RU2008148142A - DEVICE AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH AN APPROXIMATE INSULATION PROCESS - Google Patents

DEVICE AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH AN APPROXIMATE INSULATION PROCESS Download PDF

Info

Publication number
RU2008148142A
RU2008148142A RU2008148142/02A RU2008148142A RU2008148142A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A RU 2008148142/02 A RU2008148142/02 A RU 2008148142/02A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A RU 2008148142 A RU2008148142 A RU 2008148142A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pump
compartment
gas
length
passage
Prior art date
Application number
RU2008148142/02A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Майкл Роберт ПЕРАТА (US)
Майкл Роберт ПЕРАТА
Майкл Ли СТАРЛЕНДОРФ (US)
Майкл Ли СТАРЛЕНДОРФ
Original Assignee
Эпплайд Матириалз, Инк. (Us)
Эпплайд Матириалз, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эпплайд Матириалз, Инк. (Us), Эпплайд Матириалз, Инк. filed Critical Эпплайд Матириалз, Инк. (Us)
Publication of RU2008148142A publication Critical patent/RU2008148142A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Abstract

1. Устройство для покрытия подложки, проходящей сквозь него, содержащее: ! первое обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по первому проходу первой длины, продолжающемуся от входа до выхода из первого обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством первого газа; ! второе обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по второму проходу второй длины, продолжающемуся от входа к выходу второго обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством второго газа, причем первый газ и второй газ являются одинаковыми или различными; и ! отделение насоса, расположенное между первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением, причем отделение насоса выполнено с возможностью прохождения через него подложки по проходу с длиной прохода, продолжающегося от входа к выходу отделения насоса, при этом проход находится в оперативной связи с первым проходом и вторым проходом; ! причем отделение насоса находится в оперативной связи с первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением и в прямой оперативной связи с проходом для откачивания оттуда газа посредством насосов; ! при этом отделение насоса выполнено с возможностью приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки, когда длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины. ! 2. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления первого газа в первом обрабатывающем отделении и давления перв� 1. A device for coating a substrate passing through it, comprising: ! a first processing compartment configured to pass the substrate therethrough along a first passage of a first length extending from the inlet to the exit of the first processing compartment and to coat the substrate with the first gas; ! a second treatment compartment configured to pass the substrate therethrough along a second passage of a second length extending from the inlet to the outlet of the second treatment compartment and to coat the substrate with a second gas, the first gas and the second gas being the same or different; and ! pump compartment located between the first processing compartment and the second processing compartment, wherein the pump compartment is configured to pass through it the substrate along the passage with the length of the passage extending from the inlet to the outlet of the pump compartment, while the passage is in operative communication with the first passage and the second passage ; ! moreover, the department of the pump is in operative communication with the first processing department and the second processing department and in direct operative communication with the passage for pumping out gas from there by means of pumps; ! wherein the pump compartment is configured to approximately isolate the first gas and the second gas relative to each other in connection with the substrate coating process, when the passage length is less than two times the first length, the second length, or the average of the first length and the second length. ! 2. The device according to claim 1, in which the ratio of the pressure of the first gas in the first processing compartment and the pressure of the first

Claims (30)

