JP2010500606A - 少なくとも一つの多層体の製造プロセスと多層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、多層体の製造プロセスに関する。多層体は、キャリア基質の下面が、第一領域において、第一露光放射に対して透明となり、第一領域と正しい位置関係の少なくとも一つの第二領域において、第一露光放射とは異なる少なくとも一つの第二露光放射に対して透明となり、下面は、第一および少なくとも一つの第二露光放射により連続して露光され、第一露光放射は、第一機能層を構築するために用いられ、少なくとも一つの第二露光放射は、少なくとも一つの第二機能層をキャリア基質の上面に構築するために用いられるように作られる手順により構築された少なくとも二つの機能層をキャリア基質の上面に含む。
【選択図】図2f
Description
−異なる配向構造の結果としての透過性の偏光依存性、
−構造の形態因子、すなわち、矩形、正弦関数、鋸波、または他の形状の構造が、空間周波数と凹凸深さの同一の積で異なる透過特性を有し得ること、および、
−空間構造または構造結合または構造配置と併せた露光マスク層の直接蒸着。
線形格子:例えば、100l/mmと5,000l/mmの間の線数と、50nmと5μmの間の構造深さを備えたサイン格子、
交差格子:例えば、100l/mmと5,000l/mmの間の線数と、50nmと5μmの間の構造深さを備えたサイン格子、
マット構造(等方性/異方性):0.5μmと50μmの間の相関長と、50nmと10μmの間の構造深さ、
ブレーズ格子またはマイクロプリズム: 10l/mmと3,000l/mmの間の線数と、25nmと10μmの間の構造深さ、
マクロ構造:100nmと10μmの間の最大深さで、表面プロファイルにおける不連続間の距離が大きい(≧100μm)特徴の、あらゆる形態の表面構造、
結合構造:前述した構造の結合から生じる。
a) 第一領域のみの露光、
b) 少なくとも一つの第二領域のみの露光、
c) 第一領域および少なくとも一つの第二領域の露光、
d) 露光なし。
2 第二領域
3 第三領域
4 第四領域
10 キャリア基質
10a 上面
10b 下面
20a 第一露光放射
20b 第二露光放射
30 第一機能層
30´ 構造化第一機能層
31 第二機能層
31´ 構造化第二機能層
40 第一フォトレジスト層
40´ 活性化フォトレジスト領域
41 第二フォトレジスト層
41´ 残存非露光領域
50 第三機能層
100 露光マスク層
Claims (44)
- 多層体、特に、少なくとも一つの電子部品を有し、互いに正しい位置関係で構築された、少なくとも2つの機能層、特に、電気的機能層を、キャリア基質(10)の上面(10b)に含む多層体の製造プロセスであって、
第一領域(1)において、第一露光放射(20a)に対して、少なくとも一つの第二領域に関して透明性が増加し、
第一領域(1)と正しい位置関係の少なくとも一つの第二領域(2)において、少なくとも一つの異なる第二露光放射(20b)に対して、第一領域に関して透明性が増加し、
下面(10a)は、第一及び少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)により連続的に露光され、第一露光放射(20a)は第一機能層(30)を構築するために用いられ、少なくとも一つの第二露光放射(20b)は少なくとも一つの第二機能層(31)をキャリア基質(10)の上面(10b)に構築するために用いられるように、キャリア基質(10)の下面(10a)が作られること、
を特徴とする多層体の製造プロセス。 - 第一凹凸構造が第一領域(1)に形成され、第一凹凸構造とは異なる少なくとも一つの第二凹凸構造が第二領域(2)に形成され、第一凹凸構造と正しい位置関係で、露光マスク(100)がさらに下面(10a)に適用され、露光マスク(100)は、キャリア基質(10)により規定される平面に関する表面領域に対して一定の密度を備えて適用され、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用された第一機能層(30)は、第一凹凸構造と正しい位置関係で構築され、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用された少なくとも一つの第二電気的機能層(31)は、少なくとも一つの第二凹凸構造と正しい位置関係で構築される手順により、キャリア基質(10)の下面(10a)が作られること、
を特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 露光マスク層(100)が、金属層または金属合金層で形成されること、
を特徴とする請求項2に記載のプロセス。 - 第一および第二凹凸構造が、各構造エレメントの深さ幅比が0.3以上の回折凹凸構造により形成されること、
を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および第二凹凸構造が、格子周期800nm以下、好ましくは500nm以下の凹凸構造により形成されること、
を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および第二凹凸構造のアジマスが約90度異なること、
