RU2007133604A - Способ изготовления многослойной подложки и многослойная подложка - Google Patents
Способ изготовления многослойной подложки и многослойная подложка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007133604A RU2007133604A RU2007133604/11A RU2007133604A RU2007133604A RU 2007133604 A RU2007133604 A RU 2007133604A RU 2007133604/11 A RU2007133604/11 A RU 2007133604/11A RU 2007133604 A RU2007133604 A RU 2007133604A RU 2007133604 A RU2007133604 A RU 2007133604A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- region
- multilayer substrate
- substrate according
- forms
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
- B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
- B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
- B42D25/40—Manufacture
- B42D25/405—Marking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B42—BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
- B42D—BOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
- B42D25/00—Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
- B42D25/30—Identification or security features, e.g. for preventing forgery
- B42D25/328—Diffraction gratings; Holograms
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Blow-Moulding Or Thermoforming Of Plastics Or The Like (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Claims (42)
1. Способ изготовления многослойной подложки (100, 100'), имеющей по частям сформированный первый слой (3m),
отличающийся тем, что
формируют дифракционную первую рельефную структуру (4) с отношением глубины к ширине отдельных структурных элементов больше 0,3 в первой области (5) мультиплицирующего слоя (3) многослойной подложки (100, 100'), а первый слой (3m) наносят на мультиплицирующий слой (3) в первой области (5) и во второй области (4, 6), в которой первую рельефную структуру не формируют в мультиплицирующем слое (3), с постоянной поверхностной плотностью относительно плоскости, задаваемой мультиплицирующим слоем (3), и первый слой (3m) частично удаляют до степени, определяемой первой рельефной структурой, так, чтобы первый слой (3m) был удален в первой области (5), но не во второй области (4, 6), или во второй области (4, 6), но не в первой области (5).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый слой (3m) подвергают воздействию травителя, в частности кислоты или щелочного раствора, в процессе травления в первой области и также во второй области, а продолжительность действия травителя выбирают так, чтобы первый слой (3m) подлежал удалению в первой области, но не во второй области.
3. Способ по одному из п.1 и 2, отличающийся тем, что первый слой (3m) наносят на мультиплицирующий слой (3) с поверхностной плотностью, тем, что пропускание и в особенности прозрачность первого слоя (3m) в первой области повышают с помощью первой рельефной структуры по отношению к пропусканию и в особенности прозрачности первого слоя (3m) во второй области.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что мультиплицирующий слой (3) представлен в виде фотоактивной смываемой маски, тем, что смываемую маску экспонируют через первый слой (3) и активируют в первой области, в которой пропускание, в особенности прозрачность, первого слоя (3m) повышают с помощью первой рельефной структуры, и тем, что активированные области смываемой маски и области первого слоя (3m), которые расположены на нем, удаляют в процессе промывки.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что фотоактивируемый слой наносят на первый слой (3m), фотоактивируемый слой экспонируют через первый слой (3m) и активируют в первой области, в которой пропускание, в особенности прозрачность, первого слоя (3m) повышают с помощью первой рельефной структуры, и при этом активированный фотоактивируемый слой образует травитель для первого слоя (3m).
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что фоточувствительный слой (8) наносят на первый слой (3m), фоточувствительный слой (8) экспонируют через первый слой (3m) и активируют в первой области, в которой пропускание, в особенности прозрачность, первого слоя (3m) повышают с помощью первой рельефной структуры, фоточувствительный слой (8) проявляют так, чтобы проявленный светочувствительный слой (8) образовывал маску для травления для первого слоя (3m), и в процессе травления удаляют области первого слоя (3m), которые не покрыты маской для травления.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что фоточувствительный слой (8) образуют из фоторезиста.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что фоторезист представлен в виде позитивного фоторезиста.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что фоторезист представлен в виде негативного фоторезиста.
10. Способ по п.6, отличающийся тем, что фоточувствительный слой (8) представлен в виде фотополимера.
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что поглощающий слой наносят на первый слой (3m), поглощающий слой облучают лазерным светом через первый слой (3m) и термически удаляют в первой области (5) первого слоя (3m), в которой пропускание, в особенности прозрачность, первого слоя (3m) повышают с помощью первой рельефной структуры, и при этом частично удаленный поглощающий слой образует маску для травления для первого слоя (3m).
12. Способ по п. 6, отличающийся тем, что остатки масок для травления удаляют.
13. Способ по п. 11, отличающийся тем, что остатки масок для травления удаляют.
14. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что второй слой (3р) вводят в области, в которых первый слой (3m) удален.
15. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что второй слой (3р) вводят в области, в которых первый слой (3m) удален и по частям сформированный первый слой (3m) удаляют и заменяют по частям сформированным третьим слоем (3р').
16. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что первый слой (3m) гальванически усиливают.
17. Способ по п.14, отличающийся тем, что первый слой (3m)и/или второй слой(3р) гальванически усиливают.
18. Способ по п.15, отличающийся тем, что второй слой (3р) и /или третий слой(3р'')гальванически усиливают.
19. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что четвертый слой наносят на слои, расположенные на мультиплицирующем слое (3), с поверхностной плотностью относительно плоскости, задаваемой мультиплицирующим слоем (3), тем, что пропускание и в особенности прозрачность четвертого слоя в первой области повышают с помощью первой рельефной структуры относительно пропускания и в особенности прозрачности четвертого слоя во второй области, четвертый слой частично удаляют до степени, определяемой первой рельефной структурой, так, чтобы четвертый слой подлежал удалению в первой области, но не во второй области, или во второй области, но не в первой области.
20. Многослойная подложка, имеющая мультиплицирующий слой (3) и по меньшей мере один первый слой (3m), по частям расположенный на мультиплицирующем слое (3),
отличающаяся тем, что
дифракционная первая рельефная структура с отношением глубины к ширине отдельных структурных элементов больше 0,3 сформирована в первой области (5) мультиплицирующего слоя (3), первая рельефная структура не сформирована в мультиплицирующем слое (3) во второй области (4, 6) мультиплицирующего слоя (3), а частичная компоновка первого слоя (3m) определяется первой рельефной структурой так, что первый слой (3m) удален в первой области (5), но не во второй области (4, 6), или во второй области (4, 6), но не в первой области. (5).
21. Многослойная подложка по п.20, отличающаяся тем, что второй слой (3р) расположен в областях мультиплицирующего слоя (3), в которых первый слой (3m) не присутствует.
22. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m, 3р') и/или второй слой (3р) образован/образованы из металла или металлического сплава.
23. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образован/образованы из диэлектрика, например TiO2 или ZnS.
24. Многослойная подложка по п.23, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и второй слой (3р) имеют различные показатели преломления.
25. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образован/образованы из полимера.
26. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) содержит/содержат жидкокристаллический материал, в частности холестерический жидкокристаллический материал.
27. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) представлен/представлены в виде окрашенного слоя.
28. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образован/образованы из множества отдельных слоев.
29. Многослойная подложка по п.28, отличающаяся тем, что отдельные слои образуют тонкопленочную слоистую систему.
30. Многослойная подложка по п.28, отличающаяся тем, что отдельные слои образованы из различных материалов.
31. Многослойная подложка по п.30, отличающаяся тем, что отдельные слои образованы из различных металлов и/или различных металлических сплавов.
32. Многослойная подложка по п.28, отличающаяся тем, что по меньшей мере один из отдельных слоев удален локально в области.
33. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют оптический рисунок.
34. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют фотошаблон.
35. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют маску для формирования изображения.
36. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют растровое изображение.
37. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что рельефная структура с небольшим отношением глубины к ширине создана во второй области, предпочтительно в виде дифракционной структуры, например в виде голограммы, кинеграммы (Kinegram®) или дифракционной решетки.
38. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют электронный компонент, в частности антенну, конденсатор, катушку индуктивности или компонент из органического полупроводника.
39. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют предпочтительно частично прозрачную, экранирующую пленку для электромагнитного излучения.
40. Многослойная подложка по одному из пп.20 и 21, отличающаяся тем, что первый слой (3m) и/или второй слой (3р) образует/образуют кристалл или часть его для анализа жидкости и/или газа.
41. Многослойная подложка по п.21, отличающаяся тем, что мультиплицирующий слой (3) и/или первый слой (3m) образует/образуют ориентирующий слой для ориентации жидких кристаллов, а второй слой образован слоем жидкокристаллического материала.