1. Устройство для покрытия подложки, проходящей сквозь него, содержащее:1. A device for coating a substrate passing through it, comprising: первое обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по первому проходу первой длины, продолжающемуся от входа до выхода из первого обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством первого газа;a first processing compartment configured to pass the substrate through it along a first passage of a first length, extending from the entrance to the exit of the first processing compartment, and for coating the substrate by a first gas; второе обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по второму проходу второй длины, продолжающемуся от входа к выходу второго обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством второго газа, причем первый газ и второй газ являются одинаковыми или различными; иa second processing compartment configured to pass the substrate through it through a second passage of a second length, extending from the entrance to the exit of the second processing compartment, and to cover the substrate with a second gas, the first gas and the second gas being the same or different; and отделение насоса, расположенное между первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением, причем отделение насоса выполнено с возможностью прохождения через него подложки по проходу с длиной прохода, продолжающегося от входа к выходу отделения насоса, при этом проход находится в оперативной связи с первым проходом и вторым проходом;a pump compartment located between the first processing compartment and the second processing compartment, the pump compartment being configured to pass the substrate through it along a passage with a passage length extending from the entrance to the exit of the pump compartment, the passage being operatively connected with the first passage and the second passage ; причем отделение насоса находится в оперативной связи с первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением и в прямой оперативной связи с проходом для откачивания оттуда газа посредством насосов;moreover, the pump compartment is in operative communication with the first processing compartment and the second processing compartment and in direct operational communication with the passage for pumping gas out of there by means of pumps; при этом отделение насоса выполнено с возможностью приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки, когда длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины.wherein the pump compartment is configured to approximately isolate the first gas and the second gas relative to each other in connection with the coating process of the substrate, when the passage length is less than half the first length, the second length or the average of the first length and the second length. 2. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления первого газа в первом обрабатывающем отделении и давления первого газа во втором обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.2. The device according to claim 1, in which the ratio of the pressure of the first gas in the first processing compartment and the pressure of the first gas in the second processing compartment up to approximately 35: 1 in connection with the coating process of the substrate. 3. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления второго газа во втором обрабатывающем отделении и давления второго газа в первом обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия.3. The device according to claim 1, in which the ratio of the pressure of the second gas in the second processing compartment and the pressure of the second gas in the first processing compartment up to approximately 35: 1 in connection with the coating process. 4. Устройство по п.2 или 3, в котором обеспечивается соотношение более или равное приблизительно 20 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.4. The device according to claim 2 or 3, in which a ratio greater than or equal to approximately 20: 1 is provided in connection with the process of coating the substrate. 5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное первое обрабатывающее отделение, смежное с первым обрабатывающим отделением, и/или, по меньшей мере, одно дополнительное второе обрабатывающее отделение, смежное со вторым обрабатывающим отделением.5. The device according to claim 1, additionally containing at least one additional first processing compartment adjacent to the first processing compartment and / or at least one additional second processing compartment adjacent to the second processing compartment. 6. Устройство по п.5, в котором количество первого обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного второго обрабатывающего отделения, составляет от приблизительно 20 до приблизительно 40 на отделение насоса.6. The device according to claim 5, in which the number of the first processing compartment and at least one additional first processing compartment or the second processing compartment and at least one additional second processing compartment is from about 20 to about 40 per compartment pump. 7. Устройство по п.1 или 5, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное отделение насоса, смежное с отделением насоса, в котором количество отделения насоса и, по меньшей мере, одного дополнительного отделения насоса меньше, чем количество отделений насоса, выполненных другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго обрабатывающего газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.7. The device according to claim 1 or 5, further containing at least one additional pump compartment adjacent to the pump compartment, in which the number of pump compartments and at least one additional pump compartment is less than the number of pump compartments made otherwise, for such an approximate isolation of the first gas and the second processing gas relative to each other in connection with the coating process of the substrate. 8. Устройство по п.1, в котором насосы выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, криогенного насоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.8. The device according to claim 1, in which the pumps are selected from a diffusion pump, a turbomolecular pump, a cryogenic pump, any other high vacuum pump and / or any combination thereof. 9. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один насос, который отличен от диффузионного насоса, для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.9. The device according to claim 1, in which the pumps include at least one diffusion pump for pumping gas from the passage and at least one pump that is different from the diffusion pump for pumping gas from at least , one of the first processing compartment and the second processing compartment. 10. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.10. The device according to claim 1, in which the pumps include at least one diffusion pump for pumping gas from the passage and at least one turbomolecular pump for pumping gas from at least one of the first processing compartment and a second processing compartment. 11. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один концевой насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса.11. The device according to claim 1, in which the pumps include at least one end pump, which is in operative communication with the pump compartment through the end of the pump compartment. 12. Устройство по п.1, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос для откачивания газа из прохода.12. The device according to claim 1, in which the said at least one end pump includes a pump for pumping gas from the passage. 13. Устройство по п.11, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос, выбранный из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, крионасоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.13. The device according to claim 11, in which said at least one end pump includes a pump selected from a diffusion pump, a turbomolecular pump, a cryopump, any other high vacuum pump and / or any combination thereof. 14. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один верхний насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса.14. The device according to claim 1, in which the pumps include at least one upper pump, which is in operative communication with the pump compartment through the top of the pump compartment. 15. