TH65654A -
Bipolar transistors with collector layers, mainly for use as sub-collector.
- Google Patents
Bipolar transistors with collector layers, mainly for use as sub-collector.
Info
Publication number
TH65654A
TH65654ATH301003925ATH0301003925ATH65654ATH 65654 ATH65654 ATH 65654ATH 301003925 ATH301003925 ATH 301003925ATH 0301003925 ATH0301003925 ATH 0301003925ATH 65654 ATH65654 ATH 65654A
1. ทรานซิสเตอร์แบบสองขั้วซึ่งประกอบด้วย - บริเวณที่มีการนำไฟฟ้าซึ่งทำหน้าที่เป็นอิเล็กโทรดด้านหลังสำหรับรับแรงดัน ไบแอสเข้ามา - ชั้นที่เป็นฉนวนที่อยู่เหนืออิเล็กโทรดด้านหลังดังกล่าว - ชั้นที่เป็นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่เหนือชั้นที่เป็นฉนวน ดังกล่าวและประกอบด้วย คอลเลกเตอร์ซึ่งประกอบด้วยบริเวณที่มีการเจือสารไว้ซึ่งมีการนำไฟฟ้าชนิด ที่หนึ่งซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่เหนือชั้นที่เป็นฉนวนดังกลแท็ก :1. A bipolar transistor, consisting of - a conductive region that serves as a back electrode for taking in bias voltage - an insulating layer above the back electrode - The first semiconductor layer, positioned over the insulating layer. As mentioned and contain A collection consisting of doped areas that conduct electrical conductivity. The one, which is positioned above the insulating layer, is mechanically tagged:
TH301003925A2003-10-16
Bipolar transistors with collector layers, mainly for use as sub-collector.
TH65654A
(en)