RU2004125149A - Обнаружение заряда или частицы - Google Patents

Обнаружение заряда или частицы Download PDF

Info

Publication number
RU2004125149A
RU2004125149A RU2004125149/09A RU2004125149A RU2004125149A RU 2004125149 A RU2004125149 A RU 2004125149A RU 2004125149/09 A RU2004125149/09 A RU 2004125149/09A RU 2004125149 A RU2004125149 A RU 2004125149A RU 2004125149 A RU2004125149 A RU 2004125149A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
specified
sensitive device
output
node
signal
Prior art date
Application number
RU2004125149/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2339973C2 (ru
Inventor
Пьер ЖАРРОН (FR)
Пьер ЖАРРОН
Original Assignee
Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч (Ch)
Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч (Ch), Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч filed Critical Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч (Ch)
Publication of RU2004125149A publication Critical patent/RU2004125149A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2339973C2 publication Critical patent/RU2339973C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/162—FETs are biased in the weak inversion region
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/357—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising MOS which are biased in the weak inversion region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (24)

1. Чувствительный прибор, имеющий чувствительное устройство и схему усиления, причем чувствительное устройство сконструировано и устроено таким образом, что оно вырабатывает сигнал, когда оно получает одну или несколько заряженных частиц и/или один или несколько квантов электромагнитного излучения, при этом схема усиления имеет входной узел и выходной узел, причем чувствительное устройство подключено к указанному входному узлу для подачи указанного сигнала на него, в результате чего уровень в выходном узле изменяется, и дополнительно имеет цепь обратной связи, соединяющую указанный входной узел и указанный выходной узел, для подачи назад части уровня в выходном узле, для поддержания первого уровня в выходном узле при отсутствии указанного сигнала от указанного чувствительного устройства, причем устройство обратной связи в ответ на изменение уровня указанного выходного узла изменяет воздействие указанной цепи обратной связи, когда указанный уровень изменяется, чтобы усилить петлевое усиление указанной схемы усиления.
2. Чувствительный прибор по п.1, в котором цепь обратной связи содержит путь постоянного тока и емкостной путь, причем емкость емкостного пути главным образом снижается до нуля, когда уровень в выходном узле близок к пороговому уровню.
3. Чувствительный прибор по п.1 или по 2, в котором цепь обратной связи содержит полевой МОП-транзистор, имеющий путь сток-исток, соединяющий указанный входной узел и указанный выходной узел, причем указанный полевой МОП-транзистор имеет затвор, подключенный к опорному потенциалу.
4. Чувствительный прибор по п.3, в котором указанная схема усиления устроена таким образом, чтобы иметь уровень выходного узла, который изменяется в ответ на указанный сигнал в достаточной степени для того, чтобы вызвать падение тока стока указанного полевого МОП-транзистора до нуля, в результате чего схема усиления начинает работать в состоянии с разомкнутой цепью обратной связи.
5. Чувствительный прибор по п.3, имеющий источник входного тока, сконструированный и устроенный таким образом, чтобы подавать ток к указанному входному узлу указанного усилителя, причем указанный полевой МОП-транзистор создает путь для протекания указанного тока от указанного входного узла до указанного выходного узла, при этом указанный полевой МОП-транзистор поддерживается в состоянии глубокой слабой инверсии.
6. Чувствительный прибор по п.5, в котором источник тока содержит токовое зеркало.
7. Чувствительный прибор по п.3, имеющий выходной транзистор, имеющий затвор, подключенный к указанному выходному узлу для создания выходного сигнала, свидетельствующего об обнаружении указанной заряженной частицы и/или кванта электромагнитного излучения, причем указанное опорное напряжение определяет уровень указанного сигнала чувствительного элемента, который требуется для создания указанного выходного сигнала, достаточный для обнаружения одиночной частицы.
8. Чувствительный прибор по п.5 или 6, в котором входной источник тока сконструирован и устроен таким образом, что он управляемым образом выдает, главным образом, нулевую величину тока, чтобы позволить интегрирование при помощи указанного усилителя принятого заряда, созданного сигналом указанного чувствительного устройства, при этом усилитель находится в состоянии с разомкнутой цепью обратной связи, причем усилитель имеет выход истокового повторителя для создания аналогового выхода прибора.
