RU2008135371A - Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения - Google Patents
Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008135371A RU2008135371A RU2008135371/02A RU2008135371A RU2008135371A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A RU 2008135371/02 A RU2008135371/02 A RU 2008135371/02A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- structure according
- surface layer
- gas
- layer
- functional surface
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
1. Коррозионностойкая тонкопленочная многослойная структура, обладающая низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающаяся тем, что она содержит: ! от 1 до 1000 групп, предпочтительно, от 1 до 500 групп, причем одна группа содержит от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода, предпочтительно, от 2 до 10 слоев; и ! необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL). ! 2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет 10 мкм или менее. ! 3. Структура по п.2, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет от 1 до 6 мкм. ! 4. Структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) в группе состоит из углерода, кремния и водорода с атомным отношением Si/C в диапазоне от 0,3 до 1,5 и содержит от 10 до 30 ат.% водорода. ! 5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (ад, ав) каждого слоя изменяется от 5 нм до 5 мкм. ! 6. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) группы, независимо от других слоев в группе, обладает твердостью от 1 до 100 ГПа и модулем Юнга от 10 до 600 ГПа. ! 7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит, главным образом, углерод. ! 8. Структура по п.7, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит от 30 до 100% углерода. ! 9. Структура по п.7 или 8, отличающаяся тем, что ! функциональный поверхностный слой (FSL) содержит дополнительные элементы, выбранные из кремния, водорода, серы, фтора, титана и вольфрама, в пропорции от 0 до 70 ат.%. ! 10. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (dpsi.) функционального поверхностного слоя составляет 3 мкм или менее. ! 11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что толщина (dpsb) функцио
Claims (20)
1. Коррозионностойкая тонкопленочная многослойная структура, обладающая низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающаяся тем, что она содержит:
от 1 до 1000 групп, предпочтительно, от 1 до 500 групп, причем одна группа содержит от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода, предпочтительно, от 2 до 10 слоев; и
необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL).
2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет 10 мкм или менее.
3. Структура по п.2, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет от 1 до 6 мкм.
4. Структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) в группе состоит из углерода, кремния и водорода с атомным отношением Si/C в диапазоне от 0,3 до 1,5 и содержит от 10 до 30 ат.% водорода.
5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (ад, ав) каждого слоя изменяется от 5 нм до 5 мкм.
6. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) группы, независимо от других слоев в группе, обладает твердостью от 1 до 100 ГПа и модулем Юнга от 10 до 600 ГПа.
7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит, главным образом, углерод.
8. Структура по п.7, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит от 30 до 100% углерода.
9. Структура по п.7 или 8, отличающаяся тем, что
функциональный поверхностный слой (FSL) содержит дополнительные элементы, выбранные из кремния, водорода, серы, фтора, титана и вольфрама, в пропорции от 0 до 70 ат.%.
10. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (dpsi.) функционального поверхностного слоя составляет 3 мкм или менее.
11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что толщина (dpsb) функционального поверхностного слоя составляет от 1 нм до 2 мкм.
12. Коррозионностойкий компонент, обладающий низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающийся тем, что он содержит:
металлическую основу, выполненную из материала, который не повреждается при нагревании до температур до 600°С;
связующий слой, расположенный между основой и покрытием; и
покрытие, покрывающее связующий слой, при этом покрытие представляет собой тонкопленочную многослойную структуру по любому из пп.1-11.
13. Компонент по п.12, отличающийся тем, что металлическая основа выполнена из титана или одного из его сплавов, быстрорежущей стали, нержавеющей стали или карбида.
14. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что связующий слой является азотированным, цементированным, нитроцементированным или силицированным.
15. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что толщина связующего слоя составляет от 0,1 до 100 мкм.
