RU2008116685A - Смесительные системы технологического контроля в пунктах использования и соответствующие способы - Google Patents
Смесительные системы технологического контроля в пунктах использования и соответствующие способы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008116685A RU2008116685A RU2008116685/28A RU2008116685A RU2008116685A RU 2008116685 A RU2008116685 A RU 2008116685A RU 2008116685/28 A RU2008116685/28 A RU 2008116685/28A RU 2008116685 A RU2008116685 A RU 2008116685A RU 2008116685 A RU2008116685 A RU 2008116685A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- bath
- solution
- chemical solution
- concentration
- mixing unit
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 74
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 24
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 2
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D11/00—Control of flow ratio
- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
- G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D21/00—Control of chemical or physico-chemical variables, e.g. pH value
- G05D21/02—Control of chemical or physico-chemical variables, e.g. pH value characterised by the use of electric means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
Abstract
1. Смесительная система для поддержания ванны химического раствора при желаемых концентрациях, содержащая: ! смесительный блок, выполненный с возможностью приема и смешивания, по меньшей мере, двух химических соединений и доставления раствора, включающего смесь соединений с выбранными концентрациями, в, по меньшей мере, один резервуар, который поддерживает выбранный объем ванны химического раствора; и ! контроллер, выполненный с возможностью поддержания, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в ванне химического раствора, при этом контроллер выполнен с возможностью управления, по меньшей мере, одним из: ! работой смесительного блока для поддержания концентрации, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, доставленном в резервуар; и ! изменением скорости потока раствора, поступающего в резервуар и выходящего из резервуара, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона. ! 2. Система по п.1, в которой смесительный блок непрерывно доставляет раствор в резервуар в ходе работы системы. ! 3. Система по п.1, в которой контроллер выполнен с возможностью увеличивать скорость потока раствора из смесительного блока в резервуар и способствовать увеличению скорости потока ванны химического раствора из резервуара для поддержания выбранного объема ванны раствора в резервуаре, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона. ! 4. Система по п.3, в которой контроллер выполнен с возможностью
Claims (27)
1. Смесительная система для поддержания ванны химического раствора при желаемых концентрациях, содержащая:
смесительный блок, выполненный с возможностью приема и смешивания, по меньшей мере, двух химических соединений и доставления раствора, включающего смесь соединений с выбранными концентрациями, в, по меньшей мере, один резервуар, который поддерживает выбранный объем ванны химического раствора; и
контроллер, выполненный с возможностью поддержания, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в ванне химического раствора, при этом контроллер выполнен с возможностью управления, по меньшей мере, одним из:
работой смесительного блока для поддержания концентрации, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, доставленном в резервуар; и
изменением скорости потока раствора, поступающего в резервуар и выходящего из резервуара, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
2. Система по п.1, в которой смесительный блок непрерывно доставляет раствор в резервуар в ходе работы системы.
3. Система по п.1, в которой контроллер выполнен с возможностью увеличивать скорость потока раствора из смесительного блока в резервуар и способствовать увеличению скорости потока ванны химического раствора из резервуара для поддержания выбранного объема ванны раствора в резервуаре, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
4. Система по п.3, в которой контроллер выполнен с возможностью управления манипулированием дренажным клапаном, соединенным с резервуаром, чтобы увеличить скорость потока ванны химического раствора из резервуара и поддерживать выбранный объем ванны химического раствора в резервуаре в ходе увеличения скорости потока раствора из смесительного блока в резервуар.
5. Система по п.3, также содержащая концентрационный датчик, сообщающийся с контроллером, при этом концентрационный датчик измеряет концентрацию, по меньшей мере, одного соединения ванны химического раствора, чтобы передать показание контроллеру, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
6. Система по п.3, в которой контроллер выполнен с возможностью подавать раствор из смесительного блока в резервуар, содержащий, по меньшей мере, одно соединение в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, при первой скорости потока, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора находится в пределах целевого диапазона, и контроллер выполнен с возможностью подавать раствор из смесительного блока в резервуар, содержащий, по меньшей мере, одно соединение в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, при второй скорости потока, которая больше, чем первая скорость потока, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора находится за пределами целевого диапазона.