9. Чувствительный прибор, имеющий чувствительное устройство и схему усиления, причем чувствительное устройство сконструировано и устроено таким образом, что оно вырабатывает сигнал, когда оно получает одну или несколько заряженных частиц и/или один или несколько квантов электромагнитного излучения, при этом схема усиления имеет входной узел и выходной узел, причем чувствительное устройство подключено к указанному входному узлу для подачи указанного сигнала на него, в результате чего уровень в выходном узле изменяется и создает выходной сигнал от указанного выходного узла, причем прибор дополнительно содержит токовое зеркало, подключенное к указанному входному узлу и сконструированное и устроенное таким образом, чтобы подавать ток к нему для восстановления уровня на входном узле до начального уровня.
10. Чувствительный прибор по п.1 или 9, интегрированный на полупроводниковой подложке.
11. Чувствительный прибор, который содержит чувствительное устройство для обнаружения поступления падающего кванта электромагнитного излучения и/или заряженных частиц, и усилитель, подключенный к чувствительному элементу для усиления сигнала от чувствительного элемента, причем чувствительный элемент и усилитель изготовлены на общей подложке, при этом прибор сконструирован и устроен таким образом, чтобы различать поступление одного или множества квантов на чувствительное устройство.
12. Чувствительный прибор по пп.1, 9 или 11, в котором чувствительное устройство содержит один или несколько компонентов, выбранных из группы, в которую входят чувствительный элемент с р-n-переходом, р-n-фотодиод, лавинный фотодиод, чувствительный к излучению элемент для обнаружения заряженных частиц и/или рентгеновских фотонов, аморфный Si:H PIN диод и полупроводниковый PIN диод из материала с высоким атомным номером.
13. Чувствительный прибор по одному из пп.1, 9, 11 или 12, в котором чувствительный прибор представляет собой пиксельную ячейку.
14. Чувствительный прибор по одному из пп.1, 9, 11 или 12, который дополнительно содержит схему считывания, которая содержит схему с комплементарной МОП-структурой (КМОП-структурой) для приема выходного сигнала чувствительного устройства и выработки выходного сигнала, соответствующего указанному событию, обнаружения.
15. Чувствительный прибор по одному из пп.1, 9, 11 или 12, в котором один квант создает входной заряд для чувствительного устройства, причем входной заряд составляет ориентировочно от 10 до 15 е- при опорном токе около 10 пА.
16. Чувствительный прибор по п.7, в котором потенциал напряжения служит для того, чтобы смещать выходной транзистор в область слабой инверсии при токе стока несколько наноампер.
17. Чувствительный прибор по п.7, в котором ток стока выходного транзистор возрастает в 1000 раз (3 декады тока), ориентировочно от 1 нА до 1 мкА, при возрастании выходного напряжения, составляющем около 250 мВ.
18. Чувствительный прибор по одному из пп.1, 9, 11 или 12, в котором увеличение выходного напряжения на величину около 250 мВ создается за счет входного заряда около 25 е-.
19. Система обнаружения, которая содержит матрицу чувствительных приборов по одному из пп.1-18, которая содержит схему считывания для приема выходного сигнала чувствительных устройств и для выработки выходного сигнала, соответствующего указанному событию обнаружения.
20. Макропиксель, который содержит матрицу чувствительных приборов по одному из пп.1-18, причем выходы указанных чувствительных устройств объединены для создания эффекта большого пикселя.
21. Макропиксель по п.20, в котором выходы чувствительных устройств подключены к шине.
22. Способ обнаружения поступления одной или нескольких заряженных частиц и/или одного или нескольких квантов электромагнитного излучения, с использованием чувствительного прибора, который содержит чувствительное устройство и схему усиления, в котором чувствительное устройство подключено к входному узлу схемы усиления и сконструировано и устроено таким образом, что оно вырабатывает сигнал, когда оно получает указанные одну или несколько заряженных частиц и/или один или несколько квантов электромагнитного излучения, причем способ включает в себя следующие операции: подача назад части выходного напряжения от выходного узла указанного усилителя к указанному входному узлу; усиление напряжения, поступающего на указанный вход указанной схемы усиления, в результате чего напряжение на выходном узле возрастает; и в ответ на указанное возрастание напряжения, уменьшение части указанного выходного напряжения, которую подают назад, чтобы увеличить петлевое усиление указанной схемы усиления.
23. Способ по п.22, который дополнительно предусматривает снижение емкости между указанным выходным узлом и указанным входным узлом, когда напряжение на выходном узле возрастает.
24. Способ по п.22 или 23, который предусматривает снижение указанной обратной связи до нуля, в результате чего схема усиления работает в состоянии с разомкнутой цепью обратной связи.
RU2004125149/09A 2002-01-21 2003-01-20 Обнаружение заряда или частицы RU2339973C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0201260.7 2002-01-21
GBGB0201260.7A GB0201260D0 (en) 2002-01-21 2002-01-21 A sensing and imaging device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004125149A true RU2004125149A (ru) 2006-02-10
RU2339973C2 RU2339973C2 (ru) 2008-11-27

