RU2008120706A

RU2008120706A - Способ обработки подложки

Info

Publication number: RU2008120706A
Application number: RU2008120706/03A
Authority: RU
Inventors: Николя НАДО (FR); Николя Надо; Стефани РОШ (FR); Стефани Рош; Уве ШМИДТ (DE); Уве Шмидт; Маркус ЛЕРГЕН (DE); Маркус Лерген
Original assignee: Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr); Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date: 2005-10-25
Filing date: 2006-10-23
Publication date: 2009-12-10
Also published as: WO2007048963A3; JP5221364B2; WO2007048963A2; JP2009513828A; KR20080059248A; FR2892409B1; US20090011194A1; CN101296876A; CN101296876B; EP1943197A2; RU2410341C2; FR2892409A1; EP1943197B1; PL1943197T3

Abstract

1. Способ обработки, по меньшей мере, одной части поверхности, по меньшей мере, одной пленки А, расположенной между подложкой и одной пленкой В покрытия, состоящего из тонких пленок, нанесенных под вакуумом на стеклообразную подложку, отличающийся тем, что ! осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной тонкой пленки А на часть поверхности упомянутой подложки, причем стадию осаждения осуществляют способом вакуумного напыления, ! генерируют с помощью, по меньшей мере, одного линейного ионного источника плазму из ионизированных частиц из газа или смеси газов, ! по меньшей мере, одну часть поверхности пленки А подвергают воздействию плазмы для модификации, по меньшей мере частично, поверхности пленки А ионизированными частицами, ! осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной пленки В на одну часть поверхности пленки А, причем данную стадию осуществляют способом вакуумного напыления. ! 2. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что пленка А содержит множество пленок Аi, нанесенных друг на друга, при этом, по меньшей мере, одну из пленок Аi (где I равно от 1 до n и n≥1) подвергают воздействию плазмы. ! 3. Способ обработки поверхности по п.2, отличающийся тем, что обработку поверхности осуществляют с помощью одного или нескольких линейных ионных источников, расположенных последовательно. ! 4. Способ обработки поверхности по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что способ осуществляют методом напыления вверх и вниз. ! 5. Способ обработки поверхности по п.1, отличающийся тем, что линейный ионный источник устанавливают в той же камере, где размещена установка для вакуумного напыления, позволяющая осуществлять нанесение пленки А. ! 6. С

Claims

1. Способ обработки, по меньшей мере, одной части поверхности, по меньшей мере, одной пленки А, расположенной между подложкой и одной пленкой В покрытия, состоящего из тонких пленок, нанесенных под вакуумом на стеклообразную подложку, отличающийся тем, что

осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной тонкой пленки А на часть поверхности упомянутой подложки, причем стадию осаждения осуществляют способом вакуумного напыления,

генерируют с помощью, по меньшей мере, одного линейного ионного источника плазму из ионизированных частиц из газа или смеси газов,

по меньшей мере, одну часть поверхности пленки А подвергают воздействию плазмы для модификации, по меньшей мере частично, поверхности пленки А ионизированными частицами,

осуществляют осаждение, по меньшей мере, одной пленки В на одну часть поверхности пленки А, причем данную стадию осуществляют способом вакуумного напыления.

2. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что пленка А содержит множество пленок Аi, нанесенных друг на друга, при этом, по меньшей мере, одну из пленок Аi (где I равно от 1 до n и n≥1) подвергают воздействию плазмы.

3. Способ обработки поверхности по п.2, отличающийся тем, что обработку поверхности осуществляют с помощью одного или нескольких линейных ионных источников, расположенных последовательно.

4. Способ обработки поверхности по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что способ осуществляют методом напыления вверх и вниз.

5. Способ обработки поверхности по п.1, отличающийся тем, что линейный ионный источник устанавливают в той же камере, где размещена установка для вакуумного напыления, позволяющая осуществлять нанесение пленки А.

6. Способ обработки поверхности по п.1, отличающийся тем, что линейный ионный источник устанавливают в камере, изолированной от камеры, в которой находится установка для вакуумного напыления, позволяющая осуществлять нанесение пленки А.

7. Способ обработки поверхности по п.1, отличающийся тем, что линейный ионный источник устанавливают под углом от 30° до 90° относительно плоскости основы.

8. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что осаждение осуществляют путем катодного напыления, в частности, в магнитном поле.

9. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что вакуумное напыление представляет собой PECVD (плазменное химическое осаждение из паровой фазы).

10. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что используют газовую плазму на основе инертного газа, кислорода или азота.

11. Способ обработки по п.1, отличающийся тем, что посредством линейного ионного источника генерируют коллимированный пучок ионов с энергией, составляющей от 0,05 до 2,5 кэВ.

12. Подложка, полученная способом по любому из пп.1-11, отличающаяся тем, что на подложку нанесено покрытие из множества пленок с сильным отражением теплового излучения, состоящее из, по меньшей мере, одной последовательности из, по меньшей мере, пяти пленок, содержащих

первую пленку на основе оксида металла, выбранного, в частности, из оксида олова или оксида титана,

пленку из оксида металла, в частности, на основе оксида цинка, нанесенную на первую пленку,

пленку из серебра,

пленку из металла, выбранного, в частности, из никель-хрома, титана, ниобия, циркония, нанесенную на пленку из серебра,

верхнюю пленку, содержащую оксид металла или полупроводник, выбранную, в частности, из оксида олова, оксида цинка или оксида титана и нанесенную на пленку из металла.

13. Подложка, полученная способом по любому из пп.1-11, отличающаяся тем, что на подложку нанесено покрытие из набора тонких пленок, состоящих из чередования n функциональных пленок В с отражающими инфракрасное и/или солнечное излучение свойствами, в частности, на основе серебра, и (n+1) слоев А, где n≥1, причем слои А содержат одну пленку или нанесенные друг на друга пленки из диэлектрического материала на основе, в частности, нитрида кремния, или смеси кремния и алюминия, или оксинитрида кремния, или оксида цинка, так, что каждая функциональная пленка В расположена между двумя слоями А, причем набор пленок содержит также пленки, абсорбирующие в видимой области спектра, в частности, на основе титана, никель-хрома, циркония, возможно, азотированные, расположенные выше и/или ниже функциональной пленки.

14. Подложка, полученная способом по любому из пп.1-11, отличающаяся тем, что на подложку нанесено покрытие из набора тонких пленок, состоящих из одной или чередования или n функциональных пленок В с отражающими инфракрасное и/или солнечное излучение свойствами, в частности на основе преимущественно металла, и (n+1) пленок А, где n≥1, причем упомянутый набор состоит, с одной стороны, из одной пленки или множества пленок, из которых, по меньшей мере, одна пленка из диэлектрического материала, в частности на основе оксида олова, или из металла - никель-хрома, и, с другой стороны, из, по меньшей мере, одной функциональной пленки из серебра или сплава металлов, содержащего серебро, причем каждая функциональная пленка расположена между двумя пленками из диэлектрика.

15. Подложка, полученная способом по любому из пп.1-11, отличающаяся тем, что содержит набор тонких пленок, содержащий, по меньшей мере, одну последовательность из, по меньшей мере, пяти последовательно расположенных пленок, содержащих

первую пленку, в частности на основе нитрида кремния,

пленку, в частности на основе никель-хрома или титана, нанесенную на первую пленку,

функциональную пленку со способностью отражать в области инфракрасного солнечного излучения, в частности на основе серебра,

пленку из металла, выбранную, в частности из никель-хрома, титана, ниобия, циркония и нанесенную на пленку из серебра,

верхнюю пленку на основе нитрида кремния, нанесенную на пленку из металла.

16. Подложка, полученная способом по любому из пп.1-11, отличающаяся тем, что на подложку нанесен набор тонких слоев с самоочищающимися свойствами, включающий по меньшей мере, одну функциональную пленку, состоящую из TiO₂, и один барьерный подслой гетероэпитаксиального назначения.

17. Подложка по любому из пп.12-16, отличающаяся тем, что она предназначена для использования в автомобильной промышленности, в частности для крыши автомобиля, бокового стекла, ветрового стекла, заднего стекла, зеркала заднего вида, или для простого или двойного стекла, предназначенного для строений, в частности внутреннего или наружного стекла здания, для витрины, прилавка в магазине, который может быть выпуклым, для защитного стекла для предмета типа картины, для компьютерного экрана с антиослепляющим эффектом, оборудования из стекла.

18. Подложка по п.17, отличающаяся тем, что она выпуклая.