RU187908U1 - Затравочный слой медной металлизации интегральных схем - Google Patents

Затравочный слой медной металлизации интегральных схем Download PDF

Info

Publication number
RU187908U1
RU187908U1 RU2018146672U RU2018146672U RU187908U1 RU 187908 U1 RU187908 U1 RU 187908U1 RU 2018146672 U RU2018146672 U RU 2018146672U RU 2018146672 U RU2018146672 U RU 2018146672U RU 187908 U1 RU187908 U1 RU 187908U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
copper
metallization
seed layer
vanadium
Prior art date
Application number
RU2018146672U
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Викторович Абашин
Николай Александрович Брюхно
Алина Юрьевна Фроликова
Евгений Александрович Чирков
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority to RU2018146672U priority Critical patent/RU187908U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU187908U1 publication Critical patent/RU187908U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

Областью применения данной полезной модели является микроэлектроника, а именно - конструкции современных интегральных схем с применением силовой металлизации на основе меди. Техническим результатом данной полезной модели является повышение качества толстого слоя медной металлизации. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного затравочного слоя медной металлизации, состоящего из адгезионного слоя, затравочного слоя из меди, в предлагаемом затравочный слой меди дополнительно покрыт защитным слоем из ванадия, толщиной 10-20 нм. 4 ил.

Description

Областью применения данной полезной модели является микроэлектроника, а именно - конструкции современных интегральных схем с применением силовой металлизации на основе меди.
Известен затравочный слой для медной металлизации, состоящий из адгезионного слоя и затравочного слоя из меди (см, например, книгу Alan Hastings The Art of Analog layout, second edition, pp. 71-72). Металлизация из меди соединена с первым слоем металлизации из алюминия через контактные окна в диэлектрическом слое с помощью адгезионного (например, из титана) слоя и затравочного слоя меди.
Учитывая то, что медь имеет неудовлетворительную адгезию к диэлектрическим покрытиям, металлизация из меди, полученная методом электроосаждения, представляет собой многослойную структуру: нижний слой - Ti, Та, Cr толщиной 10-15 нм, затравочный слой из меди толщиной 0,1-0,15 мкм, нанесенный в вакууме, и собственно, слой меди толщиной обычно 5-25 мкм, полученный электроосаждением.
Наиболее близким к предлагаемому является затравочный слой для медной металлизации, состоящий из адгезионного, затравочного слоев и слоя меди, полученного методом электроосаждения, в котором адгезионный слой выполнен из ванадия толщиной 10-20 нм (см. Патент РФ №163838, класс H01L 21/70 от 10.08.2016).
Нанесение затравочного и адгезионного слоя происходит в одном технологическом процессе, например, электроннолучевым или магнетронным нанесением металлов. При нанесении толстого слоя меди методом осаждения, на рабочую сторону пластины наносят маску из фоторезиста, которую подвергают фотолитографической обработке. При фотолитографической обработке затравочный слой покрывается тонким слоем фоторезиста, оксида меди или загрязняется, что ухудшает качество нанесения толстого слоя меди на затравочный слой меди.
Недостатком данного затравочного слоя является то, что для удаления слоя фоторезиста, оксида меди или загрязнений обычно перед нанесением толстого слоя меди методом электроосаждения затравочный слой меди подтравливают, что приводит к утонению затравочного слоя и локальному повышению его сопротивления, что увеличивает разброс толщины толстого слоя меди.
Техническим результатом данной полезной модели является повышение качества толстого слоя медной металлизации.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного затравочного слоя медной металлизации, состоящего из адгезионного слоя, затравочного слоя из меди, в предлагаемом затравочный слой меди дополнительно покрыт защитным слоем из ванадия, толщиной 10-20 нм.
Новым в предлагаемой полезной модели является то, что затравочный слой меди дополнительно покрыт защитным слоем из ванадия, толщиной 10-20 нм.
Использование ванадия в качестве дополнительного защитного слоя повышает качество толстого слоя медной металлизации за счет отсутствия слоев оксида меди на затравочном слое. Так как дополнительный защитный слой из ванадия наносится в вакууме в одном технологическом цикле вместе с адгезионным и затравочным слоями, то на поверхности затравочного слоя не образуется слой оксида меди. Перед нанесением основного слоя меди дополнительный защитный слой ванадия селективно удаляется химическими растворами.
Минимальная толщина дополнительного защитного слоя из ванадия составляет 10 нм, что достаточно для обеспечения маскирования затравочного слоя меди. Максимальная толщина дополнительного защитного слоя из ванадия составляет 20 нм. Дальнейшее увеличение толщины нецелесообразно.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 приведена конструкция затравочного слоя медной металлизации, на фиг. 2-4 приведены этапы его использования при получении локальных слоев толстой медной металлизации.
Позициями на фиг. 1-4 обозначены:
1 - кремниевая подложка;
2 - слой оксида кремния;
3 - адгезионный слой, выполненный из ванадия;
4 - затравочный слой из меди;
5 - защитным слоем из ванадия;
6 - слой фоторезиста;
7 - слой металлизации из меди, полученный методом электроосаждения.
Предлагаемый затравочный слой медной металлизации можно изготовить, выполняя описанные ниже операции.
На кремниевую подложку 1 с диэлектрическим покрытием 2 (SiO2, Si3N4) толщиной 0,4-1 мкм методом магнетронного распыления наносится адгезионный слой 3, например, из ванадия толщиной 10-20 нм, затравочный слой из меди 4 толщиной 0,1 мкм и защитный слой из ванадия 5, толщиной 10-20 нм. Для формирования слоя металлизации из меди 7, наносится слой негативного фоторезиста 6, например, фоторезист AZnxt-15, толщиной, равной толщине металлизации из меди (например, 12 мкм). С помощью метода фотолитографии в слое фоторезиста 6 вскрывают окна для формирования слоя металлизации из меди 7.
Далее методом жидкостного травления в течение 40-60 секунд в смеси H2O:H2O2:6NH3, которая не воздействует на завтравочный слой из меди 4 в контактных окнах удаляют защитный слой из ванадия 5.
Далее методом электрохимического осаждения формируют слой металлизации из меди 7 в следующих условиях:
- плотность тока 1 А/дм2;
- температура 18…25°С.
Далее жидкостным травлением удаляют слой негативного фоторезиста 6, затравочный слой 4 и адгезионный слой 3 из мест свободных от слоя металлизации из меди 7. Затем проводят термообработку полученного слоя металлизации из меди 7 в условиях вакуума при температуре 450°С в течение 30 минут и получают рабочий слой медной металлизации (см. фиг. 4).