を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一凹凸構造が第一領域(1)に形成され、第一凹凸構造とは異なる少なくとも一つの第二凹凸構造が第二領域(2)に形成され、第一凹凸構造と正しい位置関係で、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用された第一機能層(30)が、第一凹凸構造と正しい位置関係で構築され、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用された少なくとも一つの第二電気的機能層(31)が、少なくとも一つの第二凹凸構造と正しい位置関係で構築される手順により、キャリア基質(10)の下面(10a)が作られること、
を特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二凹凸構造の少なくとも一方が、回折凹凸構造の形態であること、
を特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二凹凸構造のアジマスが異なること、
を特徴とする請求項2〜8のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二凹凸構造の少なくとも一方が、線形格子または交差格子、等方性または異方性マット構造、バイナリまたは連続フレネルレンズ、マイクロプリズム、ブレーズ格子、結合構造またはマクロ構造のような格子構造の形態であること、
を特徴とする請求項2〜9のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一カラー層が第一領域に配置され、第一カラー層と色の異なる少なくとも一つの第二カラー層が第二領域に配置され、第一カラー層と正しい位置関係で、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用される第一機能層が第一カラー層と正しい位置関係で構築され、キャリア基質(10)の上面(10b)に適用される少なくとも一つの第二機能層が、少なくとも一つの第二カラー層と正しい位置関係で構築される手順により、キャリア基質(10)の下面(10a)が作られること、
を特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 第一機能層(30)が、全表面領域に渡り、上面(10b)に適用され、第一機能層の形成の前または後に、第一感光層(40)が、全表面領域に渡り、上面に適用され、第一感光層(40)の露光が、キャリア基質(10)および可能であれば露光マスク層(100)を通じて、第一露光放射(20a)により行われ、第一感光層(40)が、第一領域(1)と正しい位置関係で、部分的に除去され、第一機能層(30)の構築が直ちにまたは連続して行われ、さらに、少なくとも一つの第二機能層(31)が、全表面領域に渡り、上面(10b)に適用され、少なくとも一つの第二機能層(31)の形成の前または後に、少なくとも一つの第二感光層(41)が、全表面領域に渡り、上面(10b)に適用され、少なくとも一つの第二感光層(41)の露光が、キャリア基質(10)および可能であれば露光マスク層(100)を通じて、少なくとも第二露光放射(20b)により行われ、少なくとも一つの第二感光層(41)が、第二領域(2)と正しい位置関係で、部分的に除去され、少なくとも一つの第二機能層(31)の構築が直ちにまたは連続して行われるること、
を特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のプロセス。 - キャリア基質(10)の下面(10a)が、第三領域(3)において、第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)の双方に対して、第三領域の透明性が増加するように作られること、
を特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載のプロセス。 - キャリア基質(10)の下面(10a)が、第四領域(4)において、第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)に対して、第四領域(4)が不透明であるように作られること、
を特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載のプロセス。 - 未調整キャリア基質(10)が、第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)の少なくとも一方に対して透明であるような材料および厚さの少なくとも一方で形成されること、
を特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)の波長が異なること、
を特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)の偏光が異なること、
を特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載のプロセス。 - 第一および少なくとも一つの第二露光放射(20a、20b)が、キャリア基質(10)により規定される平面上に異なる角度で入射すること、
を特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載のプロセス。 - 露光マスク層(100)が、特にスパッタリングにより、キャリア基質(10)により規定される平面に対して30°〜150°の範囲の角度でキャリア基質(10)に適用されること、