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя насос для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения.15. The device according to 14, in which said at least one upper pump includes a pump for pumping gas from the first processing compartment or the second processing compartment. 16. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя, по меньшей мере, два верхних насоса.16. The device according to 14, in which said at least one upper pump includes at least two upper pumps. 17. Устройство по п.14, в котором каждый насос из, по меньшей мере, двух верхних насосов независимо выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса и любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.17. The device according to 14, in which each pump from at least two upper pumps is independently selected from a diffusion pump, a turbomolecular pump and any other high vacuum pump and / or any combination thereof. 18. Устройство по п.1, в котором длина прохода меньше, чем длина прохода насосного отделения, выполненного другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.18. The device according to claim 1, in which the length of the passage is less than the passage length of the pump room, made in another way for such an approximate isolation of the first gas and the second gas relative to each other in connection with the coating process of the substrate. 19. Устройство по п.1, в котором длина прохода в два раза меньше, чем первая длина или вторая длина, или меньше в два раза среднего из первой длины и второй длины.19. The device according to claim 1, in which the length of the passage is two times less than the first length or the second length, or less than half the average of the first length and second length. 20. Устройство по п.19, в котором длина прохода больше или равна приблизительно первой длине или второй длине или среднему из первой длины или второй длины.20. The device according to claim 19, in which the length of the passage is greater than or equal to approximately the first length or second length or the average of the first length or second length. 21. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 600 мм до приблизительно 2010 мм.21. The device according to claim 1, in which the length of the passage is from approximately 600 mm to approximately 2010 mm 22. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 750 мм до приблизительно 1000 мм.22. The device according to claim 1, in which the length of the passage is from about 750 mm to about 1000 mm 23. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из первого обрабатывающего отделения, и другую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из второго обрабатывающего отделения.23. The device according to claim 1 further comprising at least one partition separating the pump separation zone associated with the pumped gas from the first processing compartment and another pump separation zone associated with the pumped gas from the second processing compartment. 24. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из прохода, и другую зону отделения насоса, связанную с откачиванием газа из первого обрабатывающего отделения и/или второго обрабатывающего отделения.24. The device according to claim 1, further comprising at least one partition separating the pump separation zone associated with the evacuated gas from the passage, and another pump separation zone associated with pumping gas from the first processing compartment and / or the second processing compartment. 25. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса для откачивающегося газа из прохода, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с другим концом отделения насоса для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.25. The device according to claim 1, in which the pumps include at least one diffusion pump in operative communication with the pump compartment through the end of the pump compartment for the evacuated gas from the passage, at least one turbomolecular pump in operative communication with another the end of the pump compartment for pumping gas out of the passage and at least one turbomolecular pump in operative connection with the pump compartment by the top of the pump compartment for pumping gas from the first processing compartment and the second general department. 26. Устройство по п.1, в котором упомянутые насосы включают в себя турбомолекулярные насосы в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из прохода, первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения.26. The device according to claim 1, in which the aforementioned pumps include turbomolecular pumps in operative communication with the pump compartment through the top of the pump compartment for pumping gas from the passage, the first processing compartment, as well as the second processing compartment. 27. Способ откачивания газа из устройства для покрытия подложки, проходящей сквозь него, включает в себя этапы, на которых:27. A method of pumping gas from a device for coating a substrate passing through it includes the steps of: обеспечивают устройство по п.1 иprovide the device according to claim 1 and откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки.pumping gas from the passage of the first processing compartment, as well as the second processing compartment by means of pumps in connection with the process of coating the substrate. 28. Способ по п.27, в котором откачивание является достаточным для приближенной изоляции первого газа и второго газа относительно друг друга в связи с процессом покрытия подложки.28. The method according to item 27, in which pumping is sufficient for approximate isolation of the first gas and the second gas relative to each other in connection with the process of coating the substrate. 29. Устройство для откачивания газа, связанное с процессом покрытия подложки, включает в себя:29. A device for pumping gas associated with the process of coating the substrate includes: отделение насоса, выполненное с возможностью оперативной связи с первым обрабатывающим отделением, смежным с первой стороной отделения насоса, и первой длиной и вторым обрабатывающим отделением, смежным со второй стороной отделения насоса, и второй длиной, причем отделение насоса включает в себя проход с длиной для прохождения подложки через отделение насоса и выполнено с возможностью прямой оперативной связи с проходом, причем длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины; иa pump compartment configured to operatively communicate with a first processing compartment adjacent to a first side of a pump compartment and a first length and a second processing compartment adjacent to a second side of a pump compartment and a second length, the pump compartment including a passage with a length for passage the substrate through the pump compartment and is made with the possibility of direct operational communication with the passage, the passage length being less than half the first length, the second length or the average of the first length and second length; and высоковакуумные насосы, оперативно связанные с отделением насоса, причем высоковакуумные насосы выполнены с возможностью приближенного изолирования первого газа, связанного с первым обрабатывающим отделением, и второго газа, связанного со вторым обрабатывающим отделением, друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.high vacuum pumps operatively associated with the pump compartment, the high vacuum pumps being configured to approximately isolate the first gas associated with the first processing compartment and the second gas associated with the second processing compartment relative to each other in connection with the coating process of the substrate. 30. Способ откачивания газа, связанного с процессом покрытия подложки, содержащий этапы, на которых:30. A method of pumping gas associated with the process of coating the substrate, comprising stages in which: обеспечивают устройство по п.29 иprovide the device according to clause 29 and откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки. pumping gas from the passage of the first processing compartment, as well as the second processing compartment by means of pumps in connection with the process of coating the substrate.
RU2008148142/02A 2006-05-08 2007-05-11 DEVICE AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH AN APPROXIMATE INSULATION PROCESS RU2008148142A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/382,241 2006-05-08
US11/382,241 US20070256934A1 (en) 2006-05-08 2006-05-08 Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008148142A true RU2008148142A (en) 2010-06-20