Family

ID=9929417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004125149/09A RU2339973C2 (ru) 2002-01-21 2003-01-20 Обнаружение заряда или частицы

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7183555B2 (ru)
EP (1) EP1468488A2 (ru)
JP (1) JP2005515450A (ru)
KR (1) KR100993529B1 (ru)
CN (1) CN1630979A (ru)
AU (1) AU2003235605A1 (ru)
CA (1) CA2473619A1 (ru)
GB (1) GB0201260D0 (ru)
NO (1) NO20042873L (ru)
RU (1) RU2339973C2 (ru)
WO (1) WO2003061277A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2540980C2 (ru) * 2010-10-01 2015-02-10 Сони Корпорейшн Устройство формирования изображения и система камеры

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4055683B2 (ja) * 2003-09-03 2008-03-05 ソニー株式会社 固体撮像素子
JP4701603B2 (ja) * 2003-11-13 2011-06-15 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
CA2494602A1 (en) 2005-01-08 2006-07-08 Karim S. Karim Digital imaging apparatus and system
US20110168892A1 (en) * 2005-01-06 2011-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Pixel Implemented Current Amplifier
US8648287B1 (en) 2005-05-27 2014-02-11 Rambus Inc. Image sensor using single photon jots and processor to create pixels
US7489136B1 (en) * 2005-08-04 2009-02-10 Nu-Trek, Inc. Apparatus and method of detecting radiation
US7405988B2 (en) * 2005-09-26 2008-07-29 Silicon Storage Technology, Inc. Method and apparatus for systematic and random variation and mismatch compensation for multilevel flash memory operation
US8148760B2 (en) * 2006-01-05 2012-04-03 Artto Aurola Visible light detecting semiconductor radiation detector
EP2126526A1 (en) 2007-03-05 2009-12-02 Arokia Nathan Sensor pixels, arrays and array systems and methods therefor
KR100868651B1 (ko) * 2007-05-17 2008-11-12 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
US7969476B1 (en) * 2007-05-24 2011-06-28 Advasense Technologies Ltd. Method for accessing a pixel and a device having pixel access capabilities
US7960997B2 (en) * 2007-08-08 2011-06-14 Advanced Analogic Technologies, Inc. Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices
US7626827B2 (en) * 2007-09-07 2009-12-01 Kla-Tencor Corporation High density in-package microelectronic amplifier
US8199236B2 (en) 2007-09-11 2012-06-12 Simon Fraser University/Industry Liason Office Device and pixel architecture for high resolution digital
US7755685B2 (en) * 2007-09-28 2010-07-13 Sarnoff Corporation Electron multiplication CMOS imager
US8822936B2 (en) * 2007-10-04 2014-09-02 Danmarks Tekniske Universitet Detector for detecting particle radiation of an energy in the range of 150 eV to 300 keV, and a materials mapping apparatus with such a detector
EP2160012B1 (en) * 2008-09-01 2013-11-27 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Single photon imaging device
US8324548B2 (en) * 2009-03-26 2012-12-04 Aptina Imaging Corporation Imaging devices and methods for charge transfer
DE102010056152A1 (de) * 2009-12-31 2011-07-07 Spectro Analytical Instruments GmbH, 47533 Simultanes anorganisches Massenspektrometer und Verfahren zur anorganischen Massenspektrometrie
US9330892B2 (en) 2009-12-31 2016-05-03 Spectro Analytical Instruments Gmbh Simultaneous inorganic mass spectrometer and method of inorganic mass spectrometry
KR101010916B1 (ko) * 2010-09-17 2011-01-25 주식회사 룩센테크놀러지 Ｄｃ 누설 전류를 보상하는 전하 감지 증폭 회로, 이를 이용한 엑스선 독출 집적 회로 및 엑스선 센서
