения, содержащий по крайней мере один, по крайней мере одномодовый одночастотный задающий диодный лазер, далее задающий лазер, по крайней мере один диодный оптический усилитель, далее линейный усилитель, интегрально и оптически связанный с указанным задающим лазером, по крайней мере два диодных оптических усилителя, далее перпендикулярные усилители, интегрально и оптически связанные с линейным усилителем, при этом задающий лазер и указанные линейный усилитель и перпендикулярные усилители сформированы в единой гетероструктуре, на основе полупроводниковых соединений, содержащей по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем по крайней мере с одной стороны от активного слоя прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, причем упомянутая гетероструктура охарактеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно, отношение nэф к nвт из диапазона от единицы до единицы минус гамма, где гамма определяются числом много меньшим единицы, при этом упомянутый задающий лазер, включающий активную полосковую область генерации с присоединенными слоями металлизации, боковую ограничительную область излучения с присоединенным изолирующим слоем, расположенную с каждой из боковых сторон активной области генерации задающего лазера, а также омические контакты, оптические грани, отражатели, оптический резонатор, причем на обеих оптических гранях отражатели оптического резонатора имеют коэффициенты отражения близкие к единице и расположены в заданной окрестности от расположения активного слоя гетероструктуры, каждый линейный усилитель, включающий по крайней мере активную область усиления с присоединенными слоями металлизации, расположен так, что оптическая ось распространения излучения задающего лазера совпадает с оптической осью линейного усилителя, каждый перпендикулярный усилитель, включающий по крайней мере активную область усиления с присоединенными слоями металлизации и оптическую выводную грань с оптическим антиотражающим покрытием, расположен так, что оптическая ось перпендикулярного усилителя расположена под прямым углом (по модулю) по отношению к оптической оси линейного усилителя, в окрестности пересечения оптической оси линейного усилителя с оптической осью каждого перпендикулярного усилителя имеется интегральный элемент перетекания заданной доли лазерного излучения из линейного усилителя в перпендикулярный усилитель, условно названный как поворотный элемент, включающий по крайней мере одну, перпендикулярную к плоскости слоев гетероструктуры оптическую отражающую плоскость, пересекающую активный слой и часть области втекания гетероструктуры в пределах толщины слоя втекания от 20 до 80%, и образующую с оптическими осями линейного усилителя и перпендикулярного усилителя углы наклона примерно 45° (по модулю).
2. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, отражатели оптического резонатора задающего лазера находятся на каждой оптической грани от поверхности гетероструктуры до заданной глубины в области втекания.
3. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что с обеих торцевых сторон оптического резонатора задающего лазера имеется по одному линейному усилителю.
4. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что отражателями оптического резонатора задающего лазера являются распределенные Брегговские отражатели.
5. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что в боковой ограничительной области задающего лазера имеется по крайней мере одна разделительно-ограничительная подобласть и по крайней мере одна ограничительная подобласть, при этом разделительно-ограничительная подобласть заданной ширины находится с обеих боковых сторон активной области генерации задающего лазера от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, не достигая глубины расположения активного слоя, ограничительная подобласть находится с обеих боковых сторон указанной разделительно-ограничительной подобласти от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, превышающей расположение активного слоя.
6. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что активная область усиления линейного усилителя является расширяемой по крайней мере на определенной части ее длины со стороны задающего лазера.
7. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.6, отличающийся тем, что имеется плавный переход указанной расширяемой части в полосковую часть.
8. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что у каждой боковой стороны активной области усиления линейного усилителя имеется заданной ширины разделительно-ограничительная подобласть, размещенная от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, не достигая глубины расположения активного слоя.
9. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.8, отличающийся тем, что у каждой боковой стороны разделительно-ограничительной подобласти имеется ограничительная подобласть, размещенная от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, превышающей расположение активного слоя.
10. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что активная область усиления перпендикулярного усилителя является расширяемой по крайней мере на определенной части ее длины со стороны линейного усилителя.
11. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.10, отличающийся тем, что имеется плавный переход указанной расширяемой части в полосковую часть.
12. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что у каждой боковой стороны активной области усиления перпендикулярного усилителя имеется заданной ширины разделительно-ограничительная подобласть, размещенная от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, не достигая глубины расположения активного слоя.
13. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.12, отличающийся тем, что у каждой боковой стороны разделительно-ограничительной подобласти имеется ограничительная подобласть, размещенная от поверхности гетероструктуры до заданной глубины, превышающей расположение активного слоя.
14. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что оптическая отражающая плоскость поворотного элемента, максимально удаленного от отражателя оптического резонатора задающего лазера, находится от поверхности гетероструктуры вплоть до ограничительного слоя со стороны подложки.
15. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что оптическое антиотражающее покрытие на оптических гранях вывода усиленного излучения перпендикулярного усилителя имеет коэффициент отражения близкий к нулю.
16. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что оптическая отражающая плоскость поворотного элемента имеет угол наклона +45°, соседняя с ней оптическая отражающая плоскость поворотного элемента имеет угол наклона -45°.
17. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что в единой гетероструктуре имеется по крайней мере два активных слоя, электрически соединенных между собой тонкими сильнолегированными слоями р-типа и п-типа с туннельным переходом между ними.
18 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.1, отличающийся тем, что по крайней мере каждый задающий лазер, каждый линейный усилитель и каждый перпендикулярный усилитель имеют автономные омические контакты.
19. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения в соответствии с п.1 дополнительно характеризуется тем, что вдоль активной области по крайней мере одного перпендикулярного усилителя в направлении оптической оси распространения дважды усиленного лазерного излучения, на определенном расстоянии от поворотного элемента, имеется введенный, по крайней мере один выводной элемент, включающий по крайней мере одну оптическую отражающую плоскость, поперечно пересекающую под углом наклона 45° (по модулю) плоскости ряда слоев гетероструктуры, в том числе активного слоя и частично слоя втекания, а именно, от 30 до 80% от его толщины.
20. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.19, отличающийся тем, что оптическая отражающая плоскость выводного элемента, максимально удаленного от поворотного элемента, находится от поверхности гетероструктуры вплоть до ограничительного слоя со стороны подложки.
21. Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения по п.19, отличающийся тем, что выполнен по любому из пп.2-18 формулы изобретения.
RU2009127486/28A 2009-07-17 2009-07-17 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты) RU2419934C2 (ru)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009127486/28A RU2419934C2 (ru) 2009-07-17 2009-07-17 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
KR1020127000776A KR20120034099A (ko) 2009-07-17 2010-07-07 다중빔 코히어런트 레이저 다이오드 소스(실시예)
JP2012520561A JP2012533878A (ja) 2009-07-17 2010-07-07 マルチビームコヒーレントレーザ放射のダイオード光源
CA2768469A CA2768469A1 (en) 2009-07-17 2010-07-07 Diode source of multibeam coherent laser emission
EP10800095A EP2466704A1 (en) 2009-07-17 2010-07-07 Multibeam coherent laser diode source (embodiments)
CN201080032186.9A CN102474074B (zh) 2009-07-17 2010-07-07 多束相干激光发射的二极管源
SG2012000279A SG177488A1 (en) 2009-07-17 2010-07-07 Diode source of multibeam coherent laser emission
US13/384,531 US8401046B2 (en) 2009-07-17 2010-07-07 Multibeam coherent laser diode source (embodiments)
PCT/RU2010/000377 WO2011008127A1 (ru) 2009-07-17 2010-07-07 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
IL217391A IL217391A0 (en) 2009-07-17 2012-01-05 Multibeam coherent laser diode source (embodiments)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009127486/28A RU2419934C2 (ru) 2009-07-17 2009-07-17 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009127486A true RU2009127486A (ru) 2011-01-27
RU2419934C2 RU2419934C2 (ru) 2011-05-27