Family

ID=38660226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008148142/02A RU2008148142A (en) 2006-05-08 2007-05-11 DEVICE AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH AN APPROXIMATE INSULATION PROCESS

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070256934A1 (en)
EP (1) EP2147130A4 (en)
JP (1) JP2010526932A (en)
CN (1) CN101443473A (en)
BR (1) BRPI0712047A2 (en)
RU (1) RU2008148142A (en)
TW (1) TW200844250A (en)
WO (1) WO2008014040A2 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
US9057131B2 (en) * 2005-11-21 2015-06-16 Von Ardenne Gmbh Separating device for process chambers of vacuum coating installations and vacuum coating installation
JP2010163679A (en) * 2008-12-18 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Film deposition system and film deposition method for oxide thin film
EP2292339A1 (en) * 2009-09-07 2011-03-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Coating method and coating apparatus
KR101125568B1 (en) * 2009-12-14 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Etching apparatus
LT2534277T (en) * 2010-02-08 2019-11-25 Agc Glass Europe Modular coater
EA025781B1 (en) * 2010-10-22 2017-01-30 Агк Гласс Юроп Modular coater separation
US20130272928A1 (en) * 2012-04-12 2013-10-17 Devi Shanker Misra Apparatus for the deposition of diamonds by microwave plasma chemical vapour deposition process and substrate stage used therein
DE102012213095A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag gas separation
WO2016075189A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Von Ardenne Gmbh Chamber cover for sealing a chamber opening in a gas separation chamber, and gas separation chamber
US11545347B2 (en) * 2020-11-05 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Internally divisible process chamber using a shutter disk assembly

