CN112725900A - 一种扩散源瓶及扩散源供应系统 - Google Patents

一种扩散源瓶及扩散源供应系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112725900A
CN112725900A CN202011613644.XA CN202011613644A CN112725900A CN 112725900 A CN112725900 A CN 112725900A CN 202011613644 A CN202011613644 A CN 202011613644A CN 112725900 A CN112725900 A CN 112725900A
Authority
CN
China
Prior art keywords
source
liquid
bottle
liquid level
diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011613644.XA
Other languages
English (en)
Inventor
钱洪强
张树德
赵保星
倪志春
魏青竹
连维飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd filed Critical Suzhou Talesun Solar Technologies Co Ltd
Priority to CN202011613644.XA priority Critical patent/CN112725900A/zh
Publication of CN112725900A publication Critical patent/CN112725900A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/08Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/18Controlling or regulating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2233Diffusion into or out of AIIIBV compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种扩散源瓶,包括:源瓶和连通管,所述源瓶与所述连通管连通,所述连通管上设置有感应器,所述连通管内的液位与所述源瓶内的液位一致,用于通过感应所述连通管内的液位以监控所述源瓶内的液位;所述感应器包括:低液位感应器,高液位感应器和超高液位感应器,所述低液位感应器、所述高液位感应器和所述超高液位感应器从下到上依次排列设置于所述连通管上,用于监控所述源瓶内的液位;能够实时监测源瓶内源液的液位,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位,不需要频繁更换源瓶,有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。

Description

一种扩散源瓶及扩散源供应系统
技术领域
本发明涉及晶体太阳能电池技术领域,具体涉及一种扩散源瓶及扩散源供应系统。
背景技术
晶体硅太阳能电池的扩散工艺一般是利用P型硅作为基底材料,在800℃左右,通过扩散五价的磷原子形成P-N结的过程。扩散使用的是扩散炉,三氯氧磷是扩散的主要原料,通过小流量的氮气将装在源瓶中的液体状的三氯氧磷携带至石英管内参加反应。
但是现有技术存在以下缺陷:
1.扩散源瓶内三氯氧磷使用到一定程度后,需要更换扩散源瓶,更换下来的源瓶一般会留一部分源液在里面,不能完全消耗,这样,不仅造成了三氯氧磷浪费,且由于三氯氧磷是剧毒化学品,暴露于潮湿空气中即水解成磷酸和氯化氢,产生大量白烟,人体吸入有致命危险,同时对坏境也有很大影响。
2.现有技术中也有相关研究,一般是设法将源瓶内源液用尽,但实际生产中,源瓶内少于一定量的源液会造成扩散方阻波动变大,均匀性会大受影响,不利于批量生产中保持工艺制程稳定。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种扩散源瓶及扩散源供应系统,能够实时监测源瓶内源液的液位,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位,不需要频繁更换源瓶,有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。
为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
一种扩散源瓶,包括:源瓶和连通管,所述源瓶与所述连通管连通,所述连通管上设置有感应器,所述连通管内的液位与所述源瓶内的液位一致,用于通过感应所述连通管内的液位以监控所述源瓶内的液位;
所述感应器包括:低液位感应器,高液位感应器和超高液位感应器,所述低液位感应器、所述高液位感应器和所述超高液位感应器从下到上依次排列设置于所述连通管上,用于监控所述源瓶内的液位。
