RU2002118855A - Radiation Detector Integral Cell - Google Patents

Radiation Detector Integral Cell

Info

Publication number
RU2002118855A
RU2002118855A RU2002118855/28A RU2002118855A RU2002118855A RU 2002118855 A RU2002118855 A RU 2002118855A RU 2002118855/28 A RU2002118855/28 A RU 2002118855/28A RU 2002118855 A RU2002118855 A RU 2002118855A RU 2002118855 A RU2002118855 A RU 2002118855A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductivity
type
radiation detector
emitter
region
Prior art date
Application number
RU2002118855/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Саито ТАКЕШИ (JP)
Саито Такеши
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Михаил Моисеевич Меркин (RU)
Михаил Моисеевич Меркин
Виталий Алексеевич Сычевский (RU)
Виталий Алексеевич Сычевский
Алексей Юрьевич Новоселов (RU)
Алексей Юрьевич Новоселов
Антон Сергеевич Орешин (RU)
Антон Сергеевич Орешин
Original Assignee
Саито ТАКЕШИ (JP)
Саито Такеши
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Саито ТАКЕШИ (JP), Саито Такеши, Виктор Николаевич Мурашев (RU), Виктор Николаевич Мурашев filed Critical Саито ТАКЕШИ (JP)
Priority to RU2002118855/28A priority Critical patent/RU2002118855A/en
Publication of RU2002118855A publication Critical patent/RU2002118855A/en

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (1)

Интегральная ячейка детектора излучений содержит в полупроводниковой подложке первого типа проводимости коллекторную область второго типа проводимости, в которой расположена область базы первого типа проводимости с активной низколегированной частью, расположенной под эмиттером второго типа проводимости, с омическим контактом и высоколегированной пассивной частью, отличающаяся тем, что эмиттерная область выполнена в виде кольца, охватывающего высоколегированную пассивную часть базовой области, а контакт к эмиттеру образует невыпрямляющий переход с пассивной частью базовой области.The integrated cell of the radiation detector contains in the semiconductor substrate of the first type of conductivity a collector region of the second type of conductivity, in which there is a base region of the first type of conductivity with an active low-alloyed part located under the emitter of the second type of conductivity, with an ohmic contact and a high-alloyed passive part, characterized in that the emitter the region is made in the form of a ring covering the highly doped passive part of the base region, and the contact to the emitter forms a weak a tense transition with a passive part of the base area.
RU2002118855/28A 2002-07-17 2002-07-17 Radiation Detector Integral Cell RU2002118855A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002118855/28A RU2002118855A (en) 2002-07-17 2002-07-17 Radiation Detector Integral Cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002118855/28A RU2002118855A (en) 2002-07-17 2002-07-17 Radiation Detector Integral Cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2002118855A true RU2002118855A (en) 2004-03-10

Family

ID=35864742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002118855/28A RU2002118855A (en) 2002-07-17 2002-07-17 Radiation Detector Integral Cell

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2002118855A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2583857C1 (en) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Bipolar cell coordinate sensor - radiation detector

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2583857C1 (en) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Bipolar cell coordinate sensor - radiation detector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003065418A3 (en) Planar avalanche photodiode
ATE500621T1 (en) IMPLEMENTATION OF AVALANCHE PHOTODIODES IN (BI) CMOS PROCESSES
DE602006007438D1 (en) ÜR
ATE475201T1 (en) HETEROCONTACT SOLAR CELL WITH INVERTED LAYER STRUCTURE GEOMETRY
EP1684356A3 (en) Bipolar junction transistor
RU98112013A (en) SEMICONDUCTOR DIODE WITH LOW CONTACT RESISTANCE
JPS62109376A (en) Light receiving semiconductor device
RU2002118855A (en) Radiation Detector Integral Cell
RU96119670A (en) Avalanche Photodiode
KR920001746A (en) Semiconductor Device with Schottky Junction
JPS63160270A (en) Semiconductor device having photosensor and signal processing element
RU2006108414A (en) INTEGRAL BI-MOSPECT DETECTOR CELL
RU2000123523A (en) COORDINATE RELATIVISTIC PARTICLE DETECTOR
RU96119669A (en) Avalanche Detector
RU2020112372A (en) AVALANCHE PHOTODIODE
RU98119765A (en) BIPOLAR TRANSISTOR
EP1432041A3 (en) Lateral-current-flow bipolar transistor with high emitter perimeter/area ratio
RU2001129133A (en) Integrated Transistor Structure
RU2001118730A (en) The structure of the bipolar transistor as part of the BiKMOS IC
RU2003121615A (en) SUN ELEMENT
RU98118469A (en) INTEGRAL TRANSISTOR WITH OVERVOLTAGE PROTECTION
TH65654A (en) Bipolar transistors with collector layers, mainly for use as sub-collector.
JPH01104050U (en)
JPH01218066A (en) Semiconductor device
RU2003119129A (en) PHOTODETECTOR

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20050718