RU2008148142A - Устройство и способ покрытия подложек с приближенным процессом изоляции - Google Patents

Устройство и способ покрытия подложек с приближенным процессом изоляции Download PDF

Info

Publication number
RU2008148142A
RU2008148142A RU2008148142/02A RU2008148142A RU2008148142A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A RU 2008148142/02 A RU2008148142/02 A RU 2008148142/02A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pump
compartment
gas
length
passage
Prior art date
Application number
RU2008148142/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Майкл Роберт ПЕРАТА (US)
Майкл Роберт ПЕРАТА
Майкл Ли СТАРЛЕНДОРФ (US)
Майкл Ли СТАРЛЕНДОРФ
Original Assignee
Эпплайд Матириалз, Инк. (Us)
Эпплайд Матириалз, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эпплайд Матириалз, Инк. (Us), Эпплайд Матириалз, Инк. filed Critical Эпплайд Матириалз, Инк. (Us)
Publication of RU2008148142A publication Critical patent/RU2008148142A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

1. Устройство для покрытия подложки, проходящей сквозь него, содержащее: ! первое обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по первому проходу первой длины, продолжающемуся от входа до выхода из первого обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством первого газа; ! второе обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по второму проходу второй длины, продолжающемуся от входа к выходу второго обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством второго газа, причем первый газ и второй газ являются одинаковыми или различными; и ! отделение насоса, расположенное между первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением, причем отделение насоса выполнено с возможностью прохождения через него подложки по проходу с длиной прохода, продолжающегося от входа к выходу отделения насоса, при этом проход находится в оперативной связи с первым проходом и вторым проходом; ! причем отделение насоса находится в оперативной связи с первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением и в прямой оперативной связи с проходом для откачивания оттуда газа посредством насосов; ! при этом отделение насоса выполнено с возможностью приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки, когда длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины. ! 2. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления первого газа в первом обрабатывающем отделении и давления перв�

Claims (30)