7. Система по п.6, также содержащая:
первый источник питания, который доставляет пероксид водорода к смесительному блоку; и
второй источник питания, который доставляет гидроксид аммония к смесительному блоку;
причем контроллер выполнен с возможностью контролировать доставку пероксида водорода и гидроксида аммония с выбранными концентрациями и при изменяющихся скоростях потока к смесительному блоку так, что смесительный блок подает раствор в резервуар при первой и второй скоростях потока, поддерживая в то же время пероксид водорода в пределах первого концентрационного диапазона и гидроксид аммония - в пределах второго концентрационного диапазона в растворе, доставленном в резервуар.
8. Система по п.7, в которой первая скорость потока равна не более, чем примерно 10 л/мин, и вторая скорость потока равна не более, чем примерно 20 л/мин.
9. Система по п.7, в которой контроллер выполнен с возможностью управления смесительным блоком и скоростями потока раствора в резервуар и ванны химического раствора из резервуара так, что пероксид водорода поддерживают в диапазоне примерно 1% первой целевой концентрации в ванне химического раствора, и гидроксид аммония поддерживают в диапазоне примерно 1% целевой концентрации в ванне химического раствора.
10. Система по п.9, в которой первая целевая концентрация пероксида водорода в ванне химического раствора равна примерно 5,5% по массе ванны химического раствора, и вторая целевая концентрация гидроксида аммония в ванне химического раствора равна примерно 1% по массе ванны химического раствора.
11. Система по п.7, дополнительно содержащая:
третий питающий источник, который доставляет третье соединение в ванну химического раствора, причем третье соединение разлагает, по меньшей мере, одно из соединений: пероксид водорода и гидроксид аммония.
12. Система по п.1, в которой смесительный блок выполнен с возможностью подавать смесь соединений с выбранными концентрациями к множеству резервуаров.
13. Система обработки полупроводников, содержащая:
средство для обработки полупроводников, содержащее резервуар, причем средство для обработки полупроводников выполнено с возможностью обработки полупроводникового компонента; и
смесительную систему, содержащую:
смесительный блок, выполненный с возможностью приема и смешивания, по меньшей мере, двух химических соединений и доставления раствора, включающего смесь соединений с выбранными концентрациями, в резервуар, причем резервуар удерживает выбранный объем ванны химического раствора; и
контроллер, выполненный с возможностью поддержания, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в ванне химического раствора, при этом контроллер управляет, по меньшей мере, одним из:
работой смесительного блока для поддержания концентрации, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, доставленном в резервуар; и
изменением скорости потока раствора, поступающего в резервуар и выходящего из резервуара, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
14. Система по п.13, в которой смесительная система находится по существу в непосредственной близости к технологическому средству.
15. Способ подачи химического раствора в резервуар, включающий:
подачу, по меньшей мере, двух соединений в смесительный блок для образования смешанного раствора, по меньшей мере, двух соединений с выбранными концентрациями;
подачу смешанного раствора из смесительного блока в резервуар для образования ванны химического раствора в резервуаре, причем ванна химического раствора имеет выбранный объем; и
поддержание концентрации, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора в пределах выбранного диапазона концентрации посредством, по меньшей мере, одного из:
управления смесительным блоком для поддержания концентрации, по меньшей мере, одного соединения в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, доставленном в резервуар; и
изменения скорости потока раствора, поступающего в резервуар и выходящего из него, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
16. Способ по п.15, при котором смесительный блок непрерывно доставляет раствор в резервуар во время работы системы.
17. Способ по п.16, при котором смесительным блоком управляют для увеличения скорости потока раствора из смесительного блока в резервуар, и скорость потока ванны химического раствора из резервуара увеличивают для поддержания выбранного объема ванны химического раствора в резервуаре, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора выходит за пределы целевого диапазона.
18. Способ по п.17, при котором скорость потока ванны химического раствора из резервуара увеличивают за счет открытия дренажного клапана, соединенного с резервуаром.
