Изобретение относитс к импульсной технике, может быть использовано дл фор мировани импульсов, амплитуда которых превышает напр жение источника питани . . По основному авт. св. № 7О6919 извес... тен формирователь импульсов, который содержит входной транзистор, а также п чеек, Б каждую из которых входит конденсатор , диод, резисторы, а также ключевой и управл ющий транзисторы .Во врем формировани переднего фронта, выходного импульса через коллекторные резисторы входного и ключевых транзисторов протекают токи, подзар жающие ко денсаторы, а во врем формировани вершины выходного импульса через эти же резисторы протекает выходной ток, потреб л емый нагрузкой TilДл обеспечени на выходе формировател заданного нагрузочного тока решаю- щим вл етс выбор сопротивлени коллекторного резистора ключевого транзистора последней чейки. Это обь сн етс тем, что сопротивление этого разистора значительно превышает сумму .. сопротив- . лений остальных//коллекторных резисторов входного и ключевых транзисторов. Из этого следует-.также, что в .указанном резисторе выдел етс больша часть мощности , рассеиваемой в формирователе во врем вьфаботкн импульса на его выходе. С другой стороны, в промежутках между импульсами на выходе формировател бсхльша часть мощности, рассеиваемой в формирователе, выдел етс в коллекторном резисторе входного транзистора. Следует отметить , что коэффициент полезного действи , а именно, отношение мощности, выдел емой в нагрузке, к сумме этой мощности и мощности, рассеиваемой в формиро- вателе, много меньше единицы. . Целью изобретени вл етс повышевке коэффициента полезного действи формировател импульсов. Дл достижери указанной цели в устройство , содержащее входной транзистор и п чеек, в каждую из которых входит конденсатор, диод , резисторы, ключевой и управл5пощий транзистор , ввецены разв зывающие эмиггерные повторители и п( попнительные диоды , при этом обкладка каждого конденсатора и нагрузка устройст подключены к коллектору транзистора типа п - р - п предыдущего каскада через разв зывающий эмиттерный повторитель типа п - р - п , переход база - эмиттер которогб зашунтирован допрлнительным ди одом в обратном включении. На чертеже приведена принципиальна схема формировател . Устройство содержит чейки п в которые вход т транзисторы 2 -2 и 3/-3п, конденсаторы 4 -4, сщоды 5,-5п, резисторы 6 -6,, 7, -7п, ,9 -9, а также входной транзистор 1О с коплек- торным резистором 11. Кроме того, в кажду чейку - введены соединительный транзистор 12- и разделительный диод 13 и в формирователь введены коммутирующий транзистор 14 и входной диод 15. Предлагаемый формирователь импульсов работает следующим образом. При наличии на базе транзистора 1О положительного потенциала он открыт и насыщен . В результате этого закрыт тра зистор 14, открыт и насыщен транзистор 21 .Последний поддерживает открытым насыщенным транзистор , который , в свою очередь, поддерживает транзистор 12. .При этом остальные тра зисторы 3 и 2 открыты и насыщены, а вс транзисторы 12 закрыты. Потенциал на коллекторе транзистора -З,-, , т.е. на выходе формировател импульсов, поддержи ваетс близким к О В, а каждый конденса тор 4 зар жен до напр жени , близкого к напр жению Е источника питани . При поступлении на базу транзистора Ю управл ющего сигнала (нулевого потенциала ) этот транзистор закрываетс и потенциал базы транзистора 14 повыщает с ,что вызывает открывание транзистора 14. При этом, если. выполн етс соотношение С. i.2 f f-l. ,-, 4i ./ V, l 10-В где Са - емкость конденсатора Q ; Я - сопротивление резистора Ъ; Ь - коэффициент передачи тока транзисторам Я при включении его по схеме с общим эмиттером , то потенциал катодов всех диодов 5 близок к + 2Е. Транзисторы 2 и 3, закрываютс и потенциал базы транзистора 12 начинает повышатьс , что вызывает открывание транзистора 12,. При этом, если выпол-н етс соотношении С. 771 С . -а :- . - 5п установитс близким к + 4Е. Рассужда подобным образом, получаем , что если при всех j таких, что It;) 4 (п-1), выполн етс условие Vi d+i - ±-V . .V ( 8./ , . V, ,B.,-B,2. 9н 10.. Bj.2 TO амплитуда импульсов на эмиттере транзистора 12f , а значит и на выходе формировател импульсов, близка к + Е 2. Из выражений (1) - (3) следует., что при одинаковой величине напр жени ,питающего формирователь и при том же токе нагрузки сопротивление резисторов 11 и 9 вСхеме предлагаемого формировател превышает сопротивление соответствующих резисторов в схеме известного не менее, чем в В. и Bj раз соответственно . Значит при той же выходной мощности мощность, рассеиваема предлагаемым формирователем не менее, чем в min ( В,2 ) раз меньше мощности, рассеиваемой известным формирователем. На основании произведенных расчетов с учетом того , что КПД формировател много меньше единицы, получаем, что КПД предлагаемого формировател в nni n(,j) раз выше, чем у известного формировател с той же амплитудой выходного импульса .