RU2000105977A - Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов - Google Patents

Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов

Info

Publication number
RU2000105977A
RU2000105977A RU2000105977/28A RU2000105977A RU2000105977A RU 2000105977 A RU2000105977 A RU 2000105977A RU 2000105977/28 A RU2000105977/28 A RU 2000105977/28A RU 2000105977 A RU2000105977 A RU 2000105977A RU 2000105977 A RU2000105977 A RU 2000105977A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical
region
compression
optical pulse
waveguide
Prior art date
Application number
RU2000105977/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2182393C2 (ru
Inventor
Мицуаки ШИМИЦУ
Йошихиро СУЦУКИ
Original Assignee
Секретари Оф Эдженси Оф Индастрил Сайнс Энд Технолоджи
Мицуаки Шимицу
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP14717099A external-priority patent/JP3328881B2/ja
Application filed by Секретари Оф Эдженси Оф Индастрил Сайнс Энд Технолоджи, Мицуаки Шимицу filed Critical Секретари Оф Эдженси Оф Индастрил Сайнс Энд Технолоджи
Publication of RU2000105977A publication Critical patent/RU2000105977A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2182393C2 publication Critical patent/RU2182393C2/ru

Links

Claims (5)

1. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов, образованный полупроводниковым оптическим волноводом, направляющим оптический сигнал и включающим в свой состав область сжатия оптического импульса, отличающийся тем, что указанная область сжатия оптического импульса содержит, по меньшей мере, одну область насыщающегося усилителя (1), которая утрачивает характеристику усиления после усиления фиксированного количества оптической энергии; и, по меньшей мере, одну область насыщающегося поглотителя (2), которая утрачивает характеристику поглощения после поглощения фиксированного количества оптической энергии, причем указанная, по меньшей мере, одна область насыщающегося усилителя (1) и указанная по меньшей мере одна область насыщающегося поглотителя (2) размещены со взаимным чередованием в ряд в указанной области сжатия оптического импульса.
2. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов по п. 1, отличающийся тем, что содержит также первую область модуляции света, размещенную между участком ввода оптического импульса, через который оптический сигнал вводится в оптический волновод, и указанной областью сжатия оптического импульса и предназначенную для регулирования энергии оптического импульса.
3. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов по п. 1, отличающийся тем, что содержит также вторую область модуляции света, размещенную между указанной областью сжатия оптического импульса и участком вывода оптического импульса, через который оптический сигнал выводится из оптического волновода, и предназначенную для регулирования энергии оптического импульса.
4. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов по п. 2, отличающийся тем, что содержит также вторую область модуляции света, размещенную между указанной областью сжатия оптического импульса и участком вывода оптического импульса, через который оптический сигнал выводится из оптического волновода, и предназначенную для регулировании энергии оптического импульса.
5. Полупроводниковый лазер, генерирующий оптические импульсы и имеющий волновод со сжатием оптических импульсов, образованный полупроводниковым лазером, предназначенным для генерации оптического импульса, и областью волновода со сжатием оптического импульса, включенную в состав резонатора полупроводникового лазера, отличающийся тем, что указанная область сжатия оптического импульса содержит, по меньшей мере, одну область насыщающегося усилителя (1), которая утрачивает характеристику усиления после усиления фиксированного количества оптической энергии; и по меньшей мере, одну область насыщающегося поглотителя (2), которая утрачивает характеристику поглощения после поглощения фиксированного количества оптической энергии, причем указанная, по меньшей мере, одна область насыщающегося усилителя (1) и указанная по меньшей мере одна область насыщающегося поглотителя (2) размещены со взаимным чередованием в ряд в указанной области сжатия оптического импульса, а указанный полупроводниковый лазер реализует функцию генерации оптического импульса в результате использования модуляции добротности, модуляции коэффициента усиления или синхронизации мод.
RU2000105977/28A 1999-05-26 2000-03-14 Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов RU2182393C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-147170 1999-05-26
JP14717099A JP3328881B2 (ja) 1999-05-26 1999-05-26 半導体光パルス圧縮導波路素子及び半導体光パルス発生レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000105977A true RU2000105977A (ru) 2002-01-27
RU2182393C2 RU2182393C2 (ru) 2002-05-10