EP2663879B1 (en) * 2011-01-10 2017-08-02 Koninklijke Philips N.V. Detection device for detecting photons emitted by a radiation source
US9318518B2 (en) * 2011-01-17 2016-04-19 Koninklijke Philips N.V. Photon counting detector pixel having an anode including two or more alternatively selectable and separate sub-anodes
CN102175908B (zh) * 2011-01-27 2014-02-26 无锡硅动力微电子股份有限公司 利用功率管布线寄生电阻实现电流检测的方法
JP5808592B2 (ja) * 2011-07-04 2015-11-10 浜松ホトニクス株式会社 基準電圧決定方法及び推奨動作電圧決定方法
BR112014004344A2 (pt) * 2011-08-30 2017-05-30 Koninklijke Philips Nv matriz detectora e método de detecção de maiores taxas de fluxo de fóton
KR101809542B1 (ko) 2011-12-26 2017-12-18 삼성전자주식회사 스위칭 회로, 이를 포함하는 전하량 검출 증폭기 및 광자 계수 검출 장치
US8736008B2 (en) 2012-01-04 2014-05-27 General Electric Company Photodiode array and methods of fabrication
KR101359352B1 (ko) * 2012-06-28 2014-02-21 한국과학기술원 시각신경 회로장치 및 이를 이용한 시각신경 모방 시스템
JP6219282B2 (ja) 2012-08-02 2017-10-25 株式会社堀場製作所 増幅器及び放射線検出器
EP2778715A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-17 Agfa Healthcare A pixel unit for a radiographic image detecting apparatus
RU2517682C1 (ru) * 2013-04-08 2014-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий датчик физических величин с потенциальным выходом
RU2534758C1 (ru) * 2013-04-09 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВО "ЮРГУЭС") Трансрезистивный усилитель с парафазным выходом для преобразования сигналов лавинных фотодиодов
US9677931B2 (en) 2013-04-24 2017-06-13 Koninklijke Philips N.V. Detection of radiation quanta using an optical detector pixel array and pixel cell trigger state sensing circuits
US9500752B2 (en) * 2013-09-26 2016-11-22 Varian Medical Systems, Inc. Pixel architecture for imaging devices
US9360511B2 (en) 2013-10-21 2016-06-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Closed loop dynamic capacitance measurement
WO2015069566A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Adaptive detection sensor array and method of providing and using the same
US20160003672A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-07 Varun Verma Multiplexer for single photon detector, process for making and use of same
US10163957B2 (en) * 2014-12-19 2018-12-25 G-Ray Switzerland Sa Monolithic CMOS integrated pixel detector, and systems and methods for particle detection and imaging including various applications
US10502622B2 (en) * 2016-06-30 2019-12-10 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Detector control and data acquisition with custom application specific integrated circuit (ASIC)
EP3532873B1 (en) * 2016-10-27 2021-06-23 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Dark noise compensation in a radiation detector
SG11202011505RA (en) 2018-06-08 2020-12-30 Asml Netherlands Bv Semiconductor charged particle detector for microscopy
US11108981B2 (en) * 2018-09-03 2021-08-31 Fermi Research Alliance, Llc Compact, low power, high resolution ADC per pixel for large area pixel detectors
JP2020112495A (ja) * 2019-01-15 2020-07-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置および測距装置
JP2020153712A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電流生成回路および測距システム
US11977404B2 (en) * 2022-02-28 2024-05-07 Texas Instruments Incorporated Fast startup power regulator circuitry