42. Многослойная подложка по п.41, отличающаяся тем, что ориентирующий слой имеет дифракционные структуры для ориентации жидких кристаллов, которые локально ориентированы различным образом, так что рассматриваемые при поляризованном свете жидкие кристаллы отображают элемент информации, такой, как например логотип.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005006231.8 | 2005-02-10 | ||
DE102005006231A DE102005006231B4 (de) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007133604A true RU2007133604A (ru) | 2009-03-20 |
RU2374082C2 RU2374082C2 (ru) | 2009-11-27 |
Family
ID=36522198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007133604/11A RU2374082C2 (ru) | 2005-02-10 | 2006-02-09 | Способ изготовления многослойной подложки и многослойная подложка |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7821716B2 (ru) |
EP (1) | EP1846253B1 (ru) |
JP (1) | JP5068182B2 (ru) |
CN (1) | CN100491134C (ru) |
AT (1) | ATE408524T1 (ru) |
CA (1) | CA2596996C (ru) |
DE (2) | DE102005006231B4 (ru) |
DK (1) | DK1846253T3 (ru) |
ES (1) | ES2314876T3 (ru) |
PL (1) | PL1846253T3 (ru) |
PT (1) | PT1846253E (ru) |
RU (1) | RU2374082C2 (ru) |
SI (1) | SI1846253T1 (ru) |
WO (1) | WO2006084685A2 (ru) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005006277B4 (de) * | 2005-02-10 | 2007-09-20 | Ovd Kinegram Ag | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers |
DE102006037431A1 (de) * | 2006-08-09 | 2008-04-17 | Ovd Kinegram Ag | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper |
TW200813898A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-16 | Nanogate Advanced Materials Gmbh | Security device |
DE102007039996B4 (de) | 2007-02-07 | 2020-09-24 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Sicherheitselement für ein Sicherheitsdokument und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102007062089A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Mikrostruktur |
DE102008008685A1 (de) | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Giesecke & Devrient Gmbh | Sicherheitselement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102008013073B4 (de) | 2008-03-06 | 2011-02-03 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Folienelements und Folienelement |
DE102008024147B4 (de) * | 2008-05-19 | 2020-12-03 | Ovd Kinegram Ag | Optisches Sicherheitselement |
JP2010271653A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | 表示体、粘着ラベル、転写箔及び表示体付き物品 |
JP2011002491A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Toppan Printing Co Ltd | 表示体及びラベル付き物品 |
EP2444826B1 (en) * | 2009-06-18 | 2019-05-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical device and method of manufacturing the same |
DE102009033762A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-27 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper |
DE102010050031A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Ovd Kinegram Ag | Sicherheitselement und Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements |
DE102011102999A1 (de) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Folie und deren Herstellungsverfahren |
RU2480550C1 (ru) * | 2011-12-23 | 2013-04-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак") | Полимерный многослойный комбинированный защитный элемент и способ его изготовления |
JP6201288B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2017-09-27 | 凸版印刷株式会社 | 表示体および表示体の製造プロセス |
WO2014077329A1 (ja) | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 凸版印刷株式会社 | 偽造防止構造体及びその製造方法 |
DE102013106827A1 (de) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper |
CN104647934B (zh) * | 2013-11-21 | 2016-10-05 | 中钞特种防伪科技有限公司 | 一种光学防伪元件及其制作方法 |
CN104057747B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-03-23 | 中钞特种防伪科技有限公司 | 一种制备光学防伪元件的方法 |
DE102013113283A1 (de) | 2013-11-29 | 2015-06-03 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6314476B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-04-25 | 凸版印刷株式会社 | 転写用積層媒体および印刷物 |
CN105015216B (zh) * | 2014-04-29 | 2017-06-16 | 中钞特种防伪科技有限公司 | 一种光学防伪元件及制备光学防伪元件的方法 |
DE102014016051A1 (de) | 2014-05-06 | 2015-11-12 | Giesecke & Devrient Gmbh | Sicherheitselement |
DE102015100520A1 (de) | 2015-01-14 | 2016-07-28 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Mehrschichtkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2018508048A (ja) * | 2015-03-12 | 2018-03-22 | レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 間接的表面清浄化装置および方法 |