本发明公开一种扩散源瓶及扩散源供应系统,能够实时监测源瓶内源液的液位,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位,不需要频繁更换源瓶,有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。
在上述技术方案的基础上,还可做如下改进:
作为优选的方案,所述源瓶具有一顶壁,所述顶壁上设有进气部件,所述进气部件的一侧壁上设有进气口,所述进气口连通一外部氮气源,用于向所述源瓶内通入氮气。
作为优选的方案,所述进气部件的下端设有进氮气管,所述进气口与所述进氮气管连通,所述进氮气管的一端部插入所述源瓶内的源液中。
作为优选的方案,所述源瓶的顶壁上设有出气部件,所述出气部件上设有动力源,用于抽取所述源瓶内的氮气携带源液蒸汽后进入一恒温装置进行扩散反应。
作为优选的方案,所述源瓶的顶壁上设有进源液部件,所述进源液部件的一侧壁上设有进源口,所述进源口上设有驱动组件,用于向所述源瓶内抽吸源液。
本发明还公开了一种扩散源供应系统,包括:以上任一项所述扩散源瓶和扩散源供应装置,所述扩散源瓶与所述扩散源供应装置连接。
作为优选的方案,所述扩散源供应装置包括:集中供液桶,所述集中供液桶内盛有能够供应若干个源瓶的源液。
作为优选的方案,所述集中供液桶的顶壁上分别设有进气阀和出液阀,所述进气阀用于抽吸氮气进入所述集中供液桶内,抽吸进入的氮气用于将所述集中供液桶内的源液抽吸进入出液阀。
作为优选的方案,所述扩散源供应装置包括:传输源液管道,所述传输源液管道上设有单向阀,所述传输源液管道一端与进源口连通,所述传输源液管道另一端与所述出液阀连通。
作为优选的方案,所述扩散源供应装置还包括:称重器,所述集中供液桶具有一集中供液桶底部,所述集中供液桶底部呈凹型,所述集中供液桶底部与所述称重器连接。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种扩散源瓶的结构图;
图2为本发明实施例提供的一种扩散源供应系统的结构图。
其中:
1、源瓶,2、连通管,3、低液位感应器,4、高液位感应器,5、超高液位感应器,6、进气部件,61、进气口,62、进氮气管,7、出气部件,8、进源液部件,81、进源口,9、集中供液桶,10、进气阀,11、出液阀,12、传输源液管道,13、单向阀,14、集中供液桶底部,15、称重器。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的,如图1-2所示,一种扩散源瓶,包括:源瓶1和连通管2,所述源瓶1与所述连通管2连通,所述连通管2上设置有感应器,所述连通管2内的液位与所述源瓶1内的液位一致,用于通过感应所述连通管2内的液位以监控所述源瓶1内的液位;
所述感应器包括:低液位感应器3,高液位感应器4和超高液位感应器5,所述低液位感应器3、所述高液位感应器4和所述超高液位感应器5从下到上依次排列设置于所述连通管2上,用于监控所述源瓶1内的液位。
本发明公开一种扩散源瓶及扩散源供应系统,能够实时监测源瓶内源液的液位,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够保持安全液位,不需要频繁更换源瓶,有利于批量生产中保持工艺制程的稳定性。
在上述技术方案的基础上,还可做如下改进:
在一些实施例中,所述源瓶1具有一顶壁,所述顶壁上设有进气部件6,所述进气部件6的一侧壁上设有进气口61,所述进气口61连通一外部氮气源,用于向所述源瓶1内通入氮气。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
在一些实施例中,所述进气部件6的下端设有进氮气管62,所述进气口61与所述进氮气管62连通,所述进氮气管62的一端部插入所述源瓶1内的源液中。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
在一些实施例中,所述源瓶1的顶壁上设有出气部件7,所述出气部件7上设有动力源,用于抽取所述源瓶1内的氮气携带源液蒸汽后进入一恒温装置进行扩散反应。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
在一些实施例中,所述源瓶1的顶壁上设有进源液部件8,所述进源液部件8的一侧壁上设有进源口81,所述进源口81上设有驱动组件,用于向所述源瓶1内抽吸源液。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
本实施例还公开了一种扩散源供应系统,包括:以上任一项所述扩散源瓶1和扩散源供应装置,所述扩散源瓶1与所述扩散源供应装置连接。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
在一些实施例中,所述扩散源供应装置包括:集中供液桶14,所述集中供液桶14内盛有能够供应若干个源瓶的源液。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,一个集中供液瓶(10)能够供应多个源瓶。
