Claims (10)
1. Схема, управляемая инфракрасным излучением, содержащая тело кристалла SiC (6), поглощающее инфракрасное излучение и открытое для приема инфракрасного излучения (4), и электрическую схему (8, 12), подсоединенную для подачи электрического сигнала в тело кристалла SiC, причем тело кристалла SiC реагирует на падающее инфракрасное излучение, изменяя свою реакцию на электрический сигнал, и закреплено в монтажной конструкции, включающей в себя подложку из A1N (46) и электропроводный монтажный слой (48а, 48b), содержащий W, WC или W2C, который электрически и механически соединяет тело кристалла SiC с подложкой.1. An infrared-controlled circuit comprising an SiC crystal body (6), absorbing infrared radiation and open to receiving infrared radiation (4), and an electric circuit (8, 12) connected to supply an electrical signal to the SiC crystal body, wherein the body SiC crystal reacts to incident infrared radiation, changing its response to an electrical signal, and is fixed in an assembly structure including an A1N substrate (46) and an electrically conductive assembly layer (48a, 48b) containing W, WC, or W 2 C, which electrically and fur nical connects the SiC body to the substrate crystal.
2. Схема, управляемая инфракрасным излучением по п.1, в которой монтажный слой содержит адгезивный слой из W, WC или W2C (54a, 54b), прилипающий к подложке, и слой металлизации (52а, 52b), прилипающий к адгезивному слою и связанный с электродами (20а, 20b) для тела кристалла SiC, причем упомянутый слой металлизации имеет коэффициент теплового расширения, который не более чем примерно в 3,5 раза превосходит аналогичный коэффициент подложки во всем диапазоне температур, представляющем интерес.2. The infrared controlled circuit according to claim 1, wherein the mounting layer comprises an adhesive layer of W, WC or W 2 C (54a, 54b) adhering to the substrate, and a metallization layer (52a, 52b) adhering to the adhesive layer and coupled to the electrodes (20a, 20b) for the body of the SiC crystal, said metallization layer having a thermal expansion coefficient that is no more than about 3.5 times that of the substrate coefficient over the entire temperature range of interest.
3. Схема, управляемая инфракрасным излучением по п.1, дополнительно включающая множество электродных контактных площадок (50а, 50b), имеющих тот же состав, что и монтажный слой, которые электрически и механически соединены с подложкой и электрически соединены с монтажным слоем.3. The infrared controlled circuit according to claim 1, further comprising a plurality of electrode contact pads (50a, 50b) having the same composition as the mounting layer, which are electrically and mechanically connected to the substrate and electrically connected to the mounting layer.
4. Датчик мощности или энергии инфракрасного излучения, содержащий тело кристалла SiC (6), открытое для приема инфракрасного излучения (4), схему возбуждения (8, 12), скомпонованную таким образом, чтобы подавать либо регулируемое напряжение, либо регулируемый ток на тело кристалла SiC, и выходную схему, включающую в себя датчик тока (10) для тела кристалла SiC в случае подачи регулируемого напряжения из схемы возбуждения, либо датчик напряжения (14) для тела кристалла SiC в случае подачи регулируемого тока из схемы возбуждения, причем выходная схема обеспечивает индикацию мощности или энергии инфракрасного излучения, падающего на тело кристалла SiC в диапазоне волн, представляющем интерес, в котором тело кристалла SiC закреплено в монтажной конструкции, содержащей подложку из AlN (46) и электропроводный монтажный слой (48а, 48b), содержащий W, WC или W2C, который электрически и механически соединяет тело кристалла SiC с подложкой.4. Power or energy sensor of infrared radiation, containing the body of the SiC crystal (6), open to receive infrared radiation (4), an excitation circuit (8, 12), arranged in such a way as to supply either an adjustable voltage or an adjustable current to the crystal body SiC, and an output circuit including a current sensor (10) for the SiC crystal body in the case of supplying a controlled voltage from the drive circuit, or a voltage sensor (14) for the SiC crystal body in the case of supplying a controlled current from the drive circuit, the output circuit Shows an indication of the power or energy of infrared radiation incident on the SiC crystal body in the wavelength range of interest, in which the SiC crystal body is fixed in a mounting structure comprising an AlN substrate (46) and an electrically conductive mounting layer (48a, 48b) containing W, WC or W 2 C, which electrically and mechanically connects the body of a SiC crystal to a substrate.