Claims (1)

  1. Затравочный слой медной металлизации, состоящий из адгезионного слоя, затравочного слоя из меди, отличающийся тем, что затравочный слой меди дополнительно покрыт защитным слоем из ванадия, толщиной 10-20 нм.
RU2018146672U 2018-12-25 2018-12-25 Затравочный слой медной металлизации интегральных схем RU187908U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018146672U RU187908U1 (ru) 2018-12-25 2018-12-25 Затравочный слой медной металлизации интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018146672U RU187908U1 (ru) 2018-12-25 2018-12-25 Затравочный слой медной металлизации интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU187908U1 true RU187908U1 (ru) 2019-03-21

Family

ID=65858980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018146672U RU187908U1 (ru) 2018-12-25 2018-12-25 Затравочный слой медной металлизации интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU187908U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2805136C1 (ru) * 2023-03-30 2023-10-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого"(ФГАОУ ВО "СПбПУ") Полупроводниковая интегральная микросхема с встроенным молекулярным доменом

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1849885A1 (de) * 2006-04-28 2007-10-31 Applied Materials GmbH & Co. KG Metallisierung mittels dünner, mit Plasmaunterstützung abgeschiedener Impfschicht
RU2420827C1 (ru) * 2010-01-11 2011-06-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления медной многоуровневой металлизации сбис
RU161515U1 (ru) * 2015-09-30 2016-04-20 Зао "Группа Кремний Эл" Мощная полупроводниковая микросхема
RU163838U1 (ru) * 2016-02-12 2016-08-10 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Мощная полупроводниковая микросхема

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1849885A1 (de) * 2006-04-28 2007-10-31 Applied Materials GmbH & Co. KG Metallisierung mittels dünner, mit Plasmaunterstützung abgeschiedener Impfschicht
RU2420827C1 (ru) * 2010-01-11 2011-06-10 Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления медной многоуровневой металлизации сбис
RU161515U1 (ru) * 2015-09-30 2016-04-20 Зао "Группа Кремний Эл" Мощная полупроводниковая микросхема
RU163838U1 (ru) * 2016-02-12 2016-08-10 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Мощная полупроводниковая микросхема

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2805136C1 (ru) * 2023-03-30 2023-10-11 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого"(ФГАОУ ВО "СПбПУ") Полупроводниковая интегральная микросхема с встроенным молекулярным доменом

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI267912B (en) Novel method to implement stress free polishing
US3386894A (en) Formation of metallic contacts
JPS6350867B2 (ru)
CN109254423A (zh) 一种铌酸锂电光器件厚膜导线电极的制作方法
US5880021A (en) Method of making multilevel interconnections of electronic parts
US3689332A (en) Method of producing semiconductor circuits with conductance paths
RU187908U1 (ru) Затравочный слой медной металлизации интегральных схем
CN103715070A (zh) 一种带胶磁控溅射厚膜的方法
JP2005094013A (ja) I/cチップ上にボンディング・パッドを形成する方法および得られる構造
US20150270223A1 (en) Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device
US20030098766A1 (en) Process for fabricating an electronic component incorporating an inductive microcomponent
CN107452600B (zh) 一种复合抗电镀掩模的制备方法
CN103928301A (zh) 一种金属-介质-金属结构电容的制作方法
RU163838U1 (ru) Мощная полупроводниковая микросхема
JPH02253628A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6260662A (ja) サ−マルヘツドの製造方法
CN109390231B (zh) 一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法
CN116403912B (zh) 一种制备氮化铝/钨铜金锡热沉的方法
JPH07211571A (ja) 薄膜コイルの製造方法
RU161515U1 (ru) Мощная полупроводниковая микросхема
RU161589U1 (ru) Мощная полупроводниковая микросхема
CN111863596B (zh) 一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺
KR100219757B1 (ko) 적층형 박막 인덕터의 제조 방법
JPS5950095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4328134B2 (ja) プリント配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20201226