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2224009A5 (en) * 1973-03-30 1974-10-25 Cit Alcatel
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
US5187115A (en) * 1977-12-05 1993-02-16 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers using a dual enclosure apparatus
USRE34806E (en) * 1980-11-25 1994-12-13 Celestech, Inc. Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US4682564A (en) * 1980-11-25 1987-07-28 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
US5045165A (en) * 1990-02-01 1991-09-03 Komag, Inc. Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk
US5284521A (en) * 1990-09-21 1994-02-08 Anelva Corporation Vacuum film forming apparatus
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
DE4207525C2 (en) * 1992-03-10 1999-12-16 Leybold Ag High vacuum coating system
US5703281A (en) * 1996-05-08 1997-12-30 Southeastern Univ. Research Assn. Ultra high vacuum pumping system and high sensitivity helium leak detector
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6365010B1 (en) * 1998-11-06 2002-04-02 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US20030043464A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-06 Dannenberg Rand David Optical coatings and associated methods
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
US6736948B2 (en) * 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
PL204742B1 (en) * 2002-05-06 2010-02-26 Guardian Industries Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method
US6878207B2 (en) * 2003-02-19 2005-04-12 Energy Conversion Devices, Inc. Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure
FR2854933B1 (en) * 2003-05-13 2005-08-05 Cit Alcatel MOLECULAR, TURBOMOLECULAR OR HYBRID PUMP WITH INTEGRATED VALVE
DE10352144B8 (en) * 2003-11-04 2008-11-13 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vacuum coating system for coating longitudinal substrates
DE10352143B4 (en) * 2003-11-04 2009-06-25 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Long-stretched vacuum system for one or two-sided coating of flat substrates
EP1582606A1 (en) * 2004-03-25 2005-10-05 Applied Films GmbH & Co. KG Vacuum treating apparatus with variable pumping arrangement.
DE102004021734B4 (en) * 2004-04-30 2010-09-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Method and device for the continuous coating of flat substrates with optically active layer systems
EP1698715A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-06 Applied Films GmbH & Co. KG Coating apparatus with parts on a drawer
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
US20060278164A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Petrach Philip M Dual gate isolating maintenance slit valve chamber with pumping option

Also Published As

Publication number Publication date
US20070256934A1 (en) 2007-11-08
WO2008014040A3 (en) 2008-05-08
WO2008014040A2 (en) 2008-01-31
EP2147130A4 (en) 2012-03-07
BRPI0712047A2 (en) 2012-01-10
EP2147130A2 (en) 2010-01-27
JP2010526932A (en) 2010-08-05
TW200844250A (en) 2008-11-16
CN101443473A (en) 2009-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008148142A (en) DEVICE AND METHOD FOR COATING SUBSTRATES WITH AN APPROXIMATE INSULATION PROCESS
GB0411426D0 (en) Pumping arrangement
WO2011121322A3 (en) Vacuum pumping system
CA2771200C (en) Mass spectrometer system
EP1553303A3 (en) Apparatus for evacuating a plurality of vacuum chambers
TW200637973A (en) Vacuum pumping arrangement
WO2005040615A3 (en) Vacuum pump
WO2008044064A3 (en) Vacuum pump
WO2006060275A3 (en) Fore-line preconditioning for vacuum pumps
JP2008518154A5 (en)
KR20060044866A (en) Lock chamber device for vacuum treatment unit and procedures for its operation
EP2058843A3 (en) Multi-port pumping system for substrate processing chambers
CN100465434C (en) Evacuation of load lock enclosure
TW200735946A (en) A static devolatilisation apparatus for a liquid containing polymers
WO2015036282A3 (en) Sniffing leak detector having a multi-stage diaphragm pump
WO2007078573A3 (en) Apparatus and method for pumping in an ion optical device
WO2005062939A3 (en) Pot and pan washing machine, components, and methods of washing items
US7156922B2 (en) Multi-chamber installation for treating objects under vacuum, method for evacuating said installation and evacuation system therefor
JP5984820B2 (en) Modular coater separation
GB0322889D0 (en) Vacuum pump
KR101825237B1 (en) Vacuum pumping system
DE50003075D1 (en) vacuum pump
ATE360180T1 (en) VACUUM TREATMENT SYSTEM WITH TRANSPORTABLE MAINTENANCE VALVE
KR200372323Y1 (en) Improvements in pumping efficiency
RU2017102492A (en) METHOD OF PUMPING IN THE VACUUM PUMP SYSTEM AND THE VACUUM PUMP SYSTEM