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4555623A (en) * 1983-12-05 1985-11-26 Irvine Sensors Corporation Pre-amplifier in focal plane detector array
US4866400B1 (en) * 1988-01-15 1999-08-31 Eg & G Instr Inc Automatic pole-zero adjustment circuit for an ionizing radiation spectroscopy system
US5057682A (en) * 1989-12-26 1991-10-15 General Electric Company Quiescent signal compensated photodetector system for large dynamic range and high linearity
US5602511A (en) * 1995-06-07 1997-02-11 Santa Barbara Research Center Capacitive transimpedance amplifier having dynamic compression
US5606277A (en) * 1995-06-23 1997-02-25 Linear Technology Corporation AC coupling loops for current-to-voltage transimpedance amplifiers and methods of using same
US6274869B1 (en) * 1996-06-28 2001-08-14 Lockheed-Martin Ir Imaging Systems, Inc. Digital offset corrector
JPH10256841A (ja) 1997-03-14 1998-09-25 Sony Corp フォトダイオード増幅回路
DE19838693C2 (de) * 1998-08-26 2000-09-28 Maz Mikroelektronik Anwendungs Auskoppelschaltung für Signale von integrierten Photodioden
JP3475877B2 (ja) 1999-10-25 2003-12-10 日本電気株式会社 前置増幅回路
DE10106221A1 (de) * 2001-02-10 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Röntgendetektor mit großem Dynamikbereich
IL151634A0 (en) * 2002-09-05 2003-04-10 Real Time Radiography Ltd Direct detection of high energy single photons
US7161154B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-09 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Array of sensor elements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2540980C2 (ru) * 2010-10-01 2015-02-10 Сони Корпорейшн Устройство формирования изображения и система камеры

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003061277A3 (en) 2004-05-06
GB0201260D0 (en) 2002-03-06
KR20040096527A (ko) 2004-11-16
RU2339973C2 (ru) 2008-11-27
NO20042873L (no) 2004-09-08
US7183555B2 (en) 2007-02-27
JP2005515450A (ja) 2005-05-26
AU2003235605A8 (en) 2003-07-30
KR100993529B1 (ko) 2010-11-11
AU2003235605A1 (en) 2003-07-30
US20050104003A1 (en) 2005-05-19
CN1630979A (zh) 2005-06-22
WO2003061277A2 (en) 2003-07-24
EP1468488A2 (en) 2004-10-20
CA2473619A1 (en) 2003-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004125149A (ru) Обнаружение заряда или частицы
US10904465B2 (en) Sample and hold based temporal contrast vision sensor
US9910171B2 (en) Thin film transistor detection systems and related methods
US4382187A (en) Electromagnetic radiation detection matrix
Mead A sensitive electronic photoreceptor
US7732748B2 (en) Active pixel image sensor with reduced readout delay
US11604092B2 (en) Data output device
DE60327809D1 (de) Photonenzähl-abbildungseinrichtung
EP1813096A4 (en) DIGITAL IMAGING SYSTEM WITH HIGH REINFORCEMENT
JP6137522B2 (ja) 光電変換装置のリセット方法と、光電変換装置、光電変換アレイ、および撮像装置
US4794247A (en) Read-out amplifier for photovoltaic detector
Sandage et al. A fingerprint opto-detector using lateral bipolar phototransistors in a standard CMOS process
US5023455A (en) Radiation-sensitive detector array and pre-amplification readout integrated circuit
Peric Hybrid pixel particle-detector without bump interconnection
US8084727B2 (en) Device for detecting an electromagnetic radiation with current limitation
JP4560988B2 (ja) 光検出器
JP2000083198A (ja) 光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ
US11006063B2 (en) Pixel readout circuit, method of driving the same, and image sensor
US9006638B2 (en) Dual-mode capacitive transimpedance amplifier, and read-out device incorporating the same
TW538504B (en) Current amplification of logarithmic mode CMOS image sensor
Yun et al. Low-power amplifier for readout interface of semiconductor scintillator
JPH10239151A (ja) 赤外線検出器
US6204496B1 (en) Focal plane readout unit cell induced pulse diversion circuit and method
Cattaneo Radiation hardness of semiconductor detectors and read out electronics for the ALEPH minivertex detector
Heini et al. Design of PhotoFET for monolithic active pixel sensors in high energy physics and biomedical imaging applications

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130121