16. Способ осаждения покрытия в виде коррозионностойкой тонкопленочной многослойной структуры с низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения на металлическую основу, выполненную из материала, не повреждающегося при нагревании до температур ниже 600°С, путем химического осаждения из газовой фазы, активированного микроволновой плазмой и/или низкочастотной плазмой, включающий следующие последовательные этапы, на которых:
1) устанавливают основу на опору в камере, содержащей зону введения/извлечения и активную зону, в которой может находиться плазма максимальной плотности, при этом этап установки сопровождается следующими этапами обработки поверхности, на которых:
2) создают в камере первичный вакуум, а затем - вторичный вакуум;
3) выполняют травление основы в активной зоне путем введения в первичный вакуум травильного газа, создают плазму этого газа в зоне разряда и отдельно нагревают основу до регулируемой температуры от 200 до 600°С;
4) формируют связующий слой путем введения в активную зону камеры предварительно обработанного газа для замещения плазмы травильного газа плазмой предварительно обработанного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру;
5) формируют многослойную структуру по любому из пп.1-11 путем введения в активную зону химически активного газа, причем химически активный газ содержит единственное соединение с тетраэдрической кремниевой структурой или кремнийсодержащую смесь для замещения плазмы предварительно обработанного газа химически активным газом, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру, причем различные слои образуют посредством изменения мощности микроволнового генератора и/или частоты и/или напряжения низкочастотного генератора;
6) необязательно осаждают в активной зоне функционально поверхностный слой путем введения другого химически активного газа для замещения плазмы газа для получения многослойной структуры плазмой химически активного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру; и
7) прекращают введение химически активного газа на этапе 5) или этапе 6) после окончания заданного времени введения газа, соответствующего получению требуемой толщины функционального поверхностного слоя, и охлаждают основу, при этом величина первичного вакуума, созданного в камере, соответствует давлению от 0,13 до 133,3 Па (от 10-3 до 1 торр), предпочтительно, от 0,13 до 66,7 Па (от 10-3 до 0,5 торр).
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит азот, и/или углерод, и/или водород, и/или кремний.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит не более, около 20% азота и/или метана, смешанных с аргоном.
19. Способ по любому из пп.16-18, отличающийся тем, что химически активный газ на этапе 5) содержит тетраметилсилан или тетраэтилсилан, сами по себе или в виде смеси, или смесь предшественников углеводородов и/или кремнийсодержащих соединений.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что химически активный газ также содержит водород и/или аргон.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0600829 | 2006-01-30 | ||
FR0600829A FR2896807B1 (fr) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | Structure multicouche mince, piece la comprenant et son procede de depot |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008135371A true RU2008135371A (ru) | 2010-03-10 |
RU2418883C2 RU2418883C2 (ru) | 2011-05-20 |
Family
ID=36954446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008135371/02A RU2418883C2 (ru) | 2006-01-30 | 2007-01-30 | Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090081433A1 (ru) |
EP (1) | EP1979505B1 (ru) |
JP (1) | JP2009525397A (ru) |
CN (1) | CN101360845A (ru) |
DE (1) | DE602007006626D1 (ru) |
ES (1) | ES2345910T3 (ru) |
FR (1) | FR2896807B1 (ru) |
RU (1) | RU2418883C2 (ru) |
WO (1) | WO2007085494A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101736325B (zh) * | 2010-01-05 | 2012-07-04 | 青岛科技大学 | 一种超硬氮铝化钛薄膜的微波等离子体制备方法 |
CN102358940B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-06-04 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法 |
CN104379775B (zh) * | 2012-05-03 | 2017-03-08 | 麦格纳国际公司 | 由涂覆有非金属涂层的金属板形成的机动车部件 |
DE102013109646B4 (de) | 2013-09-04 | 2021-12-02 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauelement |
US10418243B2 (en) * | 2015-10-09 | 2019-09-17 | Applied Materials, Inc. | Ultra-high modulus and etch selectivity boron-carbon hardmask films |
FR3075231B1 (fr) | 2017-12-18 | 2019-11-15 | Compagnie Generale Des Etablissements Michelin | Sol et dispositif et procedes associes |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6067901A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素化及び弗素化した非晶質炭化ケイ素薄膜を用いた光学素子 |
JPS60184681A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Sharp Corp | コーティング用非晶質炭化珪素膜の形成方法 |
