RU2002125807A - Высокоскоростной способ осаждения алмазных плёнок из газовой фазы в плазме свч разряда и плазменный реактор для его реализации - Google Patents

Высокоскоростной способ осаждения алмазных плёнок из газовой фазы в плазме свч разряда и плазменный реактор для его реализации

Info

Publication number
RU2002125807A
RU2002125807A RU2002125807/02A RU2002125807A RU2002125807A RU 2002125807 A RU2002125807 A RU 2002125807A RU 2002125807/02 A RU2002125807/02 A RU 2002125807/02A RU 2002125807 A RU2002125807 A RU 2002125807A RU 2002125807 A RU2002125807 A RU 2002125807A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
substrate
wave
quasi
microwave
Prior art date
Application number
RU2002125807/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2215061C1 (ru
Inventor
Анатолий Леонтьевич Вихарев
Алексей Михайлович Горбачёв
Александр Григорьевич Литвак
Юрий Владимирович Быков
Григорий Геннадьевич Денисов
Олег Андреевич Иванов
Владимир Александрович Колданов
Original Assignee
Институт прикладной физики РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to RU2002125807/02A priority Critical patent/RU2215061C1/ru
Application filed by Институт прикладной физики РАН filed Critical Институт прикладной физики РАН
Priority to US10/526,800 priority patent/US7694651B2/en
Priority to JP2004539681A priority patent/JP4694842B2/ja
Priority to KR1020057005553A priority patent/KR100838384B1/ko
Priority to EP03751664.8A priority patent/EP1643001B1/en
Priority to CNB03824814XA priority patent/CN100523288C/zh
Priority to PCT/RU2003/000410 priority patent/WO2004029325A1/ru
Priority to CA2501070A priority patent/CA2501070C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2215061C1 publication Critical patent/RU2215061C1/ru
Publication of RU2002125807A publication Critical patent/RU2002125807A/ru
Priority to ZA2005/02854A priority patent/ZA200502854B/en
Priority to HK06105272.2A priority patent/HK1085245A1/xx
Priority to US12/220,340 priority patent/US20090123663A1/en
Priority to US12/660,445 priority patent/US8091506B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Claims (15)

1. Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда, заключающийся в том, что зажигают СВЧ разряд в газовой смеси, находящейся в реакционной камере и содержащей по крайней мере водород и углеводород, активируют указанную газовую смесь плазмой СВЧ разряда, образуя атомы водорода и углеродсодержащие радикалы, которые осаждаются на подложку, обеспечивая формирование поликристаллической алмазной пленки в результате поверхностных реакций, отличающийся тем, что активацию указанной газовой смеси путем повышения концентрации электронов Ne в плазме осуществляют за счет создания в реакционной камере устойчивой неравновесной плазмы с помощью СВЧ излучения с мощностью не менее 1 кВт и частотой f, много большей обычно используемой частоты 2,45 ГГц, при этом для локализации плазмы вблизи подложки формируют стоячую волну, в пучностях которой генерируют и поддерживают плазменные слои с возможностью регулирования их размера.
2. Высокоскоростной способ по п.1, отличающийся тем, что активацию указанной газовой смеси путем повышения концентрации электронов Ne проводят с помощью электромагнитного излучения с частотой f равной 30 ГГц, а размеры плазменных слоев в пучностях стоячей СВЧ волны регулируют за счет изменения формы и размера поперечного сечения сходящихся волновых пучков, формирующих стоячую волну.
3. Высокоскоростной способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для формирования стоячей волны используют четыре и более сходящихся волновых пучка, попарно пересекающихся.
4. Высокоскоростной способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для формирования стоячей волны используют два сходящихся пересекающихся волновых пучка.
5. Высокоскоростной способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для формирования стоячей волны используют два сходящихся волновых пучка, направленных навстречу друг другу.
6. Высокоскоростной способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для формирования стоячей волны используют падающий на подложку и отраженный от нее волновой пучок.
7. Плазменный реактор для высокоскоростного осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме СВЧ разряда, содержащий СВЧ генератор, передающую линию, оканчивающуюся квазиоптической электродинамической системой, реакционную камеру с установленной в ней подложкой, расположенной на держателе подложки, и системы напуска и откачки выбранной газовой смеси, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена и установлена с возможностью формирования в выбранной области вблизи подложки стоячей СВЧ волны, а передающая линия выполнена в виде сверхразмерного волновода круглого сечения с гофрированной внутренней поверхностью, дополненного системой зеркал для передачи по крайней мере одного гауссова пучка на упомянутую квазиоптическую электродинамическую систему.
8. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде четырех зеркал, расположенных по разные стороны относительно области формирования плазмы и установлена с возможностью направления СВЧ излучения в виде четырех попарно пересекающихся волновых пучков, при этом квазиоптическая электродинамическая система вместе с частью передающей линии установлены внутри реакционной камеры, причем передающая линия дополнена делителем одного волнового пучка на четыре пучка, который установлен на выходе упомянутого сверхразмерного волновода круглого сечения.
9. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде двух зеркал, расположенных по разные стороны относительно области формирования плазмы и установленных с возможностью направления двух пучков СВЧ излучения под небольшими углами к поверхности подложки, при этом передающая линия дополнена делителем одного волнового пучка на два пучка, который установлен на выходе упомянутого сверхразмерного волновода круглого сечения.
10. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде двух зеркал, расположенных по разные стороны относительно области формирования плазмы и установленных с возможностью направления волновых пучков навстречу друг другу, при этом одно из зеркал установлено с возможностью перемещения вперед-назад параллельно самому себе на расстояние
Figure 00000001
, где λ - длина волны СВЧ излучения, а передающая линия дополнена делителем одного волнового пучка на два пучка, который установлен на выходе упомянутого сверхразмерного волновода круглого сечения.
11. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что в нижней части реакционной камеры расположено диэлектрическое окно для ввода СВЧ излучения, а напротив окна в верхней части камеры установлена подложка, при этом квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде одного зеркала, расположенного снаружи ниже упомянутой реакционной камеры и установленного с возможностью направления пучка СВЧ излучения вверх перпендикулярно поверхности подложки.
12. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде одного зеркала, установленного с возможностью направления пучка СВЧ излучения по нормали к поверхности подложки или под небольшим углом к нормали, а внутрь реакционной камеры введена радиопрозрачная охлаждаемая стенка, выполненная в виде решетки из тонких металлических охлаждаемых трубок или стержней и установленная параллельно подложке на расстоянии от нее больше λ/2.
13. Плазменный реактор по п.7, отличающийся тем, что квазиоптическая электродинамическая система выполнена в виде зеркала и оптически связанного с ней квазиоптического резонатора с плоскопараллельными зеркалами, установленными на расстоянии кратном λ/2, при этом одно из зеркал резонатора представляет собой подложку на держателе подложки, а другое зеркало выполнено в виде периодической решетки из тонких металлических трубок или стержней, причем период решетки меньше λ.
14. Плазменный реактор по п.8 или 9, или 10, отличающийся тем, что система напуска газовой смеси в реакционную камеру в область формирования плазмы выполнена в виде металлического вогнутого экрана с подводящей трубкой в центральной части, расположенного над держателем подложки на регулируемом расстоянии, а система откачки газа выполнена в виде набора отверстий в держателе подложки, снабженном некоторым объемом для откачиваемой смеси газов, в котором расположена система водяного охлаждения верхней части держателя подложки.
15. Плазменный реактор по пп.12 и 13, отличающийся тем, что система напуска выбранной газовой смеси совмещена с решеткой из тонких металлических охлаждаемых трубок, а система откачки газа выполнена в виде набора отверстий в держателе подложки, снабженном некоторым объемом для откачиваемой смеси газов, в котором расположена система водяного охлаждения верхней части держателя подложки.
RU2002125807/02A 2002-09-30 2002-09-30 Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме свч-разряда и плазменный реактор для его реализации RU2215061C1 (ru)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002125807/02A RU2215061C1 (ru) 2002-09-30 2002-09-30 Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме свч-разряда и плазменный реактор для его реализации
CA2501070A CA2501070C (en) 2002-09-30 2003-09-18 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method
KR1020057005553A KR100838384B1 (ko) 2002-09-30 2003-09-18 초고주파 방전 플라즈마 내의 기체 상으로부터 다이아몬드필름을 고속으로 증착하는 방법 및 상기 방법을 수행하기위한 플라즈마 반응기
EP03751664.8A EP1643001B1 (en) 2002-09-30 2003-09-18 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and device for carrying out said method
CNB03824814XA CN100523288C (zh) 2002-09-30 2003-09-18 在微波放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜的高速方法和实施所述方法的装置
PCT/RU2003/000410 WO2004029325A1 (en) 2002-09-30 2003-09-18 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method
US10/526,800 US7694651B2 (en) 2002-09-30 2003-09-18 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in SHF discharge plasma and device for carrying out said method
JP2004539681A JP4694842B2 (ja) 2002-09-30 2003-09-18 Ｓｈｆ放電プラズマ中の気相からダイヤモンド膜を堆積する高速方法及び該方法を実行する装置
ZA2005/02854A ZA200502854B (en) 2002-09-30 2005-04-08 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method
HK06105272.2A HK1085245A1 (en) 2002-09-30 2006-05-04 High velocity method for deposing diamond films from a gaseous phase in shf discharge plasma and device for carrying out said method
US12/220,340 US20090123663A1 (en) 2002-09-30 2008-07-23 High velocity method for depositing diamond films from a gaseous phase in SHF discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method
US12/660,445 US8091506B2 (en) 2002-09-30 2010-02-26 High velocity method for depositing diamond films from a gaseous phase in SHF discharge plasma and a plasma reactor for carrying out said method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002125807/02A RU2215061C1 (ru) 2002-09-30 2002-09-30 Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме свч-разряда и плазменный реактор для его реализации