19. Способ по п.17, дополнительно включающий:
измерение концентрации, по меньшей мере, одного соединения ванны химического раствора; и
автоматическое управление смесительным блоком и скоростью потока ванны химического раствора из резервуара, основанное на измеренной концентрации, по меньшей мере, одного соединения ванны химического раствора так, чтобы поддержать, по меньшей мере, одно соединение в ванне химического раствора в пределах выбранного диапазона концентрации.
20. Способ по п.17, при котором смесительный блок управляется, чтобы подавать раствор в резервуар, содержащий, по меньшей мере, одно соединение в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, при первой скорости потока, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора находится в пределах целевого диапазона, и смесительный блок управляется, чтобы подавать раствор из смесительного блока в резервуар, содержащий, по меньшей мере, одно соединение в пределах выбранного диапазона концентрации в растворе, при второй скорости потока, которая больше, чем первая скорость потока, когда концентрация, по меньшей мере, одного соединения в ванне химического раствора находится за пределами целевого диапазона.
21. Способ по п.20, при котором подача, по меньшей мере, двух соединений в смесительный блок включает:
подачу в смесительный блок пероксида водорода; и
подачу в смесительный блок гидроксида аммония;
при этом доставка пероксида водорода и гидроксида аммония в смесительный блок и работа смесительного блока управляются таким образом, что раствор подают в резервуар с первой и второй скоростями потока, поддерживая в то же время пероксид водорода в пределах первого диапазона концентрации и гидроксид аммония - в пределах второго диапазона концентрации в растворе, доставленном в резервуар.
22. Способ по п.21, при котором первая скорость потока равна не более, чем примерно 10 л/мин, и вторая скорость потока равна не более, чем примерно 20 л/мин.
23. Способ по п.21, при котором смесительный блок и скорости потоков раствора в резервуар и ванны химического раствора из резервуара управляются так, что пероксид водорода поддерживают в пределах диапазона примерно 1% первой целевой концентрации в ванне химического раствора, и гидроксид аммония поддерживают в пределах диапазона примерно 1% второй целевой концентрации в ванне химического раствора.
24. Способ по п.21, при котором первая целевая концентрация пероксида водорода в ванне химического раствора равна примерно 5,5% по массе ванны химического раствора, и вторая целевая концентрация гидроксида аммония в ванне химического раствора равна примерно 1% по массе ванны химического раствора.
25. Способ по п.20, дополнительно включающий:
доставку третьего соединения в ванну химического раствора, где третье соединение разлагает, по меньшей мере, одно из соединений: пероксид водорода и гидроксид аммония.
26. Способ по п.15, при котором резервуар содержит средство обработки полупроводников.
27. Способ по п.26, при котором смесительный блок находится по существу в непосредственной близости к технологическому средству.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US72059705P | 2005-09-26 | 2005-09-26 | |
| US60/720,597 | 2005-09-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008116685A true RU2008116685A (ru) | 2009-11-10 |
Family
ID=37617280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008116685/28A RU2008116685A (ru) | 2005-09-26 | 2006-09-21 | Смесительные системы технологического контроля в пунктах использования и соответствующие способы |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1934663A1 (ru) |
| JP (1) | JP2009510556A (ru) |
| KR (1) | KR101263537B1 (ru) |
| CN (1) | CN101273317A (ru) |
| RU (1) | RU2008116685A (ru) |
| WO (1) | WO2007034304A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110079247A1 (en) * | 2008-03-17 | 2011-04-07 | Yue Ma | Solution preparation apparatus and method for treating individual semiconductor workpiece |