Family

ID=43449568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009127486/28A RU2419934C2 (ru) 2009-07-17 2009-07-17 Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8401046B2 (ru)
EP (1) EP2466704A1 (ru)
JP (1) JP2012533878A (ru)
KR (1) KR20120034099A (ru)
CN (1) CN102474074B (ru)
CA (1) CA2768469A1 (ru)
IL (1) IL217391A0 (ru)
RU (1) RU2419934C2 (ru)
SG (1) SG177488A1 (ru)
WO (1) WO2011008127A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10203399B2 (en) 2013-11-12 2019-02-12 Big Sky Financial Corporation Methods and apparatus for array based LiDAR systems with reduced interference
US9360554B2 (en) 2014-04-11 2016-06-07 Facet Technology Corp. Methods and apparatus for object detection and identification in a multiple detector lidar array
US10036801B2 (en) 2015-03-05 2018-07-31 Big Sky Financial Corporation Methods and apparatus for increased precision and improved range in a multiple detector LiDAR array
US9866816B2 (en) 2016-03-03 2018-01-09 4D Intellectual Properties, Llc Methods and apparatus for an active pulsed 4D camera for image acquisition and analysis

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063189A (en) 1976-04-08 1977-12-13 Xerox Corporation Leaky wave diode laser
RU2134007C1 (ru) * 1998-03-12 1999-07-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" Полупроводниковый оптический усилитель
RU2142665C1 (ru) * 1998-08-10 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
JP2003078209A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Fujitsu Ltd 光半導体装置
RU2197048C1 (ru) 2002-02-18 2003-01-20 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
RU2278455C1 (ru) 2004-11-17 2006-06-20 Василий Иванович Швейкин Гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель
DE102006061532A1 (de) 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden

Also Published As

Publication number Publication date
CN102474074A (zh) 2012-05-23
EP2466704A1 (en) 2012-06-20
IL217391A0 (en) 2012-02-29
JP2012533878A (ja) 2012-12-27
WO2011008127A1 (ru) 2011-01-20
SG177488A1 (en) 2012-02-28
CN102474074B (zh) 2014-01-01
RU2419934C2 (ru) 2011-05-27
CA2768469A1 (en) 2011-01-20
KR20120034099A (ko) 2012-04-09
US20120113998A1 (en) 2012-05-10
US8401046B2 (en) 2013-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7949031B2 (en) Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semicondutor diode lasers
CN112421378B (zh) 一种半导体激光器
JP2021515980A (ja) 半導体レーザー
JP2005502207A5 (ru)
US8355419B2 (en) Semiconductor optoelectronic device with improved beam quality
RU2009127486A (ru) Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
JP2877857B2 (ja) 半導体レーザー装置
US20140098831A1 (en) Semiconductor laser device
RU2391756C2 (ru) Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
CN110890690A (zh) 一种半导体激光相干阵列及其制备方法
JP2008521245A5 (ru)
RU2300835C2 (ru) Инжекционный лазер
US9099840B2 (en) Distributed feedback (DFB) laser with slab waveguide
RU2004133420A (ru) Гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель
JP2013168513A (ja) 半導体レーザおよび光半導体装置
RU2008143734A (ru) Диодный многолучевой излучатель лазерного когерентного излучения
RU2444101C1 (ru) Инжекционный лазер
JP2004266280A (ja) 半導体レーザおよび光ポンピングされる半導体装置
RU2230410C1 (ru) Инжекционный лазер и лазерная диодная линейка
US20230396040A1 (en) Semiconductor laser epitaxial structure
US10348055B2 (en) Folded waveguide structure semiconductor laser
JP2024052471A (ja) 半導体レーザ
TW201230566A (en) Diode source of multibeam coherent laser emission
JPS60263490A (ja) 半導体レ−ザ装置
JPH01238082A (ja) 半導体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20130808

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180718