を特徴とする請求項2に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの第三機能層(50)が、構造化第一および少なくとも一つの構造化第二機能機能(30´、31´)の間に、全表面領域に渡って備えられること、
を特徴とする請求項1〜19のいずれか1項に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの第三機能層(50)が、半導体または電気的絶縁機能層材料で形成されること、
を特徴とする請求項20に記載のプロセス。 - 構造化第一機能層(30´)が、導電性機能層材料で形成されること、
を特徴とする請求項1〜21のいずれか1項に記載のプロセス。 - 構造化第二機能層(31´)が、導電性または半導体または誘電性機能層材料で形成されること、
を特徴とする請求項1〜22のいずれか1項に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの導電性機能層が、電気的に強化されていること、
を特徴とする請求項22または23に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの感光層(40、41)が、電気的機能層として用いられること、
を特徴とする請求項12〜24のいずれか1項に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの感光層(40、41)が、プロセスの実施中または実施後に除去されること、
を特徴とする請求項12〜25のいずれか1項に記載のプロセス。 - 感光ワックスラッカー層またはフォトレジスト層またはフォトポリマー層が、感光層(40、41)として用いられること、
を特徴とする請求項12〜26のいずれか1項に記載のプロセス。 - 感光層(40、41)が、露光により活性化され、活性化された感光層が、第一および少なくとも一つの第二機能層(30、31)の少なくとも一方に対するエッチング手段を形成すること、
を特徴とする請求項12〜21のいずれか1項に記載のプロセス。 - 電子部品としてキャパシタが備えられ、第一機能層が、導電性であり、2つのキャパシタ電極の形態で構築され、少なくとも一つの第二機能層が、構造化誘電層の形態であること、
を特徴とする請求項1〜28のいずれか1項に記載のプロセス。 - 電子部品として、電界効果トランジスタ、特にOFETが備えられ、第一機能層が、導電性であり、ソース/ドレイン電極の形態で構築され、第二機能層が、導電性であり、ゲート電極の形態で構築され、またはその逆であり、半導体層を含む第三機能層が、全表面領域に渡り形成され、誘電層を含む第四機能層が、第一および少なくとも一つの第二機能層の間の全表面領域にわたり形成されていること、
を特徴とする請求項1〜28のいずれか1項に記載のプロセス。 - 感光ワックスラッカー層が、全表面領域にわたり、キャリア基質の上面に適用され、第一機能層が、全表面領域に渡り、その上に形成され、第一露光放射の露光が行われ、その場合にワックスラッカー層が第一領域において不溶性となり、第一機能層に含まれるワックスラッカー層が、他の領域で洗浄され、第一機能層が構築され、第三および第一機能層が、第二機能層に加えて形成され、フォトレジスト層が、その上の全表面領域に渡り適用され、第二露光放射の露光が行われ、フォトレジスト層が、第二領域と正しい位置関係で構築され、第二機能層のエッチングと構築が、構造化フォトレジスト層をエッチングマスクとして用いて行われる手順により、電界効果トランジスタが形成されること、
を特徴とする請求項30に記載のプロセス。 - 第一機能層が、全表面領域に渡り、キャリア基質の上面に適用され、第一フォトレジスト層が、全表面領域に渡り適用され、第一露光放射の露光が行われ、第一フォトレジスト層が、第一領域と正しい位置関係で構築され、第一機能層のエッチングおよび構築用のマスクとして用いられ、エッチングマスクが除去され、第三および第四機能層が、第二機能層に加えて形成され、第二フォトレジスト層が、その上の全表面領域に渡り適用され、第二露光放射の露光が行われ、第二フォトレジスト層が、第二領域と正しい位置関係で構築され、第二機能層のエッチングと構築が、構造化第二フォトレジスト層をエッチングマスクとして用いて行われる手順により、電界効果トランジスタが形成されること、
を特徴とする請求項30に記載のプロセス。 - 少なくとも一つの有機機能層を含む有機部品が形成されること、
を特徴とする請求項1〜32のいずれか1項に記載のプロセス。 - 少なくとも二つの電子部品が、キャリア基質(10)に形成されること、
を特徴とする請求項1〜33のいずれか1項に記載のプロセス。 - 少なくとも二つの電子部品が、電子回路の構成要素の形態であること、
を特徴とする請求項33に記載のプロセス。 - キャリア基質(10)が、3〜250μmの範囲の層厚の、フレキシブルなフィルム材料、特に、透明なプラスティックフィルム材料で形成されること、
を特徴とする請求項1〜35のいずれか1項に記載のプロセス。 - キャリア基質(10)が、長尺形状であり、連続的なroll-to-roll(Rolle-zu-Rolle)プロセスで処理されること、
を特徴とする請求項1〜36のいずれか1項に記載のプロセス。 - キャリア基質(10)が、コンポーネントの電気的機能層(30´、31´、50)から剥離可能に適応されること、
