RU2001126324A - Способ плазменного травления диэлектрических слоев SiC-Si3N4 - Google Patents
Способ плазменного травления диэлектрических слоев SiC-Si3N4Info
- Publication number
- RU2001126324A RU2001126324A RU2001126324/28A RU2001126324A RU2001126324A RU 2001126324 A RU2001126324 A RU 2001126324A RU 2001126324/28 A RU2001126324/28 A RU 2001126324/28A RU 2001126324 A RU2001126324 A RU 2001126324A RU 2001126324 A RU2001126324 A RU 2001126324A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- si3n4
- plasma etching
- dielectric layers
- plasma
- sic
- Prior art date
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title 1
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (2)
1. Способ плазменного травления слоев SiC-Si3N4, нанесенных на полупроводниковую пластину, включающий травление указанных слоев через фоторезистовую маску в плазме CF4-O2-N2, отличающийся тем, что в плазме вместо N2 используют Ar, при этом травление проводят с подачей ВЧ-мощности на электрод-подложкодержатель, после чего проводят очистку поверхности пластин в плазме SF6-Ar.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что соотношение компонентов в смеси CF4-O2-Ar в объемных частях составляет (20…40):1:(40…60), а соотношение компонентов при очистке поверхности в смеси SF6-Ar в объемных частях составляет 1:(40…60).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001126324A RU2211505C2 (ru) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ SiC-Si3N4 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001126324A RU2211505C2 (ru) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ SiC-Si3N4 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001126324A true RU2001126324A (ru) | 2003-07-27 |
| RU2211505C2 RU2211505C2 (ru) | 2003-08-27 |
Family
ID=29245848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001126324A RU2211505C2 (ru) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ SiC-Si3N4 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2211505C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2708812C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2019-12-11 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ обработки поверхности пластин карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме |
-
2001
- 2001-09-28 RU RU2001126324A patent/RU2211505C2/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI230415B (en) | Electrode for dry etching a semiconductor wafer | |
| TWI276166B (en) | Pattern forming method | |
| TW506019B (en) | A method of simultaneously etching a substrate and cleaning a chamber | |
| KR20020000201A (ko) | 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법 | |
| JP2005500897A5 (ru) | ||
| WO2005043250A3 (en) | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials | |
| WO1997041488A3 (en) | Processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers | |
| EP1389746A3 (en) | Process solutions containing surfactants | |
| EP1198829A1 (en) | Multiple stage cleaning process for plasma etching chambers | |
| TW200619873A (en) | Method for stripping photoresist from etched wafer | |
| CN101355017B (zh) | 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质 | |
| US20140179106A1 (en) | In-situ metal residue clean | |
| CN100472730C (zh) | 半导体装置的制造方法和制造系统 | |
| RU2001126324A (ru) | Способ плазменного травления диэлектрических слоев SiC-Si3N4 | |
| CN111446527B (zh) | 基于立体电感的双层硅基滤波器的制作方法 | |
| KR20030093186A (ko) | 비아를 형성하는 과정에서 나온 에칭 잔여물을 제거하기위한 방법 | |
| CN208796979U (zh) | 一种三维吸气剂薄膜结构 | |
| JP2983356B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| CN218039113U (zh) | 适用于一次刻蚀两块蓝宝石的刻蚀篮 | |
| JP3335833B2 (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2000150627A (ja) | 液塗布装置 | |
| RU2000126795A (ru) | Способ реактивного ионно-плазменного травления слоев ta, tan, taal | |
| US20210233782A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
| JP4488322B2 (ja) | フォトマスク製造用スピン処理装置 | |
| JP2624243B2 (ja) | 有機膜の除去方法 |