DE102015105285A1 (de) | 2015-04-08 | 2016-10-13 | Kurz Typofol Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Dokuments sowie ein Dokument |
DE102015106800B4 (de) * | 2015-04-30 | 2021-12-30 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Mehrschichtkörpers |
US20180181061A1 (en) * | 2015-06-26 | 2018-06-28 | Fedrigoni Spa | Security element with pattern and double-sided holographic effect |
TWI726090B (zh) * | 2016-04-14 | 2021-05-01 | 日商凸版印刷股份有限公司 | 積層體、個人認證媒體、及積層體的製造方法 |
CN110234517A (zh) * | 2017-02-02 | 2019-09-13 | 费德欧尼公司 | 具有透明图案的双金属安全元件 |
AT520011B1 (de) | 2017-05-16 | 2019-10-15 | Hueck Folien Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements sowie nach diesem Verfahren hergestelltes Sicherheitselement und dessen Verwendung |
WO2019090328A1 (en) * | 2017-11-06 | 2019-05-09 | Magic Leap, Inc. | Method and system for tunable gradient patterning using a shadow mask |
DE102018113862A1 (de) * | 2018-06-11 | 2019-12-12 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Mehrschicht-Komponente |
DE102018008041A1 (de) | 2018-10-11 | 2020-04-16 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Ziffernblatt für eine Uhr |
JP6915648B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2021-08-04 | 凸版印刷株式会社 | 転写箔の製造方法 |
FR3111843A1 (fr) | 2020-06-30 | 2021-12-31 | Surys | Procédés de fabrication de composants optiques de sécurité, composants optiques de sécurité et objets sécurisés équipés de tels composants |
DE102021000879A1 (de) | 2021-02-19 | 2022-08-25 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements mit Mikroabbildungselementen |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2136352B (en) | 1982-12-03 | 1986-09-10 | Hollusions Limited | Hologram devices and methods of manufacture |
US4906315A (en) * | 1983-06-20 | 1990-03-06 | Mcgrew Stephen P | Surface relief holograms and holographic hot-stamping foils, and method of fabricating same |
EP0216947B1 (de) | 1985-10-01 | 1991-01-02 | Maurer Electronics Gmbh | Kartenförmiger Datenträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPS63149771U (ru) * | 1987-03-24 | 1988-10-03 | ||
DE3840729C2 (de) | 1988-12-02 | 1997-07-17 | Gao Ges Automation Org | Mehrschichtiger Aufzeichnungsträger und Verfahren zum Beschriften eines mehrschichtigen Aufzeichnungsträgers |
CH678835A5 (ru) | 1991-01-18 | 1991-11-15 | Landis & Gyr Betriebs Ag | |
EP0537439B2 (de) | 1991-10-14 | 2003-07-09 | OVD Kinegram AG | Sicherheitselement |
WO1993011510A1 (en) | 1991-12-04 | 1993-06-10 | Cardlok Pty. Ltd. | Profiled card security system |
US6495231B2 (en) * | 1994-06-27 | 2002-12-17 | Exxonmobil Oil Corporation | Epoxy coated multilayer structure for use in the production of security documents |
US6294267B1 (en) * | 1994-06-27 | 2001-09-25 | Exxonmobil Oil Corporation | Core printed security documents |
CH690067A5 (de) | 1995-08-10 | 2000-04-14 | Ovd Kinegram Ag | Verfahren zur Herstellung teilmetallisierter Gitterstrukturen. |
CN1130572A (zh) * | 1995-12-28 | 1996-09-11 | 惠守斌 | 一种金属名片的制造方法 |
GB9813205D0 (en) | 1998-06-18 | 1998-08-19 | Rue De Int Ltd | Methods of providing images on substrates |
TW484101B (en) * | 1998-12-17 | 2002-04-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
US6761959B1 (en) | 1999-07-08 | 2004-07-13 | Flex Products, Inc. | Diffractive surfaces with color shifting backgrounds |
US7101644B2 (en) * | 2000-06-23 | 2006-09-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Hologram transfer foil |
US6507441B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-01-14 | Optid, Optical Identification Technologies Ltd. | Directed reflectors and systems utilizing same |
DE10054503B4 (de) * | 2000-11-03 | 2005-02-03 | Ovd Kinegram Ag | Lichtbeugende binäre Gitterstruktur und Sicherheitselement mit einer solchen Gitterstruktur |
DE10139719A1 (de) * | 2000-11-04 | 2002-05-08 | Kurz Leonhard Fa | Mehrschichtkörper, insbesondere Mehrschichtenfolie sowie Verfahren zur Erhöhung der Fälschungssicherheit eines Mehrschichtenkörpers |
EP1413456B1 (de) * | 2000-11-04 | 2006-01-04 | Leonhard Kurz GmbH & Co. KG | Kunststoffkörper als Folie, z.B. Transferfolie oder Laminierfolie ausgebildet oder mit einer solchen Folie versehen sowie Verfahren zur Herstellung eines Mehrfarbenbildes auf oder in einem solchen Kunststoffkörper |