を特徴とする請求項1〜37のいずれか1項に記載のプロセス。 - 請求項1〜38のいずれか1項により得られる多層体、特に、少なくとも一つの有機電子部品を有し、キャリア基質(10)を有する多層体であって、
第一領域(1)において、第一露光放射(20a)に対して、少なくとも一つの第二領域に関して増加する透明性が形成され、第一領域(1)と正しい位置関係で、少なくとも一つの第二領域(2)において、少なくとも一つの露光放射(20b)に対して、第一領域に関して増加する透明性が形成され、少なくとも二つの構造化機能層(30´、31´)が、互いに正しい位置関係で、さらに、キャリア基質(10)の上面(10b)で、第一および少なくとも一つの第二領域(1、2)と正しい位置関係で配置されるように、キャリア基質(10)の下面(10a)が作られること、
を特徴とする多層体。 - 第一凹凸構造が第一領域(1)に配置され、第一凹凸構造とは異なる少なくとも一つの第二凹凸構造が第二領域(2)に配置され、第一凹凸構造と正しい位置関係であること、
を特徴とする請求項39に記載の多層体。 - 露光マスク層(100)が、さらに下面(10a)に配置されること、
を特徴とする請求項39または40に記載の多層体。 - 第一カラー層が第一領域(1)に配置され、第一カラー層と色の異なる少なくとも一つの第二カラー層が第二領域(2)に配置され、第一カラー層と正しい位置関係にあること、
を特徴とする請求項41に記載の多層体。 - 多層体が一つ以上の電子部品、特に、キャパシタ、電界効果トランジスタ、太陽電池、感光層を含む部品、抵抗、アンテナ、LED、特にOLED、またはダイオードを有すること、
を特徴とする請求項39〜42のいずれか1項に記載のプロセス。 - 多層体が、基質としてガラス層を有し、多層体が、下面の領域に、第一回折凹凸構造が第一領域に形成され、それとは異なる第二回折凹凸構造が少なくとも一つの第二領域にさらに形成される、複製ラッカー層を有すること、
を特徴とする請求項39〜43のいずれか1項に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006037433A DE102006037433B4 (de) | 2006-08-09 | 2006-08-09 | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper |
DE102006037433.9 | 2006-08-09 | ||
PCT/EP2007/006884 WO2008017426A1 (de) | 2006-08-09 | 2007-08-03 | Verfahren zur herstellung mindestens eines mehrschichtkörpers sowie mehrschichtkörper |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010500606A true JP2010500606A (ja) | 2010-01-07 |
JP2010500606A5 JP2010500606A5 (ja) | 2010-09-09 |
JP4944200B2 JP4944200B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=38608712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523184A Expired - Fee Related JP4944200B2 (ja) | 2006-08-09 | 2007-08-03 | 少なくとも一つの多層体の製造プロセスと多層体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8129217B2 (ja) |
EP (1) | EP2050150B1 (ja) |
JP (1) | JP4944200B2 (ja) |
DE (1) | DE102006037433B4 (ja) |
DK (1) | DK2050150T3 (ja) |
WO (1) | WO2008017426A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103348503A (zh) * | 2011-03-03 | 2013-10-09 | 正交公司 | 薄膜器件的材料图案化工艺 |
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- 2007-08-03 US US12/309,908 patent/US8129217B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-03 EP EP07801506.2A patent/EP2050150B1/de not_active Not-in-force
- 2007-08-03 WO PCT/EP2007/006884 patent/WO2008017426A1/de active Application Filing
- 2007-08-03 JP JP2009523184A patent/JP4944200B2/ja not_active Expired - Fee Related
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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