RU2003100274A - Полупроводниковый лазер и способ его изготовления - Google Patents
Полупроводниковый лазер и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU2003100274A RU2003100274A RU2003100274/28A RU2003100274A RU2003100274A RU 2003100274 A RU2003100274 A RU 2003100274A RU 2003100274/28 A RU2003100274/28 A RU 2003100274/28A RU 2003100274 A RU2003100274 A RU 2003100274A RU 2003100274 A RU2003100274 A RU 2003100274A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- waveguide
- type
- layer
- laser device
- semiconductor laser
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 4
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
Claims (26)
1. Полупроводниковое лазерное устройство, содержащее слоистый материал, состоящий из полупроводникового слоя проводимости первого типа, активного слоя и полупроводникового слоя проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, которые расположены последовательно по порядку, при этом указанная слоистая структура имеет волноводную зону для направления света в направлении, перпендикулярном направлению ширины, при этом указанная волноводная зона сформирована посредством ограничения распространения света в направлении ширины в активном слое и вблизи него, в котором волноводная зона имеет зону первого волновода и зону второго волновода, при этом зона первого волновода является зоной, где свет локализован внутри ограниченного активного слоя с помощью разницы в показателе преломления между активным слоем и зонами на обеих сторонах активного слоя посредством ограничения ширины активного слоя, а зона второго волновода является зоной, где свет локализован в ней посредством обеспечения эффективной разницы в показателе преломления в активном слое.
2. Полупроводниковое лазерное устройство по п.1, в котором указанная зона первого волновода имеет активный слой, ширина которого ограничена посредством образования первого гребня, который включает активный слой, указанная зона второго волновода, образованная посредством включения зоны, имеющей эффективно более высокий показатель преломления, обусловленный формированием второго гребня в слое проводимости второго типа.
3. Полупроводниковое лазерное устройство по п.2, в котором указанный первый гребень сформирован с помощью травления обеих сторон первого гребня до экспонирования слоя проводимости первого типа, а указанный второй гребень сформирован с помощью травления обеих сторон второго гребня, так что часть слоя проводимости второго типа остается на активном слое.
4. Полупроводниковое лазерное устройство по п.3, в котором толщина слоя проводимости второго типа, расположенного на активном слое на обеих сторонах второго гребня, составляет 0,1 мкм или менее.
5. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.2-4, в котором указанный второй гребень длиннее указанного первого гребня.
6. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.1-5, в котором указанная зона первого волновода включает одну резонансную торцевую поверхность лазерного резонатора.
7. Полупроводниковое лазерное устройство по п.6, в котором указанная резонансная торцевая поверхность является поверхностью излучения света.
8. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.1-7, в котором длина указанной зоны первого волновода составляет 1 мкм или более.
9. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.1-8, в котором указанный полупроводниковый слой проводимости первого типа, указанный активный слой и указанный слой проводимости второго типа сформированы из нитридного полупроводника, соответственно.
10. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.1-9, в котором указанный активный слой образован из слоя нитридного полупроводника, который включает In.
11. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.1-10, дополнительно содержащее изолирующие пленки на обеих сторонах указанного первого гребня и на обеих сторонах указанного второго гребня, при этом указанные изолирующие пленки выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из оксидов Ti, V, Zr, Nb, Hf и Та и соединений SiN, BN, SiC и A1N.
12. Полупроводниковое лазерное устройство, содержащее слоистый материал, который состоит из слоя проводимости первого типа, активного слоя и слоя проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, расположенные последовательно, при этом указанная слоистая структура снабжена зоной полоскового волновода, указанная зона полоскового волновода имеет, по меньшей мере, зону C1 первого волновода, в которой создан полосковый волновод на основе показателя абсолютного преломления, и зону С2 второго волновода, в которой создан полосковый волновод на основе показателя эффективного преломления, которые расположены в направлении резонатора.
13. Полупроводниковое лазерное устройство по п.12, в котором показатель абсолютного преломления зоны C1 первого волновода обеспечивается с помощью полоскового гребня, который создан так, чтобы включать слой проводимости первого типа, активный слой и слой проводимости второго тапа, а показатель эффективного преломления зоны С2 второго волновода обеспечивается с помощью полоскового гребня, который создан в слое проводимости второго типа.
14. Полупроводниковое лазерное устройство, содержащее слоистую структуру, состоящую из слоя проводимости первого типа, активного слоя и слоя проводимости второго типа, которая отличается от проводимости первого типа, расположенные последовательно, при этом указанная слоистая структура снабжена волноводной зоной полосковой конфигурации, при этом указанная полосковая волноводная зона имеет, по меньшей мере, зону второго волновода, где часть слоя проводимости второго типа удалена и создан полосковый гребень в слое проводимости второго типа, и зону C1 первого волновода, где части слоя проводимости второго типа, активный слой и слой проводимости первого типа удалены и создан полосковый гребень в слое проводимости первого типа, которые расположены в направлении резонатора.
15. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.12-14, в котором указанная зона первого волновода и указанная зона второго волновода образованы посредством удаления части слоистой структуры и формирования гребневого волновода, содержащего полосковый гребень.
16. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.12-15, в котором длина указанной зоны второго волновода больше длины указанной зоны первого волновода.
17. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.12-16, в котором, по меньшей мере, одна из резонансных торцевых поверхностей полупроводникового лазерного устройства сформирована на конце зоны первого волновода.