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2215061C1 RU2215061C1 (ru) 2003-10-27
RU2002125807A true RU2002125807A (ru) 2004-03-27

Family

ID=31989420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002125807/02A RU2215061C1 (ru) 2002-09-30 2002-09-30 Высокоскоростной способ осаждения алмазных пленок из газовой фазы в плазме свч-разряда и плазменный реактор для его реализации

Country Status (10)

Country Link
US (3) US7694651B2 (ru)
EP (1) EP1643001B1 (ru)
JP (1) JP4694842B2 (ru)
KR (1) KR100838384B1 (ru)
CN (1) CN100523288C (ru)
CA (1) CA2501070C (ru)
HK (1) HK1085245A1 (ru)
RU (1) RU2215061C1 (ru)
WO (1) WO2004029325A1 (ru)
ZA (1) ZA200502854B (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7776408B2 (en) * 2007-02-14 2010-08-17 Rajneesh Bhandari Method and apparatus for producing single crystalline diamonds
US10039157B2 (en) 2014-06-02 2018-07-31 Applied Materials, Inc. Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma source
US10269541B2 (en) * 2014-06-02 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Workpiece processing chamber having a thermal controlled microwave window
WO2016017217A1 (ja) * 2014-07-29 2016-02-04 三菱電機株式会社 マイクロ波加熱照射装置
RU2595156C2 (ru) * 2014-12-15 2016-08-20 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)
US10490425B2 (en) 2015-07-29 2019-11-26 Infineon Technologies Ag Plasma systems and methods of processing using thereof
RU2624754C2 (ru) * 2015-12-25 2017-07-06 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Способ создания легированных дельта-слоев в CVD алмазе
RU2644216C2 (ru) * 2016-07-15 2018-02-08 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН) СВЧ плазменный реактор для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки
RU2637187C1 (ru) * 2016-11-29 2017-11-30 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Плазменный свч реактор
US10431427B2 (en) 2017-05-26 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Monopole antenna array source with phase shifted zones for semiconductor process equipment
CN108315818A (zh) * 2018-05-02 2018-07-24 苏州贝莱克晶钻科技有限公司 单晶金刚石合成装置和方法
JP7076914B2 (ja) * 2018-12-17 2022-05-30 住友重機械工業株式会社 折返し光共振器
RU2727958C1 (ru) * 2019-07-10 2020-07-28 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" Способ получения облака заряженных частиц
CN113373425B (zh) * 2020-03-10 2022-06-10 宏硕系统股份有限公司 人造钻石生产装置及其微波发射模块
TWI734405B (zh) * 2020-03-10 2021-07-21 宏碩系統股份有限公司 人造鑽石生產裝置及其微波發射模組
US11155915B1 (en) 2020-04-13 2021-10-26 Wave Power Technology Inc. Artificial diamond production device and microwave transmitting module thereof
EP3919438A1 (de) 2020-06-03 2021-12-08 Behzad Sahabi Verfahren und vorrichtung zur thermischen spaltung eines kohlenwasserstoffhaltigen ausgangsmaterials sowie verwendung des verfahrens
CN111593317A (zh) * 2020-06-19 2020-08-28 中国科学院合肥物质科学研究院 一种表面镀有金刚石膜的第一壁材料制备方法
CN111785606B (zh) * 2020-07-23 2024-07-16 核工业西南物理研究院 一种可调节微波入射角度的准光学传输装置及其调角方法
CN114752915B (zh) * 2021-01-11 2024-01-19 宁波材料所杭州湾研究院 一种制备沉积材料的方法、化学气相沉积装置
EP4440978A1 (de) 2021-12-02 2024-10-09 Behzad Sahabi Verfahren und vorrichtung zur niedertemperaturspaltung eines kohlenwasserstoffhaltigen ausgangsmaterials

