RU2008131574A - Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности - Google Patents
Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008131574A RU2008131574A RU2008131574/28A RU2008131574A RU2008131574A RU 2008131574 A RU2008131574 A RU 2008131574A RU 2008131574/28 A RU2008131574/28 A RU 2008131574/28A RU 2008131574 A RU2008131574 A RU 2008131574A RU 2008131574 A RU2008131574 A RU 2008131574A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- strain gauge
- layer
- metal
- vacuum
- nichrome
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности, заключающийся в том, что на поверхность наносят слой керамики на основе окисла алюминия, который затем шлифуют, на него осаждают металлическую пасту, которая сплавляется при высокой температуре, на которой формируют рисунок тензорезистора, отличающийся тем, что металлическую поверхность окисляют методом глубокого пористого анодирования до формирования пленки окисла толщиной, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию тензорезистора от поверхности металла, упрочняют пленку окисла обжигом в азотной атмосфере, наносят в вакууме слои SiO2 или Ta2O5, полируют его до 14 класса чистоты, наносят на него слой нихрома с необходимым удельным сопротивлением посредством термического испарения нихрома из тигля в вакууме, напыляют в вакууме слои алюминия и меди, изготавливают по тонкопленочной фотолитографии рисунок тензорезистора с контактными площадками, приваривают к ним токопроводящие проводники и готовый тензорезистор изолируют сверху слоем SiO2.
Claims (1)
- Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности, заключающийся в том, что на поверхность наносят слой керамики на основе окисла алюминия, который затем шлифуют, на него осаждают металлическую пасту, которая сплавляется при высокой температуре, на которой формируют рисунок тензорезистора, отличающийся тем, что металлическую поверхность окисляют методом глубокого пористого анодирования до формирования пленки окисла толщиной, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию тензорезистора от поверхности металла, упрочняют пленку окисла обжигом в азотной атмосфере, наносят в вакууме слои SiO2 или Ta2O5, полируют его до 14 класса чистоты, наносят на него слой нихрома с необходимым удельным сопротивлением посредством термического испарения нихрома из тигля в вакууме, напыляют в вакууме слои алюминия и меди, изготавливают по тонкопленочной фотолитографии рисунок тензорезистора с контактными площадками, приваривают к ним токопроводящие проводники и готовый тензорезистор изолируют сверху слоем SiO2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008131574/28A RU2389973C2 (ru) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008131574/28A RU2389973C2 (ru) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008131574A true RU2008131574A (ru) | 2010-02-10 |
| RU2389973C2 RU2389973C2 (ru) | 2010-05-20 |
Family
ID=42123388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008131574/28A RU2389973C2 (ru) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2389973C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105220198A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-01-06 | 桂林电子科技大学 | 一种耐酸碱腐蚀轻金属材料弹性体及其制造工艺 |
| CN114322740A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-12 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计及其制备方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2658089C1 (ru) * | 2016-12-16 | 2018-06-19 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Тонкопленочные Технологии" | Датчик деформации |
| RU2685405C1 (ru) * | 2018-03-06 | 2019-04-17 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Способ регулировки значения потребляемого тока инициирующих устройств |
| RU2698554C1 (ru) * | 2018-12-18 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д.Ф. Устинова (БГТУ "ВОЕНМЕХ") | Способ установки тензорезисторов |
| RU2736233C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-11-12 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиимидной подложке и способ его изготовления |
-
2008
- 2008-07-30 RU RU2008131574/28A patent/RU2389973C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105220198A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-01-06 | 桂林电子科技大学 | 一种耐酸碱腐蚀轻金属材料弹性体及其制造工艺 |
| CN105220198B (zh) * | 2015-10-22 | 2017-12-19 | 桂林电子科技大学 | 一种耐酸碱腐蚀轻金属材料弹性体及其制造工艺 |
| CN114322740A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-12 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种基于磁控溅射的复合薄膜应变计及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2389973C2 (ru) | 2010-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008131574A (ru) | Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформаций поверхности | |
| JP5884110B2 (ja) | 歪抵抗素子およびそれを用いた歪検出装置 | |
| JP2016535930A5 (ru) | ||
| JP2017507484A5 (ru) | ||
| JP2014078558A5 (ru) | ||
| JP3493343B2 (ja) | プラチナ温度センサおよびその製造方法 | |
| CN103021605B (zh) | 片式铂热敏电阻器制作方法 | |
| CN104155035B (zh) | 压力传感器的形成方法 | |
| JP2015534082A (ja) | 温度プローブおよび温度プローブの製造方法 | |
| KR102237782B1 (ko) | 센서 제조 방법, 센서 및 센서 사용방법 | |
| RU2367062C1 (ru) | Полупроводниковый резистор | |
| Díez-Sierra et al. | Manufacturing smart surfaces with embedded sensors via magnetron sputtering and laser scribing | |
| JP2007535145A (ja) | 電解コンデンサ用の一体型セパレータ | |
| KR20220042224A (ko) | 가요성 수동 전자 컴포넌트 및 그 생산 방법 | |
| CN103680787B (zh) | 一种柔性精密电阻器及其制备方法 | |
| JP2017168749A (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| CN108893740B (zh) | 一种液气相交替沉积制备高温绝缘薄膜的方法 | |
| CN108807211B (zh) | 一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法 | |
| RU2583952C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного резистора | |
| JP2020521975A (ja) | ひずみゲージならびにこうしたひずみゲージを有する金属帯 | |
| CN207663866U (zh) | 一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 | |
| WO2015166770A1 (ja) | 熱式空気流量センサ | |
| CN205248317U (zh) | 一种具有延伸电极的磁敏器件 | |
| JPH0765937B2 (ja) | センサ素子およびその製造方法 | |
| CN104409622A (zh) | 一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130731 |