Family

ID=15424176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000105977/28A RU2182393C2 (ru) 1999-05-26 2000-03-14 Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6356693B1 (ru)
EP (1) EP1056169B1 (ru)
JP (1) JP3328881B2 (ru)
DE (1) DE60015431T2 (ru)
RU (1) RU2182393C2 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587488B1 (en) * 2000-11-08 2003-07-01 Maxios Laser Corporation Control of parasitic laser oscillations in solid-state lasers by frustrating total internal reflections
JP4306990B2 (ja) 2001-10-18 2009-08-05 独立行政法人産業技術総合研究所 非線形光学素子
EP1387451A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-04 Corning Incorporated Optical communication devices and their operation
KR100519920B1 (ko) * 2002-12-10 2005-10-10 한국전자통신연구원 포화 흡수체와 이득 고정 광 증폭기가 집적된 초고속광신호 처리장치
WO2005076422A1 (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation モード同期レーザ光源およびこれを用いたマルチキャリア光源
US7568060B2 (en) * 2005-12-15 2009-07-28 International Business Machines Corporation Method and system for interfacing components of a computing system with a pair of unidirectional, point-to-point buses
NL1032179C2 (nl) * 2006-07-17 2008-01-18 Stichting Tech Wetenschapp Halfgeleider optisch element voor het bewerken van ten minste één lichtpuls, alsmede werkwijze voor het gebruik daarvan.
JP2010027935A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sony Corp 半導体レーザ、光ディスク装置および光ピックアップ
JP4753979B2 (ja) * 2008-07-24 2011-08-24 独立行政法人科学技術振興機構 光パルス発生素子
EP2403079B1 (en) 2010-06-30 2014-01-15 Alcatel Lucent Reflective semiconductor optical amplifier for optical networks
JP5799538B2 (ja) 2011-03-18 2015-10-28 セイコーエプソン株式会社 テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置
JP2012222303A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Seiko Epson Corp テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置
JP2013104804A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Seiko Epson Corp 半導体短パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置
RU2485562C1 (ru) * 2011-12-29 2013-06-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосистемы" Модуль насыщающегося поглотителя на основе полимерного композита с одностенными углеродными нанотрубками (варианты)
JP2014053346A (ja) * 2012-09-05 2014-03-20 Seiko Epson Corp 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置
JP2015118241A (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 短光パルス発生装置、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、および計測装置
JP6927226B2 (ja) * 2016-08-23 2021-08-25 ソニーグループ株式会社 半導体レーザ、電子機器、および半導体レーザの駆動方法
WO2018037747A1 (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 ソニー株式会社 半導体レーザ、電子機器、および半導体レーザの駆動方法
CN107561641B (zh) * 2017-09-25 2020-04-03 腾景科技股份有限公司 一种光纤包层高功率剥除组合装置和剥除方法
EP3664233A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-10 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical amplifier with increased dynamic range
WO2023017631A1 (ja) * 2021-08-11 2023-02-16 ソニーグループ株式会社 半導体レーザー、測距装置および車載装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4772854A (en) * 1986-12-24 1988-09-20 Bell Communications Research, Inc. All optical repeater
JPH0575212A (ja) 1991-09-17 1993-03-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光非線形増幅素子
JPH0595152A (ja) 1991-10-01 1993-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法
JPH05259581A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長変換器
US5522005A (en) * 1994-02-18 1996-05-28 E-Systems, Inc. High power waveguide absorption modulator
US5802084A (en) * 1994-11-14 1998-09-01 The Regents Of The University Of California Generation of high power optical pulses using flared mode-locked semiconductor lasers and optical amplifiers
JPH0964399A (ja) * 1995-08-29 1997-03-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 導波路型受光素子
JP2812293B2 (ja) * 1996-03-29 1998-10-22 日本電気株式会社 導波路型光アイソレ−タ
US6081361A (en) * 1997-10-17 2000-06-27 Lucent Technologies Inc. Sub-carrier multiplexing in broadband optical networks

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2000105977A (ru) Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов
EP1130710A3 (en) High repetition rate optical pulse generator
DE69008415T2 (de) Frequenzumwandlung von optischer Strahlung.
SE9702175D0 (sv) A laser
DE60042157D1 (de) Halbleiterlaser mit einem sättigbaren bragg-refektorspiegel
ES2059716T3 (es) Microlaser de estado solido.
DE60039308D1 (de) Multipuls-farbstofflaser
KR970024398A (ko) 수동과 능동의 혼합형으로 모드로킹 된 레이저 구도(A hybrid-type passively and actively mode-locked laser-scheme)
CA2114089A1 (en) Active-Mode-Locking Optical Fiber Laser Generator
WO2003019739A3 (en) Suppression of mode-beating noise in a q-switched pulsed laser using novel q-switch device
DE60212436D1 (de) Kompakter ultraschneller Laser
EP0422834A3 (en) Simultaneous generation of laser radiation at two different frequencies
DE69016146T2 (de) Monofrequenter Laser mit verbesserter Amplitudenstabilität.
US4425652A (en) Laser system using organic dye amplifier
CA2204563A1 (en) Eyesafe laser transmitter with single resonator cavity for both pump laser and optical parametric oscillator
DE69828040D1 (de) Optische resonatoren mit diskontinuierlichen phasenbauelementen
CA2201622A1 (en) Optical q-switching to generate ultra short pulses in diode lasers
US20110188522A1 (en) Reduction of timing jitter in a passive q-switched solid state laser
ATE127629T1 (de) Halbleiterlaserverstärkereinheit hoher verstärkung.
ES2059530T5 (es) Resonador de celula de raman intracavitario.
RU2044065C1 (ru) Лазерное генераторно-усилительное устройство одномодового излучения для термической обработки материалов
JPS5555592A (en) Semiconductor light pulse inverter
RU2099839C1 (ru) Устройство для параметрической генерации излучения
WO1998022997A3 (en) Solid state laser system for ultra-violet micro-lithography
JPS5638881A (en) Laser device