RU1798898C - Выходной формирователь импульсов - Google Patents

Выходной формирователь импульсов

Info

Publication number
RU1798898C
RU1798898C SU914874961A SU4874961A RU1798898C RU 1798898 C RU1798898 C RU 1798898C SU 914874961 A SU914874961 A SU 914874961A SU 4874961 A SU4874961 A SU 4874961A RU 1798898 C RU1798898 C RU 1798898C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistors
channel
transistor
keys
key
Prior art date
Application number
SU914874961A
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Иванович Бакшеев
Original Assignee
Институт Точной Механики И Вычислительной Техники Им.С.А.Лебедева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Точной Механики И Вычислительной Техники Им.С.А.Лебедева filed Critical Институт Точной Механики И Вычислительной Техники Им.С.А.Лебедева
Priority to SU914874961A priority Critical patent/RU1798898C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1798898C publication Critical patent/RU1798898C/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах импульсных сигналов наносекунд- ного диапазона. Цель изобретени  - повышение быстродействи  и стабильности выходного напр жени  при переменной нагрузке . Выходной формирователь импульсов содержит первый и второй каналы формировани  верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах,и второй ключ, выполненный на диоде, основном транзисторе и четырех резисторах. Введение в схему конденсатора, двух вспомогательных транзисторов и двух дополнительных резисторов в каждый канал формировател  позволило ускорить рассасывание зар да, накопленного в базовой цепи основного транзистора, стабилизировать установившеес  значение выходного напр жени  при колебани х нагрузки. 1 ил.