在一些实施例中,所述集中供液桶14的顶壁上分别设有进气阀10和出液阀11,所述进气阀10用于抽吸氮气进入所述集中供液桶14内,抽吸进入的氮气用于将所述集中供液桶14内的源液抽吸进入出液阀11。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,使得每台机的使用的源瓶里的源液能够一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶。
在一些实施例中,所述扩散源供应装置包括:传输源液管道12,所述传输源液管道12上设有单向阀13,所述传输源液管道12一端与进源口81连通,所述传输源液管道12另一端与所述出液阀11连通。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,在传输源液管道12上加入了单向阀13,以防止源液从源瓶反流至集中供液瓶。
在一些实施例中,所述扩散源供应装置还包括:称重器15,所述集中供液桶9具有一集中供液桶底部14,所述集中供液桶底部14呈凹型,所述集中供液桶底部14与所述称重器15连接。
采用上述实施例,其结构简单,操作方便,集中供液桶底部呈凹型,主要作用为可以将源瓶内剩余残液全部吸完的功能,在集中供液桶底部连接有称重器,如果集中供液桶内液体用完,重量低于一定值,称重器上的报警器发出提示,便于操作人员将集中供液桶进行更换。
恒温装置优选炉管,正常生产时,小流量氮气会从进气口进气,氮气携带三氯氧磷蒸汽后从出气口进入炉管进行扩散反应。
在炉管内源瓶1的侧壁上连通有一连通管2,源液优选三氯氧磷,源瓶1中盛有三氯氧磷液位与连通管2中的三氯氧磷液位一致,在连通管2上从下到上依次设置有低液位感应器3、高液位感应器4和超高液位感应器5。
当源瓶内液位低于低液位3,低液位感应器3将源瓶1内液位低于低液位变为电信号,并对处理器发送信号,经过后台运算后,解释信号,生成控制扩散源供应装置运行的信号发送至扩散源供应装置控制器,控制进气阀10泵入纯氮气进入集中供液桶14内,集中供液桶14中的三氯氧磷就会在纯氮气压力下被泵入出液阀11,通过传输源液管道12把三氯氧磷传输至进源液部件8,进源液部件8上的进源口81将三氯氧磷泵入源瓶1内,保持源瓶1内液位在高液位与低液位中间的位置,使得源瓶1内液位处于安全液位;
当源瓶1内液位到达高液位,高液位感应器4将源瓶内源瓶1内液位到达高液位变为电信号,并对处理器发送信号,经过后台运算后,解释信号,生成控制扩散源供应装置停止运行的信号发送至扩散源供应装置控制器,控制扩散源供应装置停止运行,集中供液桶9停止供液,保持源瓶1内液位处于安全液位;
当源瓶1内液位到达超高液位,超高液位感应器5将源瓶1内源瓶内液位到达超高液位变为电信号,并对处理器发送信号,经过后台运算后,解释信号,生成控制扩散源供应装置停止运行的信号发送至扩散源供应装置控制器,控制扩散源供应装置停止运行,集中供液桶9停止供液,保持源瓶1内液位处于安全液位;
在连通管2上设置有超高液位感应器5,以防止高液位感应器4损坏后系统会一直往源瓶1里供液的情况的发生。
源瓶1的高度为H,源瓶1内的低液位的高度优选为0.4H-0.5H,源瓶1内的高液位的高度优选为0.6H-0.7H,源瓶1内的超高液位的高度优选为0.8H-0.9H。
驱动组件优选泵。
本发明公开一种扩散源瓶及扩散源供应系统,具有以下有益效果:
1)使得每台机使用的源瓶内盛有的三氯氧磷可以一直保持安全液位,不需要频繁更换源瓶;
2)能够实时监测源瓶内源液的液位,扩散方阻均匀性可以有效提升,扩散方阻为单位面积内的方块电阻,用来衡量扩散掺杂的质量;
3)集中供应源液瓶底部呈凹型,可以有效用尽三氯氧磷,集中供应源液瓶底部连接有称重器,便于提示供液瓶及时更换;
4)传输管道上设有单向阀,以防止源液从源瓶反流至集中供液瓶。
对于本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种扩散源瓶,其特征在于,包括:源瓶和连通管,所述源瓶与所述连通管连通,所述连通管上设置有感应器,所述连通管内的液位与所述源瓶内的液位一致,用于通过感应所述连通管内的液位以监控所述源瓶内的液位;
所述感应器包括:低液位感应器,高液位感应器和超高液位感应器,所述低液位感应器、所述高液位感应器和所述超高液位感应器从下到上依次排列设置于所述连通管上,用于监控所述源瓶内的液位。
2.根据权利要求1所述的扩散源瓶,其特征在于,所述源瓶具有一顶壁,所述顶壁上设有进气部件,所述进气部件的一侧壁上设有进气口,所述进气口连通一外部氮气源,用于向所述源瓶内通入氮气。
3.根据权利要求2所述的扩散源瓶,其特征在于,所述进气部件的下端设有进氮气管,所述进气口与所述进氮气管连通,所述进氮气管的一端部插入所述源瓶内的源液中。
4.根据权利要求3所述的扩散源瓶,其特征在于,所述源瓶的顶壁上设有出气部件,所述出气部件上设有动力源,用于抽取所述源瓶内的氮气携带源液蒸汽后进入一恒温装置进行扩散反应。
5.根据权利要求1所述的扩散源瓶,其特征在于,所述源瓶的顶壁上设有进源液部件,所述进源液部件的一侧壁上设有进源口,所述进源口上设有驱动组件,用于向所述源瓶内抽吸源液。
6.一种扩散源供应系统,包括:如权利要求1-5中任一项所述扩散源瓶和扩散源供应装置,所述扩散源瓶与所述扩散源供应装置连接。