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818905B2 (ja) * 1987-04-22 1996-02-28 出光石油化学株式会社 ダイヤモンドの合成方法および合成装置
US5221556A (en) * 1987-06-24 1993-06-22 Epsilon Technology, Inc. Gas injectors for reaction chambers in CVD systems
JPH0668152B2 (ja) * 1988-01-27 1994-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成装置
US5037666A (en) * 1989-08-03 1991-08-06 Uha Mikakuto Precision Engineering Research Institute Co., Ltd. High-speed film forming method by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) under high pressure
DE69021821T2 (de) * 1989-09-20 1996-05-30 Sumitomo Electric Industries Verfahren und Anlage zum Herstellen von Hartstoff.
JPH03111577A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
GB9114014D0 (en) 1991-06-28 1991-08-14 De Beers Ind Diamond Plasma assisted diamond synthesis
US5311103A (en) * 1992-06-01 1994-05-10 Board Of Trustees Operating Michigan State University Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma
US5387288A (en) * 1993-05-14 1995-02-07 Modular Process Technology Corp. Apparatus for depositing diamond and refractory materials comprising rotating antenna
US5518759A (en) * 1993-07-28 1996-05-21 Applied Science And Technology, Inc. High growth rate plasma diamond deposition process and method of controlling same
DE69430230T2 (de) * 1993-10-14 2002-10-31 Mega Chips Corp., Osaka Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films
JPH08165194A (ja) * 1994-12-12 1996-06-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマｃｖｄによる薄膜形成方法及び装置
DE19507077C1 (de) * 1995-01-25 1996-04-25 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
US5580387A (en) * 1995-06-28 1996-12-03 Electronics Research & Service Organization Corrugated waveguide for a microwave plasma applicator
US5651827A (en) * 1996-01-11 1997-07-29 Heraeus Quarzglas Gmbh Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same
RU2099283C1 (ru) 1996-06-05 1997-12-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Покрытие на основе алмазоподобного материала и способ его получения
CN1188160A (zh) * 1997-11-24 1998-07-22 上海大学 类金刚石与金刚石复合膜作新型光学增透膜
RU2171554C2 (ru) 1999-04-07 2001-07-27 Корчагин Юрий Владимирович Способ генерации плазмы и устройство для его осуществления
JP3792089B2 (ja) * 2000-01-14 2006-06-28 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
KR100767762B1 (ko) * 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004029325A9 (fr) 2004-05-27
HK1085245A1 (en) 2006-08-18
JP4694842B2 (ja) 2011-06-08
KR100838384B1 (ko) 2008-06-13
KR20050083704A (ko) 2005-08-26
EP1643001B1 (en) 2015-09-02
US20060110546A1 (en) 2006-05-25
US20090123663A1 (en) 2009-05-14
JP2006501122A (ja) 2006-01-12
CN1694977A (zh) 2005-11-09
CN100523288C (zh) 2009-08-05
US7694651B2 (en) 2010-04-13
US20100218722A1 (en) 2010-09-02
CA2501070A1 (en) 2004-04-08
US8091506B2 (en) 2012-01-10
ZA200502854B (en) 2005-12-28
RU2215061C1 (ru) 2003-10-27
CA2501070C (en) 2012-06-26
EP1643001A1 (en) 2006-04-05
EP1643001A4 (en) 2007-08-08
WO2004029325A1 (en) 2004-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002125807A (ru) Высокоскоростной способ осаждения алмазных плёнок из газовой фазы в плазме свч разряда и плазменный реактор для его реализации
US5188862A (en) Microwave plasma generating apparatus and process for the preparation of diamond thin film utilizing same
EP3291279B1 (en) Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy
CA2072455A1 (en) Plasma assisted diamond synthesis
Sidorov Terahertz gas discharge: current progress and possible applications
RU2416677C1 (ru) Плазменный реактор для высокоскоростного осаждения алмазных пленок из газовой фазы
US4782267A (en) In-situ wide area vacuum ultraviolet lamp
US6246175B1 (en) Large area microwave plasma generator
RU2595156C2 (ru) Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)
Mineev et al. Planar multifrequency mid-IR microwave-pumped lasers
JP7438136B2 (ja) 広範囲マイクロ波プラズマｃｖｄ装置およびその成長の方法
徐寿喜 et al. Design of a quasi-optical mode converter for a 170 GHz gyrotron
Lukin et al. THz Oscillators Based on Cherenkov, Smith—Purcell and Hybrid Radiation Effects
Kung et al. 16 μ and 8.5 μ generated via stimulated Raman process in potassium vapor
RU2792759C2 (ru) Реакторное устройство для химического осаждения из паровой фазы (pcvd) на большой площади и способ обеспечения такого осаждения
JPS6299481A (ja) マイクロ波プラズマ発生装置
Sidorov et al. Ionization wave in air under the action of powerful radiation of the terahertz frequency range, St
He et al. Microwave excitation and applications of an elliptical excimer lamp
Sidorov et al. Discharge in a Nonhomogeneous Gas Flow Sustained by Powerful Novosibirsk Free Electron Laser Emission as a Point-Like Source of Vacuum Ultraviolet Radiation
JPS59194425A (ja) 光化学気相成膜装置
Vikharev Pulsed discharges produced by strong microwaves
Hector et al. VUV generation by frequency mixing in a mercury beam
CN117265669A (zh) 金刚石及其制造方法、应用、太赫兹源
Vikharev et al. Investigation of the Millimeter‐Wave Plasma Assisted CVD Reactor
Miroshnichenko et al. Operation of the diffraction radiation oscillator on higher space harmonics of periodic structure