Claims (10)
1. Высокотемпературная схемная структура, содержащая керамический кристалл (6), электропроводящий монтажный слой (8) на указанном кристалле, и схемное устройство (2), содержащее SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69), на указанном монтажном слое, ричем указанный монтажный слой обеспечивает сцепление указанного устройства с указанным кристаллом и имеет температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) в пределах 1,00±0,06 от ТКЛР указанных кристалла и устройства.1. High-temperature circuit structure containing a ceramic crystal (6), an electrically conductive mounting layer (8) on the specified crystal, and a circuit device (2) containing SiC, AlN and / or Al x Ga 1-x N (x> 0.69 ), on the specified mounting layer, richer the specified mounting layer provides adhesion of the specified device to the specified crystal and has a temperature coefficient of linear expansion (TEC) within 1.00 ± 0.06 of the TEC of the specified crystal and device.
2. Структура по п.1, в которой указанный керамический кристалл содержит AlN, а указанный монтажный слой содержит W, WC и/или W2C.2. The structure according to claim 1, in which the specified ceramic crystal contains AlN, and the specified mounting layer contains W, WC and / or W 2 C.
3. Структура по п.2, в которой указанный монтажный слой содержит адгезионный слой (12) из W, WC и/или W2C, сцепленный с указанным кристаллом, и слой (14) металлизации, сцепленный с указанным адгезионным слоем и соединенный с электродами на указанном устройстве, причем указанный слой металлизации имеет тепловой коэффициент линейного расширения, превышающий не более чем примерно в 3,5 раза тепловой коэффициент линейного расширения указанного адгезионного слоя в интересующем температурном диапазоне.3. The structure according to claim 2, in which the specified mounting layer contains an adhesive layer (12) of W, WC and / or W 2 C, bonded to the specified crystal, and a metallization layer (14), bonded to the specified adhesive layer and connected to electrodes on the specified device, and the specified metallization layer has a thermal coefficient of linear expansion, exceeding not more than about 3.5 times the thermal coefficient of linear expansion of the specified adhesive layer in the temperature range of interest.
4. Структура по любому из пп.1-3, в которой указанный монтажный слой содержит прерывистый слой, имеющий множество отделенных друг от друга монтажных элементов (8а, 8b), которые подсоединены к соответствующим отделенным друг от друга частям указанного устройства.4. The structure according to any one of claims 1 to 3, in which said mounting layer comprises an intermittent layer having a plurality of mounting elements (8a, 8b) separated from each other, which are connected to respective parts of said device separated from each other.
5. Структура по любому из пп.1–3, дополнительно содержащая электропроводящие проволочные выводы (16), электрически соединенные через указанный монтажный слой с указанным устройством, и оболочку (18), выполненную из боросиликатной смеси, герметизирующей указанные устройство, монтажный слой и часть указанных проволочных выводов.5. The structure according to any one of claims 1 to 3, additionally containing electrically conductive wire leads (16) electrically connected through the specified mounting layer to the specified device, and the shell (18) made of borosilicate mixture, sealing the specified device, the mounting layer and part specified wire conclusions.
6. Термочувствительная система, содержащая рабочую систему (28), функционирование которой базируется на термочувствительной способности, и термочувствительную структуру (30), соединенную с указанной рабочей системой, для обеспечения указанной термочувствительной способности, причем указанная термочувствительная структура содержит кристалл (6), электропроводящий монтажный слой (8) на указанном кристалле и термочувствительное устройство (2), содержащее SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69), на указанном монтажном слое, причем указанный монтажный слой обеспечивает сцепление указанного устройства с указанным кристаллом и имеет температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) в пределах 1,00±0,06 от ТКЛР указанных кристалла и устройства.6. A heat-sensitive system containing a working system (28), the operation of which is based on heat-sensitive ability, and a heat-sensitive structure (30) connected to the specified working system, to provide the specified heat-sensitive ability, and the specified heat-sensitive structure contains a crystal (6), an electrically conductive mounting layer (8) on said chip and the temperature sensitive device (2) comprising SiC, AlN and / or Al x Ga 1-x N (x> 0,69) , on said mounting layer, said mounting layer both ensures, said coupling device to said chip and has a coefficient of linear thermal expansion (CTE) in the range of 1.00 ± 0.06 and a coefficient of linear expansion of said crystal unit.
7. Химический датчик, содержащий высокотемпературную структуру (30), содержащую кристалл (6), электропроводящий монтажный слой (8) на указанном кристалле и чувствительное к химическим веществам устройство (2), содержащее SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69), на указанном монтажном слое, причем указанный монтажный слой обеспечивает сцепление указанного устройства с указанным кристаллом и имеет температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) в пределах 1,00±0,06 от ТКЛР указанных кристалла и устройства, и рабочую систему (28), функционирование которой базируется на чувствительной способности к химическим продуктам, причем указанная высокотемпературная структура подсоединена к указанной рабочей системе для обеспечения указанной (способности).7. A chemical sensor containing a high-temperature structure (30) containing a crystal (6), an electrically conductive mounting layer (8) on the specified crystal and a chemical-sensitive device (2) containing SiC, AlN and / or Al x Ga 1-x N (x> 0.69), on the specified mounting layer, and the specified mounting layer provides adhesion of the specified device with the specified crystal and has a temperature coefficient of linear expansion (TEC) within 1.00 ± 0.06 of the TEC of the specified crystal and device, and a working system (28), the functioning of which ruetsya sensitive to the ability of chemical products, said high temperature structure connected to said operating system for providing such a (power).
8. Зависящее от температуры устройство, содержащее рабочую систему (28), функционирование которой базируется на по существу линейном положительном температурном коэффициенте сопротивления (ТКС), и резистор (2) из легированного SiC, подсоединенный к указанной рабочей системе, для обеспечения указанного по существу линейного положительного ТКС.8. A temperature-dependent device comprising a working system (28), the operation of which is based on a substantially linear positive temperature coefficient of resistance (TCR), and a resistor (2) made of doped SiC connected to said working system to provide said substantially linear positive tks.
9. Схемная структура, содержащая кристалл (230) из AlN и пьезоэлектрический слой (231), содержащий SiC, AlN и/или AlxGa1-xN (x>0,69), закрепленный на указанном кристалле.9. Schematic structure containing an AlN crystal (230) and a piezoelectric layer (231) containing SiC, AlN and / or Al x Ga 1-x N (x> 0.69), mounted on the specified crystal.
10. Схемная структура, содержащая кристалл (6) из AlN и слой W, WC и/или W2C на указанном кристалле.10. A schematic structure containing a crystal (6) of AlN and a layer of W, WC and / or W 2 C on the specified crystal.