5. Устройство по п.4, в котором в тело кристалла SiC введены легирующие примеси так, что оно реагирует на инфракрасное излучение в диапазоне волн, представляющем интерес, изменяя свое сопротивление в соответствии с уровнем легирования.5. The device according to claim 4, in which dopants are introduced into the body of the SiC crystal so that it reacts to infrared radiation in the wavelength range of interest, changing its resistance in accordance with the doping level.
6. Датчик по п.4, в котором тело кристалла SiC расположено таким образом, что известно, насколько оно подвергается облучению инфракрасным излучением (38) относительно уровня инфракрасного излучения, принимаемого тестируемым телом (28), чью температуру требуется измерить, а выходная схема обеспечивает индикацию температуры тестируемого тела в функции сопротивления тела кристалла SiC.6. The sensor according to claim 4, in which the body of the SiC crystal is located in such a way that it is known how much it is exposed to infrared radiation (38) relative to the level of infrared radiation received by the test body (28), whose temperature needs to be measured, and the output circuit provides indication of the temperature of the test body as a function of the resistance of the body of the SiC crystal.
7. Схема варистора, управляемого инфракрасным излучением, включающая рабочую схему (68, 70), тело кристалла SiC (66), включенное в рабочую схему, и регулируемый источник инфракрасного излучения (72), скомпонованный для направления инфракрасного излучения (74) на тело кристалла SiC и для регулирования его сопротивления, и в связи с этим регулирования работы рабочей схемы в функции характеристик инфракрасного излучения, в которой тело кристалла SiC закреплено в монтажной конструкции, включающей подложку из AlN (46) и электропроводный монтажный слой (48а, 48b), содержащий W, WC или W2C, который электрически и механически соединяет тело кристалла SiC с подложкой.7. The scheme of the varistor controlled by infrared radiation, including the working circuit (68, 70), the body of the SiC crystal (66), included in the working circuit, and an adjustable infrared radiation source (72), arranged to direct infrared radiation (74) on the crystal body SiC and to regulate its resistance, and in this regard, regulate the operation of the working circuit as a function of the characteristics of infrared radiation, in which the body of the SiC crystal is fixed in a mounting structure including an AlN substrate (46) and an electrically conductive mounting layer (48a, 48b), containing W, WC or W 2 C, which electrically and mechanically connects the body of the SiC crystal to the substrate.
8. Способ использования инфракрасного излучения, заключающийся в том, что подают электрический сигнал в тело кристалла SiC (6), и подают инфракрасное излучение (4) на тело кристалла SiC для его нагрева и в связи с этим изменения сопротивления тела кристалла, которое регулирует реакцию тела кристалла на электрический сигнал,8. The method of using infrared radiation, which consists in supplying an electrical signal to the body of the SiC crystal (6), and applying infrared radiation (4) to the body of the SiC crystal to heat it and, therefore, changing the resistance of the crystal body, which regulates the reaction crystal body to an electrical signal,
в котором тело кристалла SiC закреплено в монтажной конструкции (46), содержащей подложку из AlN и электропроводный монтажный слой (48а, 48b), содержащий W, WC или W2C, который электрически и механически соединяет тело кристалла SiC с подложкой.in which the body of the SiC crystal is fixed in the mounting structure (46) comprising an AlN substrate and an electrically conductive mounting layer (48a, 48b) comprising W, WC or W 2 C, which electrically and mechanically connects the body of the SiC crystal to the substrate.
9. Способ по п.8, в котором подаваемый электрический сигнал содержит сигнал напряжения (8) или тока (12), дополнительно содержащей измерение результирующего тока (10) через тело кристалла SiC в случае подачи сигнала напряжения, либо результирующего напряжения (14) на тело кристалла SiC в случае подачи сигнала тока для обеспечения индикации мощности или энергии инфракрасного излучения.9. The method according to claim 8, in which the supplied electrical signal contains a voltage signal (8) or current (12), further comprising measuring the resulting current (10) through the body of the SiC crystal in the case of a voltage signal or the resulting voltage (14) to the body of the SiC crystal in the case of a current signal to provide an indication of the power or energy of infrared radiation.
10. Способ по п.8 или 9, дополнительно содержащий облучение тела кристалла SiC и тестируемого тела (28), чью температуру требуется измерить, непосредственно зависящими друг от друга уровнями инфракрасного излучения и измерение реакции тела кристалла SiC на электрический сигнал в качестве индикации температуры тестируемого тела.10. The method according to claim 8 or 9, further comprising irradiating the body of the SiC crystal and the test body (28), whose temperature is required to be measured, directly depending on each other by the levels of infrared radiation and measuring the reaction of the body of the SiC crystal to an electrical signal as an indication of the temperature of the test body.