7.根据权利要求6所述的扩散源供应系统,其特征在于,所述扩散源供应装置包括:集中供液桶,所述集中供液桶内盛有能够供应若干个源瓶的源液。
8.根据权利要求7所述的扩散源供应系统,其特征在于,所述集中供液桶的顶壁上分别设有进气阀和出液阀,所述进气阀用于抽吸氮气进入所述集中供液桶内,抽吸进入的氮气用于将所述集中供液桶内的源液抽吸进入出液阀。
9.根据权利要求8所述的扩散源供应系统,其特征在于,所述扩散源供应装置包括:传输源液管道,所述传输源液管道上设有单向阀,所述传输源液管道一端与进源口连通,所述传输源液管道另一端与所述出液阀连通。
10.根据权利要求7所述的扩散源供应系统,其特征在于,所述扩散源供应装置还包括:称重器,所述集中供液桶具有一集中供液桶底部,所述集中供液桶底部呈凹型,所述集中供液桶底部与所述称重器连接。
CN202011613644.XA 2020-12-30 2020-12-30 一种扩散源瓶及扩散源供应系统 Pending CN112725900A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011613644.XA CN112725900A (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种扩散源瓶及扩散源供应系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011613644.XA CN112725900A (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种扩散源瓶及扩散源供应系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112725900A true CN112725900A (zh) 2021-04-30

Family

ID=75611232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011613644.XA Pending CN112725900A (zh) 2020-12-30 2020-12-30 一种扩散源瓶及扩散源供应系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112725900A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115584559A (zh) * 2022-10-25 2023-01-10 常州时创能源股份有限公司 扩散源瓶的补液控制系统及补液控制方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115584559A (zh) * 2022-10-25 2023-01-10 常州时创能源股份有限公司 扩散源瓶的补液控制系统及补液控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2825174T3 (es) Procedimiento y dispositivo para hacer funcionar pilas de combustible con aire artificial
CN106467892B (zh) 一种自动化细胞扩增系统
CN106277383B (zh) 一种基于耗氧速率测定仪的曝气控制系统与方法
CN112725900A (zh) 一种扩散源瓶及扩散源供应系统
KR20160081120A (ko) 재배 환경과 양액 공급 자동 제어형 식물 재배기
EP0203900A2 (en) Chlorinating apparatus
CN214400802U (zh) 一种扩散源瓶及扩散源供应系统
CN111760477A (zh) 一种臭氧杀菌消毒装置
CN213222075U (zh) 一种集中供源装置
CN102511101A (zh) 燃料电池装置
CN216155600U (zh) 一种自响应无动力透气膜增氧给水加氧装置
CN217489495U (zh) 医用氢氧治疗仪
CN209243194U (zh) 一种电解制砷烷装置
CN212740797U (zh) 一种维持除氧水的含氧量稳定的装置
CN215799630U (zh) 生物反应器
CN208145205U (zh) 一种二氧化氯空气消毒机
CN213624409U (zh) 一种实验室用次氯酸钠发生器
KR20210038980A (ko) 오존수 전달 시스템 및 사용 방법
CN218583828U (zh) 一种二氧化氯发生器进料管加热器设备
CN113413789B (zh) 一种五氯化磷的加料装置及加料方法
JP7478082B2 (ja) 水素・酸素発生装置、及び、気液分離タンク
CN216687560U (zh) 一种纯水制备供应装置
CN113564049A (zh) 生物反应器
CN115584559A (zh) 扩散源瓶的补液控制系统及补液控制方法
CN210711341U (zh) 一种稳定脱焦系统运行的辅助装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination