RU2006108414A - INTEGRAL BI-MOSPECT DETECTOR CELL - Google Patents

INTEGRAL BI-MOSPECT DETECTOR CELL Download PDF

Info

Publication number
RU2006108414A
RU2006108414A RU2006108414/28A RU2006108414A RU2006108414A RU 2006108414 A RU2006108414 A RU 2006108414A RU 2006108414/28 A RU2006108414/28 A RU 2006108414/28A RU 2006108414 A RU2006108414 A RU 2006108414A RU 2006108414 A RU2006108414 A RU 2006108414A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
collector
base
detector cell
conductivity
Prior art date
Application number
RU2006108414/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2383968C2 (en
Inventor
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" (RU), Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "ПИКСЕЛЬ" (RU)
Priority to RU2006108414/28A priority Critical patent/RU2383968C2/en
Publication of RU2006108414A publication Critical patent/RU2006108414A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2383968C2 publication Critical patent/RU2383968C2/en

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Claims (1)

Интегральная БИ-МОП ячейка детектора излучений, содержащая полупроводниковую подложку, в которой расположена область коллектора 1-го типа проводимости, на которой имеется электрод коллектора, в области коллектора расположена область базы 2-го типа проводимости, в области базы расположена область эмиттера 1-го типа проводимости, на которой расположен электрод эмиттера, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности и улучшения соотношения сигнал-шум, на поверхности области коллектора расположен диэлектрический слой, примыкающий к поверхности области базы, на поверхности диэлектрического слоя расположен электропроводящий электрод-затвор, при этом область базы образует область истока МОП структуры, у которой область коллектора является ее подзатворной областью.An integrated BI-MOS radiation detector cell containing a semiconductor substrate in which there is a collector region of the 1st type of conductivity, on which there is a collector electrode, in the collector region is the base region of the 2nd conductivity type, in the base region is the emitter region of the 1st type of conductivity on which the emitter electrode is located, characterized in that, in order to increase sensitivity and improve the signal-to-noise ratio, a dielectric layer is located on the surface of the collector region, adjacent s base to the surface area, is electrically conductive gate electrode on the surface of the dielectric layer, wherein the base region forms a source region of MOS structure, in which the collector region is its gate region.
RU2006108414/28A 2006-03-20 2006-03-20 Integrated bi-mos radiation detector cell RU2383968C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006108414/28A RU2383968C2 (en) 2006-03-20 2006-03-20 Integrated bi-mos radiation detector cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006108414/28A RU2383968C2 (en) 2006-03-20 2006-03-20 Integrated bi-mos radiation detector cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006108414A true RU2006108414A (en) 2007-10-20
RU2383968C2 RU2383968C2 (en) 2010-03-10

Family

ID=38924927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006108414/28A RU2383968C2 (en) 2006-03-20 2006-03-20 Integrated bi-mos radiation detector cell

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2383968C2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494497C2 (en) * 2011-07-21 2013-09-27 Виктор Николаевич Мурашев Mos-diode cell of solid radiation detector
RU2583955C1 (en) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Capacitive mos diode cell of photodetector-radiation detector
RU2583857C1 (en) * 2014-11-10 2016-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Bipolar cell coordinate sensor - radiation detector

Also Published As

Publication number Publication date
RU2383968C2 (en) 2010-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602007012854D1 (en) IMPLEMENTATION OF AVERAGE PHOTODIODES IN (BI) CMOS PROCEDURES
JP2011503871A5 (en)
TW200742106A (en) Photoelectric conversion device, manufacturing method thereof and semiconductor device
JP2019036729A5 (en)
JP2010183022A5 (en) Semiconductor device
JP2007523481A5 (en)
JP2002319675A5 (en)
US20110297934A1 (en) Semiconductor device
US7408170B2 (en) Ultraviolet detector
TW200737502A (en) Phase-change memory device and methods of fabricating the same
TW200642015A (en) Sensor semiconductor device and fabrication method thereof
TW200705652A (en) Semiconductor imaging device and fabrication process thereof
JP2009521131A5 (en)
RU2006108414A (en) INTEGRAL BI-MOSPECT DETECTOR CELL
EP2367212A3 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
JP2007134684A5 (en)
JP2007214267A5 (en)
JP2005197674A5 (en)
TW200725711A (en) Array substrate and method of manufacturing the same
JP2011009387A5 (en) Semiconductor device
RU2007147936A (en) DESIGN OF THE CATHODE CELL
CN100511752C (en) Full organic effect photoelectrical transistor with transparent two sides and making method thereof
TW200644124A (en) Bipolar transistor and method of fabricating the same
RU2011130255A (en) MOS DIODE CELL MONOLITHIC DETECTOR OF RADIATION
CN104022132A (en) X-ray detecting substrate and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100223