RU1807534C - Магниторезистивный датчик - Google Patents

Abstract

Использование: область автоматики, а именно дл  измерени  магнитных полей и частоты вращени . Сущность изобретени : датчик значительно проще в изготовлении при тех же технических характеристиках. Это достигнуто благодар  тому, что в магни- торезистивном датчике применена структура с двухслойными магнитными пленками, разделенными слоем резистивного материала с удельным сопротивлением, по крайней мере в три раза превышающем удельное сопротивление магнитной пленки. 4 ил.

Description

Изобретение относитс  к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, датчиках перемещени , устройствах измерени  посто нного и переменного магнитных полей.

Цель изобретени  - упрощение устройства .

Изобретение по сн етс  чертежами, где на фиг. 1 .показана структура датчика в разрезе; на фиг. 2 - принципиальна  схема датчика; на фиг. 3 - элементы магниторези- стивных сопротивлений; на фиг. 4 - тополо- гии„магниторезистивных элементов.

Магниторезистивный датчик содержит подложку 1, на которой последовательно сформированы диэлектрический подслой 2, магнитна  пленка 3, разделительна  пленка 4, магнитна  пленка 5, изолирующий слой 6, слой проводников с контактами 7 и защитный слой 8. Структура датчика представл ет собой мостовую схему, включающую четыре контакта 9-12, четыре магниторезистивных элемента 13-16, имеющих разные характеристики относительно внешнего магнитного пол  в определенном направлении.

Устройство работает следующим образом . При отсутствии.в датчике посто нного электрического тока, протекающего через контакты 9, 11, намагниченность в магниторезистивных элементах 13-16 устанавливаетс  в двухслойных магнитных пленках вдоль оси легкого намагничивани  (ОЛН) и антипараллельно.друг другу. При п°одаче посто нного электрического тока в датчик воздействием возникающих магнитных полей от токов в различных магнитных пленках на намагниченность датчика можно пренебречь, т.к. эти пол  много меньше пбл  анизотропии . Пусть внешнее магнитное поле подаетс  в плоскос.ти датчика под углом а к ОЛН. В идеальном случае, когда толщины магнитных, пленок одинаковы, размагничивающих полей нет, и перемагничивание происходит когерентным вращением. Под действием внешнего магнитного пол  намагниченность отклон етс  на угол / а.. при этом изменение сопротивлени  в маг- ниторезистивном элементе 16 а в элементе 13 - cos2 Д Таким образом, раз00

о

х|

ел со

ноет., напр жений на контактах 10. 12 будет (cos2 /J sin2 /). При использовании рези- сливного материала с удельным сопротивлением , по крайней мере втрое большим, чем удепьное сопротивление магнитной пленки, небольшой ток будет протекать по разделительному слою, что приведет к уменьшению тока через магнитные пленки, т.е. небольшому уменьшению сигнала считывани , но при этом отпадает р д технологических операций по формированию отверстий в разделительном слое в случае диэлектрика.

Таким образом, при тех же технических характеристиках предлагаемое устройство существенно проще в изготовлении.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Магниторезистивный датчик, содержа щий подложку с диэлектрическим покрыти ем, поверх которого последовательно расположены перва  магнитна , разделительна  и втора  магнитна  пленки, изоли рующий, проводниковый и защитный слои, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  технологии изготовлени  датчика , разделительна  пленка выполнена из материала, удельное сопротивление которого не менее чем в три раза превышает величину удельного сопротивлени  магнит-. ной пленки.

   виг. I

   Q

   Фиг. 2

   tki

   Фиг. 3

   Фиг.