Claims (18)
1. Композиционный материал, состоящий из металла и неорганических частиц с меньшим, чем у металла, коэффициентом теплового расширения, отличающийся тем, что неорганические частицы диспергированы в металле таким образом, что 95% или больше (по занимаемой ими в поперечном сечении площади) этих частиц образуют соединенные между собой агрегаты сложной формы.1. A composite material consisting of metal and inorganic particles with a coefficient of thermal expansion lower than that of the metal, characterized in that the inorganic particles are dispersed in the metal in such a way that 95% or more (over the area occupied by them in the cross section) of these particles form interconnected aggregates of complex shape.
2. Композиционный материал, состоящий из металла и неорганических частиц с меньшим, чем у металла, коэффициентом теплового расширения, отличающийся тем, что в нем содержатся отдельные неорганические частицы, количество которых на 100 мкм2 площади поперечного сечения составляет 100 или меньше, при этом остальные диспергированные в металле неорганические частицы образуют соединенные между собой агрегаты сложной формы.2. A composite material consisting of metal and inorganic particles with a coefficient of thermal expansion lower than that of the metal, characterized in that it contains individual inorganic particles, the amount of which per 100 μm 2 of the cross-sectional area is 100 or less, while the rest inorganic particles dispersed in the metal form interconnected aggregates of complex shape.
3. Композиционный материал, состоящий из металла и неорганических частиц с меньшим, чем у металла, коэффициентом теплового расширения, отличающийся тем, что неорганические частицы имеют твердость, равную или меньшую 300 единиц по Виккерсу.3. A composite material consisting of metal and inorganic particles with a coefficient of thermal expansion lower than that of the metal, characterized in that the inorganic particles have a hardness equal to or less than 300 Vickers units.
4. Композиционный материал, состоящий из металла и неорганических частиц с меньшим, чем у металла, коэффициентом теплового расширения, у которого коэффициент теплового расширения увеличивается в среднем на (0,025-0,035)•10-6/°С на единицу коэффициента теплопроводности Вт/(м•К) при 20°С в диапазоне от 20 до 150°С.4. A composite material consisting of metal and inorganic particles with a coefficient of thermal expansion lower than that of the metal, in which the coefficient of thermal expansion increases on average by (0.025-0.035) • 10 -6 / ° С per unit of the thermal conductivity coefficient W / ( m • K) at 20 ° C in the range from 20 to 150 ° C.
5. Композиционный материал, состоящий из металла и неорганических частиц с меньшим, чем у металла, коэффициентом теплового расширения, отличающийся тем, что неорганические частицы диспергированы в металле в виде соединенных между собой агрегатов, вытянутых в направлении обработки давлением.5. A composite material consisting of metal and inorganic particles with a coefficient of thermal expansion lower than that of the metal, characterized in that the inorganic particles are dispersed in the metal in the form of interconnected aggregates elongated in the direction of pressure treatment.
6. Композиционный материал, состоящий из меди и частиц оксида меди, отличающийся тем, что частицы оксида меди диспергированных в меди таким образом, что 95% или больше (по занимаемой ими в поперечном сечении площади) этих частиц образуют соединенные между собой агрегаты сложной формы.6. A composite material consisting of copper and particles of copper oxide, characterized in that the particles of copper oxide dispersed in copper so that 95% or more (over the area occupied by them in the cross section) of these particles form interconnected aggregates of complex shape.
7. Пластинчатый радиатор для полупроводникового прибора, который изготовлен из композиционного материала по любому из пп.1-6.7. Plate radiator for a semiconductor device, which is made of a composite material according to any one of claims 1 to 6.
8. Пластинчатый радиатор для полупроводникового прибора по п.7, имеющий слой нанесенного на него покрытия из никеля.8. A plate radiator for the semiconductor device according to claim 7, having a layer of a nickel coating applied thereto.
9. Полупроводниковый прибор, имеющий множество отдельных изолирующих подложек и множество полупроводниковых элементов, каждый из которых расположен на изолирующей подложке, каждая из которых имеет нанесенное на ее верхнюю и нижнюю стороны электропроводящее покрытие, через которое она непосредственно соединяется с пластинчатыми радиаторами.9. A semiconductor device having a plurality of separate insulating substrates and a plurality of semiconductor elements, each of which is located on an insulating substrate, each of which has an electrically conductive coating deposited on its upper and lower sides, through which it is directly connected to plate radiators.
10. Полупроводниковый прибор, имеющий изолирующую подложку с пластинчатым радиатором и расположенный на этой подложке полупроводниковый элемент, при этом пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.10. A semiconductor device having an insulating substrate with a plate radiator and a semiconductor element located on this substrate, while the plate radiator is made according to claim 7 or 8.
11. Полупроводниковый прибор, имеющий расположенный на пластинчатом радиаторе полупроводниковый элемент, выводную рамку, соединенную с пластинчатым радиатором, и металлические токопроводники, электрически соединяющие выводную рамку с полупроводниковым элементом, который герметично залит в пластмассу, при этом пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.11. A semiconductor device having a semiconductor element located on a plate radiator, an output frame connected to a plate radiator, and metal conductors electrically connecting the output frame to a semiconductor element that is sealed in plastic, and the plate radiator is made according to claim 7 or 8 .