KR20040083078A (ko) * | 2002-01-18 | 2004-09-30 | 오우브이디이 키네그램 악티엔개젤샤프트 | 광학 도파관을 구비한 회절 보안 부재 |
DE10216562C1 (de) * | 2002-04-05 | 2003-12-11 | Ovd Kinegram Ag Zug | Sicherheitselement mit Mikro- und Makrostrukturen |
JP3676784B2 (ja) * | 2003-01-28 | 2005-07-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE10318157A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Folie und optisches Sicherungselement |
DE10328760B4 (de) * | 2003-06-25 | 2007-05-24 | Ovd Kinegram Ag | Optisches Sicherheitselement |
US20050063027A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-03-24 | Durst Robert T. | Uniquely linking security elements in identification documents |
DE10333704B4 (de) * | 2003-07-23 | 2009-12-17 | Ovd Kinegram Ag | Sicherheitselement zur RF-Identifikation |
US7338893B2 (en) * | 2005-11-23 | 2008-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Integration of pore sealing liner into dual-damascene methods and devices |
JP4321570B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-02-10 DE DE102005006231A patent/DE102005006231B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-09 SI SI200630134T patent/SI1846253T1/sl unknown
- 2006-02-09 DE DE502006001597T patent/DE502006001597D1/de active Active
- 2006-02-09 PT PT06706766T patent/PT1846253E/pt unknown
- 2006-02-09 US US11/883,990 patent/US7821716B2/en active Active
- 2006-02-09 CA CA2596996A patent/CA2596996C/en active Active
- 2006-02-09 PL PL06706766T patent/PL1846253T3/pl unknown
- 2006-02-09 EP EP06706766A patent/EP1846253B1/de active Active
- 2006-02-09 AT AT06706766T patent/ATE408524T1/de active
- 2006-02-09 RU RU2007133604/11A patent/RU2374082C2/ru active
- 2006-02-09 JP JP2007554497A patent/JP5068182B2/ja active Active
- 2006-02-09 CN CNB2006800066661A patent/CN100491134C/zh active Active
- 2006-02-09 DK DK06706766T patent/DK1846253T3/da active
- 2006-02-09 ES ES06706766T patent/ES2314876T3/es active Active
- 2006-02-09 WO PCT/EP2006/001126 patent/WO2006084685A2/de active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2314876T3 (es) | 2009-03-16 |
CN101166633A (zh) | 2008-04-23 |
DE102005006231A1 (de) | 2006-08-24 |
EP1846253A2 (de) | 2007-10-24 |
CN100491134C (zh) | 2009-05-27 |
EP1846253B1 (de) | 2008-09-17 |
JP5068182B2 (ja) | 2012-11-07 |
DK1846253T3 (da) | 2009-01-19 |
US20080310025A1 (en) | 2008-12-18 |
PT1846253E (pt) | 2008-11-18 |
US7821716B2 (en) | 2010-10-26 |
CA2596996A1 (en) | 2006-08-17 |
WO2006084685A2 (de) | 2006-08-17 |
SI1846253T1 (sl) | 2009-02-28 |
DE502006001597D1 (de) | 2008-10-30 |
ATE408524T1 (de) | 2008-10-15 |
RU2374082C2 (ru) | 2009-11-27 |
WO2006084685A3 (de) | 2006-09-28 |
DE102005006231B4 (de) | 2007-09-20 |
JP2008530600A (ja) | 2008-08-07 |
PL1846253T3 (pl) | 2009-03-31 |
CA2596996C (en) | 2013-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2007133604A (ru) | Способ изготовления многослойной подложки и многослойная подложка | |
RU2007133613A (ru) | Многослойное тело и способ изготовления многослойного тела | |
KR101333899B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
US20140004320A1 (en) | Photopatterning | |
JPH04136854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010500606A (ja) | 少なくとも一つの多層体の製造プロセスと多層体 | |
JP3248526B2 (ja) | 回折光学素子及びそれを有した光学系 | |
CN108267927A (zh) | 大型相移掩膜 | |
KR101266880B1 (ko) | 편광판의 제조방법 및 레이저 가공장치 | |
JP4005622B1 (ja) | フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法 | |
US6368775B1 (en) | 3-D photo-patterning of refractive index structures in photosensitive thin film materials | |
JP2011154080A (ja) | 透明基材両面へのパターン形成方法 | |
JP2002099071A5 (ru) | ||
JP2009531734A (ja) | ナノパターン形成方法およびこれによって形成されたパターンを有する基板 | |
US20180239235A1 (en) | Extreme ultraviolet mask | |
KR101860987B1 (ko) | 감광성 유리를 이용한 euv 리소그래피용 펠리클 제조방법 | |
US6824932B2 (en) | Self-aligned alternating phase shift mask patterning process | |
WO2016114455A1 (ko) | 포토리소그래피 방법 | |
US20070269722A1 (en) | Hybrid phase-shift mask and manufacturing method thereof | |
JP2010026205A (ja) | 多階調フォトマスク及び多階調フォトマスクの製造方法 | |
JPS5672445A (en) | Production of photomask | |
JPH10263871A (ja) | レーザー加工用誘電体マスクの製造方法 | |
CN101685253A (zh) | 制作光掩模的方法 | |
JP2008176095A5 (ru) | ||
JP2019168584A5 (ru) |