Description

ел
с
Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формировани  импульсных сигналов нанрсекундного диапазона.
Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  и стабильности выходного напр жени  при переменной нагрузке.
На чертеже представлена электрическа  схема выходного формировател  импульсов .
Устройство включает первый и второй каналы формировани  соответственно верхнего и нижнего уровней, которые содержат первые и вторые ключи. Первый ключ первого канала выполнен на первом и втором транзисторах 1-1, 1-2 по схеме токового переключател , эмиттерном резисторе 1-3 и двух коллекторных резисторах 1-4, 1-5.
Первый ключ второго канала выполнен на первом и втором транзисторах 2-1, 2-2,
эмиттерном резисторе и двух коллекторных резисторах 2-4, 2-5.
Второй ключ первого канала содержит основной транзистор 3-1, первый и второй вспомогательные транзисторы 3-2, 3-3, диод 3-4, первый резистор 3-5, второй резистор 3-6 и дополнительный резистор 3-7,
Второй ключ второго канала содержит основной транзистор 4-1, первый и второй вспомогательные транзисторы 4-2, 4-3. диод 4-4, первый и второй резисторы 4-5, 4-6 и дополнительный резистор 4-7. Между базами основных транзисторов вторых ключей включен конденсатор 5.
Базы первого и второго транзисторов 1-1.1-2 первого ключа первого канала соединены соответственно с первым и вторым входами 6-1, 6-2 устройства, а базы второго и первого транзисторов 2-2, 2-1 первого ключа второго канала соединены соответстvj Ю 00 00
ю
00
венно с третьим и четвертым входами 6-3, 6-4 устройства. Объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 1-1,. 1-2 первого ключа первого канала через эмит- терный резистор 1-3 соединены с первой шиной 1 источника питани , к которой также подключены эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов 4-2, 4-3 второго канала через дополнительный и второй резисторы 4-6, 4-7 соответственно и коллектор основного транзистора 4-1 второго ключа второго канала. Коллекторы первого и второго транзисторов 2-1, 2-2 первого ключа второго канала через коллекторные резисторы 2-4, 2-5 подключены также к первой шине 7 источника питани , Объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 2-1,2-2 первого ключа второго канала через эмиттерный резистор 2-3 соединены со второй шиной 8 источника . питани , к которой также подключены эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов 3-2,3-3 первого канала через дополнительный и второй резисторы 3-6, 3-7 соответственно и коллектор основного транзистора 3-1 второго ключа первого канала . Коплекторы первого и второго транзисторов 1-1, 1-2 первого ключа первого канала через коллекторные резисторы 1-4, 1-5 подключены также ко второй шине 8 источника питани . .
База основного транзистора 3-1 второго ключа первого канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора 3-3 первого канала и через об- ратно-включеиный диод 3-4 первого канала .- с первым источником 9 опорного напр жени .
База основного транзистора 4-1 второго ключа второго канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора 4-3 второго канала и через об- ратно-включенный диод 4-4 второго канала
- со вторым источником 10 опорного напр жени . Коллекторы первых вспомогательных транзисторов 3-2, 4-2 и эмиттеры основных транзисторов 3-1, 4-1 вторых ключей обоих каналов подключены к выходной шине 11. Между базой и эмиттером основных транзисторов 3-1, 4-1 включены .первы.е резисторы 3-5, 4-5. Базы первых вспомогательных транзисторов 3-2, 4-2 обоих каналов соединены соответственно с коллекторами первых транзисторов 1-1,2- 1 первых ключей, базы вторых вспомогательных транзисторов 3-3, 4-3 обоих каналов подключены к коллекторам вторых
-транзисторов 1-2, 2-2 первых ключей.
Работает устройство следующим образом . Если на входе 6-2 напр жение логической 1 положительной пол рности, на входе 6-4 напр жение логической I отрицательной пол рности, на входах 6-1 и 6-3 напр жени  логического О, напр жение
на первом источнике 9 опорного напр жени  UB (напр жение верхнего уровн ) положительной пол рности, а на втором источнике 10 опорного напр жени  Ун (напр жение нижнего уровн ), то транзисторы
0 1-2, 2-1 открыты, а транзисторы 1-1, 2-2 закрыты, что в свою очередь приводит к тому, что транзисторы 3-3, 3-1, 4-2 открыты , а транзисторы 4-3,4-1,3-2 закрыты. Ток коллектора открытого транзистора 3-3, за5 даваемый резистором 3-7, протекает через диод 3-4 к источнику 9 опорного напр жени  верхнего уровн , создава  на его аноде и на базе транзистора 3-1 напр жение, отличающеес  от опорного напр жени  верх0 него уровн  на величину падени  на диоде. Ток коллектора транзистора 4-2, задаваемый резистором 4-6, и ток нагрузки протекают через транзистор 3-1, при этом на его эмиттере, св занном с выходной шиной 11,
5 будет напр жение меньше, чем на его базе, на величину падени  напр жени  на переходе база-эмиттер.
Таким образом напр жение на эмиттере транзистора 3-1 и выходной шине 11
0 равно: Ивых UB + 1)д - Оба, что при 11д Убэ обеспечивает на выходной шине 11 Овых Ue. Ток, отдаваемый в .нагрузку, обеспечиваетс  транзистором 3-1 и потребл етс  от второй шины 8 источника питани . При фор5 мировании плоской части выходного импульса транзистор 3-1 работает в режиме эмиттерного повторител , т.к. диод 3-4 смещен в пр мом направлении током транзистора 3-3 и к базе транзистора 3-1 подключен
0 источник опорного напр жени .
При подаче на вход 6-1 логической 1 положительной пол рности, на вход 6-3 логической 1 отрицательной пол рности, а на входы 6-2, 6-4-логических нулей тран5 зисторы 3-3, 3-1 и 4-2 закрываютс , а открываютс  транзисторы 4-3, 4-1, 3-2 и на выходной шине 11 формируетс  напр жение , равное UH.
При смене логических напр жений на
0 входах устройства, например, при переходе от формировани  UB к UH транзистор 3-3 закрываетс , а транзистор 4-3 открываетс . Часть тока транзистора 4-3 через конденсатор 5 рассасывает зар д, накопленный в
5 базовой цепи транзистора 3-1, ускор   его закрытие, а часть поступает а базу транзистора 4-1, На этой стадии формировани  выходного импульса диод 4-4 закрыт - он открываетс  при Увых, близком к UH, в базу транзистора 4-1 поступает больший ток,
чем при формировании плоской части импульса . Процесс перехода от 1)н к UB аналогичен .