12. Полупроводниковый прибор, имеющий расположенный на пластинчатом радиаторе полупроводниковый элемент, выводную рамку, соединенную с пластинчатым радиатором, и металлические токопроводники, электрически соединяющие выводную рамку с полупроводниковым элементом, который герметично залит с пластмассу, при этом пластинчатый радиатор открыт со стороны, противоположной той его стороне, которой он соединен с расположенным на нем полупроводниковым элементом, и выполнен по п.7 или 8.12. A semiconductor device having a semiconductor element located on a plate radiator, an output frame connected to a plate radiator, and metal conductors electrically connecting the output frame to a semiconductor element that is sealed with plastic, while the plate radiator is open from the side opposite to that of it the side by which it is connected to the semiconductor element located on it, and is made according to claim 7 or 8.
13. Полупроводниковый прибор, имеющий расположенный на пластинчатом радиаторе полупроводниковый элемент, штырьковые контакты для соединения с внешней схемой, керамическую многослойную подложку с электрическими проводниками, в центре которой имеется открытое углубление для размещения полупроводникового элемента, и металлические токопроводники, электрически соединяющие полупроводниковый элемент с выводами подложки, при этом пластинчатый радиатор и подложка соединены друг с другом таким образом, что полупроводниковый элемент оказывается расположенным в открытом углублении подложки, которая соединена с крышкой полупроводникового устройства, герметично отделяющей полупроводниковый элемент от окружающего пространства, и пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.13. A semiconductor device having a semiconductor element located on a plate radiator, pin contacts for connection to an external circuit, a ceramic multilayer substrate with electrical conductors, in the center of which there is an open recess for accommodating the semiconductor element, and metal conductors that electrically connect the semiconductor element to the terminals of the substrate while the plate radiator and the substrate are connected to each other so that the semiconductor element is etsya located in an open recess of the substrate, which is connected to the semiconductor device cap sealingly separating the semiconductor element from the outside space, and a radiator plate is formed according to claim 7 or 8.
14. Полупроводниковый прибор, имеющий расположенный на пластинчатом радиаторе полупроводниковый элемент, выводы для соединения с внешней схемой, керамическую многослойную подложку с электрическими проводниками, в центре которой имеется углубление для размещения полупроводникового элемента, и металлические токопроводники, электрически соединяющие полупроводниковый элемент с выводами подложки, при этом пластинчатый радиатор и подложка соединены друг с другом таким образом, что полупроводниковый элемент оказывается расположенным в углублении подложки, которая соединена с крышкой полупроводникового прибора, герметично отделяющей полупроводниковый элемент от окружающего пространства, и пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.14. A semiconductor device having a semiconductor element located on a plate radiator, terminals for connection to an external circuit, a ceramic multilayer substrate with electrical conductors, in the center of which there is a recess for accommodating the semiconductor element, and metal conductors that electrically connect the semiconductor element with the terminals of the substrate, when this plate radiator and the substrate are connected to each other so that the semiconductor element is located in deepening the substrate, which is connected to the cover of the semiconductor device, hermetically separating the semiconductor element from the surrounding space, and the plate radiator is made according to claim 7 or 8.
15. Полупроводниковый прибор, имеющий пластинчатый радиатор, полупроводниковый элемент соединенный с пластинчатым радиатором теплопроводящей смолой, выводную рамку, соединенную с керамической изолирующей подложкой, и выполненное по методу TAB (автоматизированное присоединение кристаллов к балочным выводам на ленточном носителе) соединение, с помощью которого полупроводниковый элемент электрически соединяется с выводной рамкой, при этом пластинчатый радиатор и подложка соединены друг с другом таким образом, что полупроводниковый элемент герметично отделяется от окружающего пространства, а полупроводниковый элемент и подложка отделены друг от друга расположенным между ними слоем электропроводящей упругой смолы, и пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.15. A semiconductor device having a plate radiator, a semiconductor element connected to a plate radiator by a heat-conducting resin, an output frame connected to a ceramic insulating substrate, and made according to the TAB method (automated connection of crystals to the beam terminals on a tape carrier) connection by which the semiconductor element electrically connected to the output frame, while the plate radiator and the substrate are connected to each other so that the semiconductor element The element is hermetically separated from the surrounding space, and the semiconductor element and the substrate are separated from each other by a layer of electrically conductive elastic resin between them, and the plate radiator is made according to claim 7 or 8.
16. Полупроводниковый прибор, имеющий первый пластинчатый радиатор, соединенный с ним металлом полупроводниковый элемент, второй пластинчатый радиатор, соединенный с заземляющей пластиной, при этом первый пластинчатый радиатор расположен на заземляющей пластине пластинчатого радиатора, и выполненное по методу TAB электрическое соединение, идущее к выводам полупроводникового элемента, который герметично залит в пластмассу, и пластинчатый радиатор выполнен по п.7 или 8.16. A semiconductor device having a first plate radiator, a semiconductor element connected to it by metal, a second plate radiator connected to a ground plate, the first plate radiator located on the ground plate of a plate radiator, and an electrical connection made to the semiconductor terminals according to the TAB method element, which is hermetically filled in plastic, and the plate radiator is made according to claim 7 or 8.
17. Диэлектрическая пластина для электростатического аттрактора, изготовленная из материала по любому из пп.1-6.17. A dielectric plate for an electrostatic attractor made of material according to any one of claims 1 to 6.
18. Электростатический аттрактор, который имеет электродный слой и соединенную с ним диэлектрическую пластину, которая при подаче напряжения на электродный слой создает электростатическую силу притяжения, удерживающую предмет на поверхности диэлектрической пластины, выполненной по п.17.18. An electrostatic attractor, which has an electrode layer and a dielectric plate connected to it, which, when voltage is applied to the electrode layer, creates an electrostatic attractive force that holds the object on the surface of the dielectric plate made according to claim 17.