18. Полупроводниковое лазерное устройство по п.17, в котором резонансная торцевая поверхность, сформированная на конце зоны C1 первого волновода, является поверхностью излучения света.
19. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.17 и 18, в котором длина зоны первого волновода, которая имеет резонансную торцевую поверхность на одной своей торцевой поверхности, составляет 1 мкм или более.
20. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.12-19, в котором указанный полупроводниковый слой проводимости первого типа, указанный активный слой и указанный слой проводимости второго типа сформированы из нитридного полупроводника, соответственно.
21. Полупроводниковое лазерное устройство п.20, в котором указанный активный слой образован из слоя нитридного полупроводника, который включает In.
22. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.20 и 21, в котором указанный полупроводниковый слой проводимости первого типа включает нитридный полупроводник n-типа, а указанный полупроводниковый слой проводимости второго типа включает нитридный полупроводник р-типа.
23. Полупроводниковое лазерное устройство п.22, в котором указанная зона второго волновода имеет плакировочный слой p-типа, который включает нитридный полупроводник p-типа, и полосковый гребень зоны второго волновода сформирован при выдерживании толщины плакировочного слоя менее 0,1 мкм.
24. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.20-23, в котором боковые поверхности полоскового гребня зоны первого волновода и боковые поверхности полоскового гребня зоны второго волновода экспонированы и на боковой поверхности полоскового гребня создана изолирующая пленка, при этом указанная изолирующая пленка выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из оксидов, по меньшей мере, одного из элементов Ti, V, Zr, Nb, Hf и Та и, по меньшей мере, одного типа соединений SiN, BN, SiC и A1N.
25. Полупроводниковое лазерное устройство по любому из пп.20-24, в котором ширина указанного полоскового гребня находится в диапазоне от 1 до 3 мкм.
26. Способ изготовления полупроводникового лазерного устройства, содержащий процесс создания слоистого материала, в котором создают последовательно расположенные слой проводимости первого типа, активный слой и слой проводимости второго типа с использованием нитридного полупроводника для формирования слоистой структуры, процесс формирования первой защитной пленки полосковой конфигурации после формирования слоистой структуры, первый процесс травления, в котором слоистый материал подвергают травлению в той части, где не сформирована первая защитная пленка, за счет чего формируют полосковый гребень в слое проводимости второго типа, второй процесс травления, в котором формируют третью защитную пленку через первую защитную пленку на части поверхности, которая была экспонирована в первом процессе травления, и подвергают слоистый материал травлению в части, где не была сформирована третья защитная пленка, за счет чего создают полосковый гребень в слое проводимости первого типа, процесс, в котором формируют вторую защитную пленку, имеющую изолирующее свойство и выполненную из материала, отличающегося от первой защитной пленки, на боковой поверхности полоскового гребня и на поверхности нитридного полупроводника, экспонированной при травлении, и процесс удаления первой защитной пленки после формирования второй защитной пленки.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000172797 | 2000-06-08 | ||
| JP2000-172797 | 2000-06-08 | ||
| JP2001-116197 | 2001-04-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003100274A true RU2003100274A (ru) | 2004-05-27 |
| RU2262171C2 RU2262171C2 (ru) | 2005-10-10 |
Family
ID=35851438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003100274/28A RU2262171C2 (ru) | 2000-06-08 | 2001-04-25 | Полупроводниковое лазерное устройство и способ его изготовления |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN1877934B (ru) |
| RU (1) | RU2262171C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106534B (zh) * | 2019-10-30 | 2020-11-27 | 华灿光电股份有限公司 | 激光二极管及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3075512B2 (ja) * | 1987-08-04 | 2000-08-14 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2814906B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1998-10-27 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| JP2601173B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体光導波路およびその製造方法 |
| FR2730821B1 (fr) * | 1995-02-22 | 1997-04-30 | Alcatel Optronics | Guide optique segmente pouvant notamment etre inclus dans un dispositif semiconducteur |
| JP2000031599A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体レーザ |
| JP3031415B1 (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
-
2001
- 2001-04-25 CN CN2006100958321A patent/CN1877934B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-25 RU RU2003100274/28A patent/RU2262171C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-04-25 CN CNB2005101202196A patent/CN100375349C/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2411445A1 (en) | Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same | |
| US6291256B1 (en) | Method of manufacturing non-regrowth distributed feedback ridge semiconductor | |
| US7763527B2 (en) | Semiconductor element, semiconductor device, and method for fabrication thereof | |
| US7835418B2 (en) | Optical semiconductor device having diffraction grating disposed on both sides of waveguide and its manufacture method | |
| KR100989789B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 | |
| KR101180166B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| JP2723045B2 (ja) | フレア構造半導体レーザ | |
| WO2003030317A1 (fr) | Dispositif laser a semi-conducteur a base de gan | |
| KR970063768A (ko) | 단부면 발광형 광반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| RU2003100274A (ru) | Полупроводниковый лазер и способ его изготовления | |
| US5379314A (en) | Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| CN113067250A (zh) | 半导体激光元件 | |
| JP3186645B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP6747521B2 (ja) | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3327179B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2009064838A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| KR100584376B1 (ko) | 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 | |
| JPS59130492A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0786690A (ja) | 半導体レーザとその製法 | |
| JPS63114190A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ及びその製法 | |
| JPH0312981A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS62155583A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS5913386A (ja) | 二次元発光半導体レ−ザ | |
| JP2005020037A5 (ru) |