SU1368976A2 - Устройство согласовани - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Устройство согласовани  содержит транзисторы 1 и 15 второго типа проводимости (ТП), транзисторы 2, 3 и 7 первого ТП, диоды Шоттки 4, 5, 8-10, неуправл емый источник тока на р-п р транзисторе 11 и резисторе 12, инжектор второго транзистора на транзисторе 13 и резисторе 14, шину 18 питани , резисторы 16 и 17. Изобретение снижает потребл емую мощность. 1 ил.

Description

21

(Л

N)

113

Изобретение относитс  к импульсной технике, предназначено дл  согласовани  уровней базовых схем БИС инжекци- онного типа с уровн ми ТТЛ схем и  вл етс  усовершенствованием известного устройства по авт. св. 1173552.

Цель изобретени  - снижение потребл емой мощности.

На чертеже изображена принципиальна  схема устройства согласовани .

Устройство согласовани  содержит третий транзистор 1 второго типа проIP

водимссти, первый транзистор 2 первого типа проводимости, второй транзистор 3 первого типа проводимости, второй и первый диоды Шоттки 4 и 5 и резистор 6, четвертый транзистор 7 пер- вого типа проводимости, третий 8, чет-20 тора транзистора 11 и соответственно

При изменении уровн  входного нап р жени  от низкого до высокого запи раетс  транзистор 13. Током коллекторов транзистора 11 начинают отпиратьс  транзисторы 3 и 7. Причем транзистор 3 отпираетс  быстрее, за счет большей площади первого коллекбольшего тока перезар да емкости ба- за-змиттер транзистора 3. Открытый транзистор 3 через диод Шоттки 5 быстро рассасывает избыточный зар д в

вертый 9 и п тый 10 диоды Шоттки, не- управл емьй источник тока на р-п-р- транзисторе 11 и резисторе 12, ицжек- тор второго транзистора на транзисторе 1 3 и резисторе 14, п тый транзистор 15 второго типа проводимости и второй 16 и первый 17 резисторы, причем транзисторы 1 и 2 включены последовательно между шиной 18 питани  и общей шиной, коллекторы транзит тров

Iи 2 соединены и  вл ютс  выходом 19 устройства, база транзистора 3 соединена с первым коллектором транзистора

I1и через диод Шоттки, включенный пр мом направлении, св зана с входом 20 устройства и базой транзистора 13, коллектор которого соединен с базой транзистора 2 и через диод Шоттки 5, включенный в пр мом направлении , св зан с коллектором транзистЪ- ра 3, коллектор которого через резистор 6 св зан t базой транзистора 1, база транзистора 7 соединена с вторым коллектором транзистора 11 и через диод Шоттки 8, включенный в пр мом направлении, св зана с входом 20 устройства , коллектор транзистора 7 через диоды Шоттки 9 и 10, включенные в обратном направлении, св зан с базами соответственно транзисторов 3 и 2, а через резистор 16 св зан с базой транзистора 15, коллектор которого соединен с выходом 19 устройства , а эмиттер через резистор 17 св зан с шиной 18 питани , резисторы 12 и 14 включены между дополнительной шиНой 21 питани  и соответственно эмиттерами транзисторов 11 и 13, эмиттеры транзисторов 3 и 7 и база

11 соединены с общей

тора транзистора 11 и соответственно

транзистора шиной.

Устройство согласовани  работает следующим образом.

При низком уровне входного напр жени  транзисторы 3 и 7 закрыты, соответственно закрыты и транзисторы 1 и 15. Открытый транзистор 13 задает базовый ток транзистора 2 и на выходе 19 устройства согласовани  формируетс  низкий уровень напр жени .

При изменении уровн  входного напр жени  от низкого до высокого запираетс  транзистор 13. Током коллекторов транзистора 11 начинают отпиратьс  транзисторы 3 и 7. Причем транзистор 3 отпираетс  быстрее, за счет большей площади первого коллектора транзистора 11 и соответственно

большего тока перезар да емкости ба- за-змиттер транзистора 3. Открытый транзистор 3 через диод Шоттки 5 быстро рассасывает избыточный зар д в

базе транзистора 2 и запирает этот транзистор. Через резистор 6 протекает базовый ток транзистора 1, который открываетс  и зар жает емкость нагрузки на выходе 19 устройства. По- ,

еле отпирани  и перехода в режим на- транзистора 7 запираетс  транзистор -3, открываетс  транзистор 15 и поддерживаетс  закрытое состо ние транзистора 2. Запирание транзистора 3 приводит к запиранию транзистора 2 и вершина импульса выходного напр жени  формируетс  открытьи транзистором 15. Причем сопротивление резистора 16 значительно больше, чем

резистора 6, и, соответственно, выходное сопротивление устройства при открытом транзисторе 15 за счет резистора 17 значительно больше, чем при открытом транзисторе 1.

Таким образом, транзистор 1 обес печивает быстрый зар д емкости нагрузки , а транзистор 15 только поддерживает выходное напр жение на высоком уровне. В данном случае используетс  особенность нагрузки в виде ТТЛ или КМОП , заключающа с  в том, что при формировании фронта нарастани  напр жени  необходим ток на два или даже три пор дка больший,

чем при формировании вершины.

При изменении входного напр жени  устройства от высокого к низкому одновременно начинает открыватьс  транзистор 13 и запиратьс  транзистор 7

31

(транзистор 3 уже закрыт транзистором 7). Далее начинаетс  процесс отпирани  транзистора 2 и запирани  транзистора 15. При этом также, как в известных схемах, существует момен времени, когда открыты оба транзистора 2 и 15. Однако в предлагаемой схеме сквозной ток через транзисторы 2 и 15 ограничен резистором 17 и на два пор дка меньше, чем в известных устройствах, так как транзистор 1 закрыт еще при формировании вершины импульса.

Поэтому предлагаемое устройство

Е отребл ет меньшую мощность, обуслов енную сквозными токами при переклю- ени х. Устройство также потребл ет ченьшую мощность за счет меньшего

гока управлени  транзистором 15 через20 ра второго транзистора и через третий

резистор 16 по сравнению с током управлени , протекающим через резистор

Отношение этих токов управлени  элизко к отношению тока формировани  высокого уровн  напр жени  на входе

25

диод Шоттки подключена к входу, эмиттер соединен с общей шиной, а коллектор соответственно через четвертый и п тый ДИОДЫ соединен с базами второго и первого транзисторов.

ТТЛ или КМОП и тока формировани  фронта нарастани  этого напр жени .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство согласовани  по авт. св. № 1173552, отличающеес  тем, что, с целью снижени  потребл емой мощности, введены два резистора, три диода Шоттки, четвертый транзистор первого типа проводимости и п тый транзистор второго, типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор подключен к шине питани , коллектор - к выходу, а база через второй резистор - к коллектору четвертого транзистора, база которого соединена с дополнительным коллектором инжекто

   диод Шоттки подключена к входу, эмиттер соединен с общей шиной, а коллектор соответственно через четвертый и п тый ДИОДЫ соединен с базами второго и первого транзисторов.