| JP5558854B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2014-07-23 | 倉敷紡績株式会社 | 液体混合方法及び液体混合装置 |
| CN102147625B (zh) * | 2010-02-08 | 2013-03-13 | 鞍钢股份有限公司 | 一种再生酸密度检测控制装置及方法 |
| EP2919899A1 (en) | 2012-11-16 | 2015-09-23 | Entegris - Jetalon Solutions, Inc. | Controlling mixing concentration |
| US9636648B2 (en) * | 2015-02-19 | 2017-05-02 | Asahi Kasei Bioprocess, Inc. | System and method for compensating binary inlet buffers during inline buffer diluation |
| WO2017031257A2 (en) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | Ichor Systems, Inc. | Fluid control system |
| JP2019501095A (ja) * | 2015-11-03 | 2019-01-17 | カーギル・インコーポレイテッド | 温度に対して安定である化学溶液を製造するためのシステム及び方法 |
| US10877491B2 (en) * | 2017-09-14 | 2020-12-29 | Delaware Capital Formation, Inc. | Pressure compensated Venturi dispensing system |
| CN112327953B (zh) * | 2020-11-05 | 2023-04-07 | 山西黄腾化工有限公司 | 一种聚羧酸外加剂的加工工艺 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR100290703B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2001-06-01 | 윤종용 | 정량공급조건을갖는반도체웨이퍼세정방법 |
| JP3075350B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| US6464799B1 (en) * | 1999-06-01 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method for managing a fluid level associated with a substrate processing tank |
| US6584989B2 (en) * | 2001-04-17 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for wet cleaning |
-
2006
- 2006-09-21 CN CNA2006800354279A patent/CN101273317A/zh active Pending
- 2006-09-21 RU RU2008116685/28A patent/RU2008116685A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-09-21 WO PCT/IB2006/002618 patent/WO2007034304A1/en active Application Filing
- 2006-09-21 EP EP06808874A patent/EP1934663A1/en not_active Withdrawn
- 2006-09-21 JP JP2008531810A patent/JP2009510556A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-25 KR KR1020087010026A patent/KR101263537B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009510556A (ja) | 2009-03-12 |
| KR20080053941A (ko) | 2008-06-16 |
| EP1934663A1 (en) | 2008-06-25 |
| KR101263537B1 (ko) | 2013-05-14 |
| CN101273317A (zh) | 2008-09-24 |
| WO2007034304A1 (en) | 2007-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008116685A (ru) | Смесительные системы технологического контроля в пунктах использования и соответствующие способы | |
| US11046599B2 (en) | Chemical injection and control system and method for controlling chloramines | |
| US11229887B2 (en) | Ozone water supply method and ozone water supply device | |
| TW200711720A (en) | Apparatus and process for integrated gas blending | |
| ATE516125T1 (de) | Mischvorrichtungen, mischverfahren und verwendung der mischvorrichtungen zur herstellung von gipsplatten | |
| AU2018275261B2 (en) | Chemical injection control system and method for controlling chloramines | |
| US20210032135A1 (en) | Chemical Control Systems and Methods for Controlling Disinfectants | |
| KR20180101365A (ko) | 공급 액체 제조 장치 및 공급 액체 제조 방법 | |
| JP2020031159A (ja) | 電子部品用洗浄水製造システム及び電子部品用洗浄水製造システムの運転方法 | |
| JP2014534954A5 (ru) | ||
| CN205581662U (zh) | 一种精确的高位自流加药系统 | |
| CN105236528A (zh) | 一种新型氯胺投加系统装置及其投放方法 | |
| US20210337801A1 (en) | Method and apparatus for controlling the production of a haloamine biocide | |
| JP6738726B2 (ja) | 希釈液製造装置および希釈液製造方法 | |
| KR20060095640A (ko) | 약액 혼합 공급 장치 및 방법 | |
| ATE387009T1 (de) | Flüssigkeitsabgabestabilisierung für wafervorbereitungssystem | |
| CN112725900A (zh) | 一种扩散源瓶及扩散源供应系统 | |
| JP2020146677A (ja) | 化学液体希釈システムおよび方法 | |
| KR20150085862A (ko) | 수처리용 기액혼합 장치 | |
| WO2022196470A1 (ja) | 機能性水溶液供給装置 | |
| US20230335417A1 (en) | Wafer cleaning water supply system and wafer cleaning water supply method | |
| KR20020069576A (ko) | 화학용액 자동 공급장치 및 그 제어방법 | |
| JPH02159029A (ja) | 薬液処理方法およびその装置 | |
| WO2018222841A1 (en) | Chemical injection control system and method for controlling chloramines | |
| CN115991547A (zh) | 包含pH调节的富氧曝气系统及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20110111 |