1. Устройство для покрытия подложки, проходящей сквозь него, содержащее:
первое обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по первому проходу первой длины, продолжающемуся от входа до выхода из первого обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством первого газа;
второе обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по второму проходу второй длины, продолжающемуся от входа к выходу второго обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством второго газа, причем первый газ и второй газ являются одинаковыми или различными; и
отделение насоса, расположенное между первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением, причем отделение насоса выполнено с возможностью прохождения через него подложки по проходу с длиной прохода, продолжающегося от входа к выходу отделения насоса, при этом проход находится в оперативной связи с первым проходом и вторым проходом;
причем отделение насоса находится в оперативной связи с первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением и в прямой оперативной связи с проходом для откачивания оттуда газа посредством насосов;
при этом отделение насоса выполнено с возможностью приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки, когда длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины.
2. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления первого газа в первом обрабатывающем отделении и давления первого газа во втором обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.
3. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления второго газа во втором обрабатывающем отделении и давления второго газа в первом обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия.
4. Устройство по п.2 или 3, в котором обеспечивается соотношение более или равное приблизительно 20 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.
5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное первое обрабатывающее отделение, смежное с первым обрабатывающим отделением, и/или, по меньшей мере, одно дополнительное второе обрабатывающее отделение, смежное со вторым обрабатывающим отделением.
6. Устройство по п.5, в котором количество первого обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного второго обрабатывающего отделения, составляет от приблизительно 20 до приблизительно 40 на отделение насоса.
7. Устройство по п.1 или 5, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное отделение насоса, смежное с отделением насоса, в котором количество отделения насоса и, по меньшей мере, одного дополнительного отделения насоса меньше, чем количество отделений насоса, выполненных другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго обрабатывающего газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
8. Устройство по п.1, в котором насосы выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, криогенного насоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
9. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один насос, который отличен от диффузионного насоса, для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
10. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
11. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один концевой насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса.
12. Устройство по п.1, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос для откачивания газа из прохода.
13. Устройство по п.11, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос, выбранный из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, крионасоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
14. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один верхний насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса.
15. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя насос для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения.
16. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя, по меньшей мере, два верхних насоса.
17. Устройство по п.14, в котором каждый насос из, по меньшей мере, двух верхних насосов независимо выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса и любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
18. Устройство по п.1, в котором длина прохода меньше, чем длина прохода насосного отделения, выполненного другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
19. Устройство по п.1, в котором длина прохода в два раза меньше, чем первая длина или вторая длина, или меньше в два раза среднего из первой длины и второй длины.
20. Устройство по п.19, в котором длина прохода больше или равна приблизительно первой длине или второй длине или среднему из первой длины или второй длины.
21. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 600 мм до приблизительно 2010 мм.
22. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 750 мм до приблизительно 1000 мм.
23. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из первого обрабатывающего отделения, и другую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из второго обрабатывающего отделения.
24. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из прохода, и другую зону отделения насоса, связанную с откачиванием газа из первого обрабатывающего отделения и/или второго обрабатывающего отделения.
25. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса для откачивающегося газа из прохода, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с другим концом отделения насоса для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
26. Устройство по п.1, в котором упомянутые насосы включают в себя турбомолекулярные насосы в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из прохода, первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения.
27. Способ откачивания газа из устройства для покрытия подложки, проходящей сквозь него, включает в себя этапы, на которых:
обеспечивают устройство по п.1 и
откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки.
28. Способ по п.27, в котором откачивание является достаточным для приближенной изоляции первого газа и второго газа относительно друг друга в связи с процессом покрытия подложки.
29. Устройство для откачивания газа, связанное с процессом покрытия подложки, включает в себя:
отделение насоса, выполненное с возможностью оперативной связи с первым обрабатывающим отделением, смежным с первой стороной отделения насоса, и первой длиной и вторым обрабатывающим отделением, смежным со второй стороной отделения насоса, и второй длиной, причем отделение насоса включает в себя проход с длиной для прохождения подложки через отделение насоса и выполнено с возможностью прямой оперативной связи с проходом, причем длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины; и
высоковакуумные насосы, оперативно связанные с отделением насоса, причем высоковакуумные насосы выполнены с возможностью приближенного изолирования первого газа, связанного с первым обрабатывающим отделением, и второго газа, связанного со вторым обрабатывающим отделением, друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
30. Способ откачивания газа, связанного с процессом покрытия подложки, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают устройство по п.29 и
откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки.
RU2008148142/02A 2006-05-08 2007-05-11 Устройство и способ покрытия подложек с приближенным процессом изоляции RU2008148142A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/382,241 2006-05-08
US11/382,241 US20070256934A1 (en) 2006-05-08 2006-05-08 Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008148142A true RU2008148142A (ru) 2010-06-20

Family

ID=38660226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008148142/02A RU2008148142A (ru) 2006-05-08 2007-05-11 Устройство и способ покрытия подложек с приближенным процессом изоляции

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070256934A1 (ru)
EP (1) EP2147130A4 (ru)
JP (1) JP2010526932A (ru)
CN (1) CN101443473A (ru)
BR (1) BRPI0712047A2 (ru)
RU (1) RU2008148142A (ru)
TW (1) TW200844250A (ru)
WO (1) WO2008014040A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
CN101313084B (zh) * 2005-11-21 2012-02-29 冯·阿德纳设备有限公司 用于真空覆层设备的工艺室的分隔装置和真空覆层设备
JP2010163679A (ja) * 2008-12-18 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 酸化物薄膜の成膜装置および成膜方法
EP2292339A1 (en) * 2009-09-07 2011-03-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Coating method and coating apparatus
KR101125568B1 (ko) * 2009-12-14 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 식각 장치
ES2741636T3 (es) * 2010-02-08 2020-02-11 Agc Glass Europe Dispositivo de revestimiento modular
WO2012052428A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Agc Glass Europe Modular coater separation
US20130272928A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Devi Shanker Misra Apparatus for the deposition of diamonds by microwave plasma chemical vapour deposition process and substrate stage used therein
DE102012213095A1 (de) * 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag Gasseparation
WO2016075189A1 (de) * 2014-11-14 2016-05-19 Von Ardenne Gmbh Kammerdeckel zum abdichten einer kammeröffnung in einer gasseparationskammer und gasseparationskammer
US11545347B2 (en) * 2020-11-05 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Internally divisible process chamber using a shutter disk assembly

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2224009A5 (ru) * 1973-03-30 1974-10-25 Cit Alcatel
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
US5187115A (en) * 1977-12-05 1993-02-16 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers using a dual enclosure apparatus
US4682564A (en) * 1980-11-25 1987-07-28 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
USRE34806E (en) * 1980-11-25 1994-12-13 Celestech, Inc. Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
US5045165A (en) * 1990-02-01 1991-09-03 Komag, Inc. Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk
US5284521A (en) * 1990-09-21 1994-02-08 Anelva Corporation Vacuum film forming apparatus
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
DE4207525C2 (de) * 1992-03-10 1999-12-16 Leybold Ag Hochvakuum-Beschichtungsanlage
US5703281A (en) * 1996-05-08 1997-12-30 Southeastern Univ. Research Assn. Ultra high vacuum pumping system and high sensitivity helium leak detector
WO2000028104A1 (en) * 1998-11-06 2000-05-18 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US20030043464A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-06 Dannenberg Rand David Optical coatings and associated methods
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
US6736948B2 (en) * 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
PL204742B1 (pl) * 2002-05-06 2010-02-26 Guardian Industries Urządzenie powlekające do formowania pierwszej i drugiej powłoki na szklanym substracie
US6878207B2 (en) * 2003-02-19 2005-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure
FR2854933B1 (fr) * 2003-05-13 2005-08-05 Cit Alcatel Pompe moleculaire, turbomoleculaire ou hybride a vanne integree
DE10362259B4 (de) * 2003-11-04 2011-03-17 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate
DE10352144B8 (de) * 2003-11-04 2008-11-13 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten von längserstreckten Substraten
EP1582606A1 (de) * 2004-03-25 2005-10-05 Applied Films GmbH & Co. KG Vakuumbehandlungsanlage mit variabler Pumpanordnung
DE102004021734B4 (de) * 2004-04-30 2010-09-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen
EP1698715A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-06 Applied Films GmbH & Co. KG Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
US20060278164A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Petrach Philip M Dual gate isolating maintenance slit valve chamber with pumping option

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0712047A2 (pt) 2012-01-10
EP2147130A4 (en) 2012-03-07
US20070256934A1 (en) 2007-11-08
EP2147130A2 (en) 2010-01-27
WO2008014040A3 (en) 2008-05-08
JP2010526932A (ja) 2010-08-05
WO2008014040A2 (en) 2008-01-31
CN101443473A (zh) 2009-05-27
TW200844250A (en) 2008-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008148142A (ru) Устройство и способ покрытия подложек с приближенным процессом изоляции
GB0411426D0 (en) Pumping arrangement
WO2011121322A3 (en) Vacuum pumping system
TWI284699B (en) Lock chamber device for vacuum treatment unit and procedures for its operation
EP1553303A3 (en) Apparatus for evacuating a plurality of vacuum chambers
EP4321649A3 (en) Gas delivery system for high pressure processing chamber
TW200637973A (en) Vacuum pumping arrangement
EP2481077B1 (en) Mass spectrometer system
WO2008044064A3 (en) Vacuum pump
WO2006060275A3 (en) Fore-line preconditioning for vacuum pumps
JP2008518154A5 (ru)
GB0409139D0 (en) Vacuum pump
SG152213A1 (en) Multi-port pumping system for substrate processing chambers
CN100465434C (zh) 负载锁定外壳的排空
TW200735946A (en) A static devolatilisation apparatus for a liquid containing polymers
TW200514919A (en) Evacuation apparatus
WO2015036282A3 (de) Schnüffellecksucher mit mehrstufiger membranpumpe
FR2822200B1 (fr) Systeme de pompage pour gaz a faible conductivite thermique
WO2005062939A3 (en) Pot and pan washing machine, components, and methods of washing items
WO2007078573A3 (en) Apparatus and method for pumping in an ion optical device
US20090142165A1 (en) Transfer chamber for a vacuum processing apparatus, and a vacuum processing apparatus
EP2626562A3 (en) Pump
US7156922B2 (en) Multi-chamber installation for treating objects under vacuum, method for evacuating said installation and evacuation system therefor
JP5984820B2 (ja) モジュール式コータ分離
GB0322889D0 (en) Vacuum pump