US5122431A (en) * | 1988-09-14 | 1992-06-16 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
JP2761253B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1998-06-04 | シャープ株式会社 | 光書込み形液晶表示装置 |
US5249554A (en) * | 1993-01-08 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Powertrain component with adherent film having a graded composition |
FR2736361B1 (fr) * | 1995-07-03 | 1997-09-19 | Aerospatiale | Couche mince complexe, piece a faible coefficient de frottement revetue d'une telle couche et procede de realisation d'une telle piece |
FR2856078B1 (fr) * | 2003-06-16 | 2006-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Revetement pour une piece mecanique comprenant au moins du carbone amorphe hydrogene et procede de depot d'un tel revetement. |
JP2005076099A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜の製造方法とそれにより造られた薄膜、積層薄膜、透明プラスチックフィルム、及び積層薄膜付き有機el素子 |
-
2006
- 2006-01-30 FR FR0600829A patent/FR2896807B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-30 US US12/162,377 patent/US20090081433A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-30 CN CNA2007800014638A patent/CN101360845A/zh active Pending
- 2007-01-30 EP EP07703133A patent/EP1979505B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-30 WO PCT/EP2007/000779 patent/WO2007085494A1/en active Application Filing
- 2007-01-30 DE DE602007006626T patent/DE602007006626D1/de active Active
- 2007-01-30 RU RU2008135371/02A patent/RU2418883C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-30 JP JP2008551733A patent/JP2009525397A/ja active Pending
- 2007-01-30 ES ES07703133T patent/ES2345910T3/es active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2896807A1 (fr) | 2007-08-03 |
ES2345910T3 (es) | 2010-10-05 |
JP2009525397A (ja) | 2009-07-09 |
DE602007006626D1 (de) | 2010-07-01 |
CN101360845A (zh) | 2009-02-04 |
US20090081433A1 (en) | 2009-03-26 |
FR2896807B1 (fr) | 2008-03-14 |
EP1979505B1 (en) | 2010-05-19 |
EP1979505A1 (en) | 2008-10-15 |
RU2418883C2 (ru) | 2011-05-20 |
WO2007085494A1 (en) | 2007-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8007910B2 (en) | Ultrahard multilayer coating comprising nanocrystalline diamond and nanocrystalline cubic boron nitride | |
Erdemir et al. | Tribological properties of nanocrystalline diamond films | |
JP5703017B2 (ja) | 炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法 | |
RU2008135371A (ru) | Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения | |
Wang et al. | The effect of applied negative bias voltage on the structure of Ti-doped aC: H films deposited by FCVA | |
US5786038A (en) | Synthetic diamond layers having wear resistant coatings formed in situ and methods of applying such coatings | |
Dumpala et al. | Engineered CVD diamond coatings for machining and tribological applications | |
JP2004010923A (ja) | 摺動部材及びその製造方法 | |
Xu et al. | Structural properties of hydrogenated Al-doped diamond-like carbon films fabricated by a hybrid plasma system | |
Zhang et al. | Towards high adherent and tough aC coatings | |
Xu et al. | Effects of bias voltage on the microstructure and properties of Al-doped hydrogenated amorphous carbon films synthesized by a hybrid deposition technique | |
Zheng et al. | Design and fabrication of HfC, SiC/HfC and HfC-SiC/HfC interlayers for improving the adhesion between diamond coatings and cemented carbides | |
Bi et al. | Effect of Si/O doping on the thermal stability of non-bonded hydrogenated diamondlike carbon coatings | |
Dai et al. | Compositionally modulated multilayer diamond-like carbon coatings with AlTiSi multi-doping by reactive high power impulse magnetron sputtering | |
Yuan et al. | Improvement in the universality of high-performance CVD diamond coatings on different WC-Co substrates by introducing multilayered diamond/β-SiC composite | |
US20030143402A1 (en) | Superior toughness and adhesive strength ceramic coating of titanium aluminum carbon nitride-amorphous carbon nanocomposite | |
Robertson | Classification of diamond-like carbons | |
JP2009035584A (ja) | 摺動部材 | |
Zhou et al. | Structural, mechanical and tribological behavior of different DLC films deposited on plasma nitrided CF170 steel | |
JP5724197B2 (ja) | 被覆部材およびその製造方法 | |
JP5492090B2 (ja) | 水素化非晶質炭素コーティングを生成する方法 | |
Poulon-Quintin et al. | Bilayer systems of tantalum or zirconium nitrides and molybdenum for optimized diamond deposition | |
JP2015178670A (ja) | Dlc皮膜の成膜方法 | |
Lee et al. | The effect of rf substrate bias on the properties of carbon nitride films produced by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition | |
Januś | DLC layers created using CVD techniques and their application |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120131 |