RU2009121753A

RU2009121753A - Усовершенствованный способ получения гидроксида алюминия

Info

Publication number: RU2009121753A
Application number: RU2009121753/05A
Authority: RU
Inventors: Дмитрий Л. КУЗНЕЦОВ (US); Дмитрий Л. Кузнецов; Джанджун ЛИУ (US); Джанджун ЛИУ; Дэвид Г. СЛИНКМАН (US); Дэвид Г. Слинкман
Original assignee: Налко Компани (Us); Налко Компани
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2007-12-26
Publication date: 2011-02-10
Also published as: RU2448904C2; EP2097351A4; CA2671678C; CA2671678A1; BRPI0719610B1; US20080159934A1; UA97820C2; AU2007339867A1; US7771681B2; ES2508966T3; AU2007339867B2; BRPI0719610A2; WO2008083144A1; EP2097351B1; EP2097351A1

Abstract

1. Способ выделения оксида алюминия из осадительного раствора, включающий: ! (i) добавление к осадительному раствору модифицирующей рост кристаллов композиции, включающей продукт еновой реакции или реакции Дильса-Альдера с участием ненасыщенных поликарбоновых кислот, их солей, амидов, сложных эфиров и их смесей; ! (ii) распределение модифицирующей рост кристаллов композиции в осадительном растворе и ! (iii) осаждение кристаллических агломератов из раствора. ! 2. Способ по п.1, где модифицирующая рост кристаллов композиция дополнительно включает разбавитель. ! 3. Способ по п.2, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют к осадительному раствору в количестве, достаточном для изменений размеров частиц осаждающихся кристаллов. ! 4. Способ по п.3, где модифицирующую рост кристаллов композицию используют в ходе кристаллизации осадительного раствора в процессе Байера. ! 5. Способ по п.3, где размер по меньшей мере 50 мас.% выделенных кристаллов составляет более 325 меш. ! 6. Способ по п.4, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют путем перемешивания в осадительный раствор одним из нижеприведенных способов или же их сочетанием: ! (i) к подаваемому осадительному раствору; ! (ii) к суспензии затравочных кристаллов; ! (iii) в осадительную емкость. ! 7. Способ по п.2, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют к осадительному раствору в виде микроэмульсии. !8. Способ по п.2, где модифицирующая рост кристаллов композиция дополнительно включает жирные кислоты и сложные эфиры природного и синтетического происхождения, включая сырые и обработанные триглицеридные масла. ! 9. Способ по п.2, где модифицирующ

Claims

1. Способ выделения оксида алюминия из осадительного раствора, включающий:

(i) добавление к осадительному раствору модифицирующей рост кристаллов композиции, включающей продукт еновой реакции или реакции Дильса-Альдера с участием ненасыщенных поликарбоновых кислот, их солей, амидов, сложных эфиров и их смесей;

(ii) распределение модифицирующей рост кристаллов композиции в осадительном растворе и

(iii) осаждение кристаллических агломератов из раствора.

2. Способ по п.1, где модифицирующая рост кристаллов композиция дополнительно включает разбавитель.

3. Способ по п.2, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют к осадительному раствору в количестве, достаточном для изменений размеров частиц осаждающихся кристаллов.

4. Способ по п.3, где модифицирующую рост кристаллов композицию используют в ходе кристаллизации осадительного раствора в процессе Байера.

5. Способ по п.3, где размер по меньшей мере 50 мас.% выделенных кристаллов составляет более 325 меш.

6. Способ по п.4, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют путем перемешивания в осадительный раствор одним из нижеприведенных способов или же их сочетанием:

(i) к подаваемому осадительному раствору;

(ii) к суспензии затравочных кристаллов;

(iii) в осадительную емкость.

7. Способ по п.2, где модифицирующую рост кристаллов композицию добавляют к осадительному раствору в виде микроэмульсии.

8. Способ по п.2, где модифицирующая рост кристаллов композиция дополнительно включает жирные кислоты и сложные эфиры природного и синтетического происхождения, включая сырые и обработанные триглицеридные масла.

9. Способ по п.2, где модифицирующая рост кристаллов композиция дополнительно включает ангидриды полиизобутенилянтарной кислоты с молекулярной массой в интервале от приблизительно 400 до приблизительно 10000 Дальтон.

10. Способ по п.2, где разбавитель модифицирующей рост кристаллов композиции дополнительно включает спирт, воду или смешиваемые с водой органические растворители.

11. Способ по п.7, где смешиваемые с водой органические растворители состоят из одного или более алифатических или ароматических углеводородов, кетонов, простых эфиров, сложных эфиров, моно- и многоатомных спиртов, карбоновых кислот и их смесей.

12. Способ по п.2, где разбавитель представляет собой спирт или полиол, содержащий прямые или разветвленные алкильные группы или фенильные группы.

13. Способ по п.2, где разбавитель представляет собой кетон, состоящий из водорастворимых соединений, имеющих общую формулу RC(O)R', где R и R' являются алкильными группами.

14. Способ по п.2, где разбавитель представляет собой карбоновую кислоту, состоящую из соединений с формулой RCO₂H, где R является алкильной группой С₆-С₂₄.

15. Способ по п.2, где разбавитель представляет собой сложный эфир карбоновой кислоты, состоящий из соединений с формулой R''CO₂R, где R'' является алкильной группой С₆-С₂₄, а R является алкильной группой C₁-C₁₂.

16. Способ по п.2, где модифицирующую рост кристаллов композицию распределяют в осадительном растворе при помощи традиционного перемешивания, перемешивания с большими сдвиговыми усилиями или ультразвукового перемешивания.

17. Способ по п.13, где распределение модифицирующей рост кристаллов композиции включает добавление ионного или неионного поверхностно-активного вещества к композиции, модифицирующей рост кристаллов.

18. Способ по п.14, где к модифицирующей рост кристаллов композиции добавляют от 0,001 до 50 мас.% поверхностно-активного вещества.

19. Способ по п.14, где к модифицирующей рост кристаллов композиции добавляют от 1 до 20 мас.% поверхностно-активного вещества.

20. Способ по п.1, где от 50 до 90% модифицирующей рост кристаллов композиции имеет молекулярную массу от 500 до приблизительно 10000 Дальтон.

21. Способ проведения процесса по п.20, где оставшееся количество модифицирующей рост кристаллов композиции имеет среднюю молекулярную массу в интервале от приблизительно 10000 Дальтон до приблизительно 100000 Дальтон.