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Выходной формирователь импульсов, содержащий первый и второй каналы формировани  соответственно верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах по схеме токового переключател , второй ключ, выполненный на диоде и основном транзисторе, между эмиттером и базой которого включен первый резистор, и первый вспомогательный транзистор с проводимостью, противоположной проводимости основного транзистора второго ключа данного канала, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов первого ключа первого и второго каналов через соответствующие эмиттерные резисторы соединены с первой и второй шинами источника питани  соответственно, к которым через коллекторные резисторы подключены коллекторы транзисторов соответствующих первых ключей первого и второго каналов, базы которых соединены с первым, вторым, .третьим и четвертым входами устройства, проводимость транзисторов первого и второго ключей первого канала противоположна проводимости первого и второго ключей второго канала, первый и второй источники опорного напр жени  соответственно верхнего и нижнего уровней и два вторых резистора вторых ключей каналов, отличающийс  тем, что, с целью повышени 
    быстродействи  и стабильности выходного напр жени  при переменной нагрузке, введены конденсатор и в каждый из каналов второй вспомогательной транзистор с про- водимостью, противоположной проводимости основного транзистора второго ключа данного канала, и дополнительный резистор , причем эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов обоих каналов через второй и дополнительный резисторы подключены соответственно к второй и первой шинам источника питани , к которым подключены коллекторы основных транзисторов, базы первых вспомогательных транзисторов обоих каналов соединены соответственно с коллекторами первых транзисторов первых ключей, базы вторых вспомогательных транзисторов обоих каналов подключены к коллекторам вторых
    транзисторов первых ключей, коллекторы первых вспомогательных транзисторов и эмиттеры основных транзисторов вторых ключей обоих каналов подключены к выходной шине, база основного транзистора второго ключа первого канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора первого канала и с анодом диода, катод которого соединен с первым источником опорного напр жени , база основного
    транзистора второго ключа второго канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора второго канала,с катодом диода., анод которого соединен с .вторым источником опорного напр жени ,
    а конденсатор включен между базами основных транзисторов вторых ключей.
SU914874961A 1991-10-16 1991-10-16 Выходной формирователь импульсов RU1798898C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914874961A RU1798898C (ru) 1991-10-16 1991-10-16 Выходной формирователь импульсов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914874961A RU1798898C (ru) 1991-10-16 1991-10-16 Выходной формирователь импульсов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1798898C true RU1798898C (ru) 1993-02-28

Family

ID=21540968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU914874961A RU1798898C (ru) 1991-10-16 1991-10-16 Выходной формирователь импульсов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1798898C (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Эйдунас Д.Ю. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем. М.: Радио и св зь, 1982, с. 267, рис. 6.21. Авторское свидетельство СССР -1457149, кл. Н 03 К 5/01, , *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1798898C (ru) Выходной формирователь импульсов
SU1457149A1 (ru) Выходной каскад формировател импульсов
SU1368976A2 (ru) Устройство согласовани
SU1522360A1 (ru) Устройство дл управлени силовым транзисторным ключом
SU1160543A2 (ru) Триггер Шмитта
SU1205295A1 (ru) Интегральный ЭСЛ-элемент
SU617844A1 (ru) Тлэс-ттл преобразователь
SU1319251A1 (ru) Автоколебательный мультивибратор
RU103043U1 (ru) Компаратор напряжения
SU1213522A1 (ru) Триггер В.И.турченкова
SU1358077A1 (ru) Формирователь одиночных импульсов
SU843200A2 (ru) Формирователь импульсов
SU1541766A1 (ru) Устройство дл управлени составным ключом
SU1205264A1 (ru) Генератор напр жени треугольной формы
SU1200412A1 (ru) Высоковольтный логический элемент
RU1824667C (ru) Генератор импульсов
KR930006692Y1 (ko) 쇼트키 다이오드를 이용한 스위칭 시간 단축회로
SU1324103A1 (ru) ТТЛ-вентиль
SU832725A1 (ru) Микромощный логический элементи-или/и-или-HE
RU2016480C1 (ru) Устройство для управления запираемым тиристором
SU1614104A1 (ru) Формирователь импульсов
SU748812A1 (ru) Триггер с эмиттерной св зью на транзисторах разного типа проводимости
SU746904A1 (ru) Универсальный многозначный логический элемент
SU940304A1 (ru) Ключ-инвертор
SU1378048A1 (ru) Мультиплексор