RU1797733C - Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах - Google Patents
Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнахInfo
- Publication number
- RU1797733C RU1797733C SU904882252A SU4882252A RU1797733C RU 1797733 C RU1797733 C RU 1797733C SU 904882252 A SU904882252 A SU 904882252A SU 4882252 A SU4882252 A SU 4882252A RU 1797733 C RU1797733 C RU 1797733C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- narrow
- acoustic waves
- surface acoustic
- center frequency
- dielectric film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к акустоэлект- ронике и может найти применение при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. Цель изобретени уменьшение ухода центральной частоты узкополосного прибора на ПАВ заключаетс в напылении на всю поверхность пьезоэлектрической пластины с предварительно сформированными на ее рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразовател ми диэлектрической пленки с коэффициентом линейного термического расширени , близким к значению коэффициента линейного термического расширени пьезоэлектрической пластины, термообработке путем отжига в вакууме при 300±1р°С в течение не менее 30 мин и частичным удалением диэлектрической пленки методом ВЧ-магнетронного ионного травлени до толщины, необходимой дл получени заданной центральной частоты прибора на поверхностных акустических волнах. 1 ил. ,.. ел с
Description
Изобретение относитс к акустоэлект- ронике и может быть использовано при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах (ПАВ).
Известен способ подгонки центральной частоты устройств на ПАВ путем напылени на всю поверхность пьезоэлектрической подложки с предварительно сформированными на рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразовател ми (ВШП) сло из электрически непровод щего материала, который имеет определенную толщину, необходимую дл получени заданной центральной частоты
прибора на ПАВ. Недостатком известного способа вл етс уход центральной частоты прибора на ПАВ из-за старени пленки из электрически непровод щего материала и релаксации механических напр жений, возникающих в пленке в процессе ее напылени . Кроме того, способ позвол ет проводить подгонку центральной частоты прибора на ПАВ только в сторону уменьшени частоты.
Наиболее близким техническим решением к за вл емому способу вл етс способ настройки на центральную частоту узкополосного.прибора на ПАВ, подсоеди3XI XI Сл СО
СО
немного к измерительному прибору, путем напылени на всю поверхность пьезоэлектрической подложки с предварительно сформированными на рабочей поверхности входным и выходным преобразовател ми сло из двуокиси кремни заданной толщины с последующим частичным удалением сло этой пленки химическим травлением до величины, при которой центральна частота узкополосного прибора на. ЛАВ совпадает с номинальным значением. Однако этот способ имеет недостатки, св занные со старением материала диэлектрической плёнки и наличием в ней механических напр жений , которые возникают из-за структурных дефектов в процессе ее напылени . Поскольку диэлектрическа пленка жёстко св зана с подложкой, то упругие свойства поверхностного сло подложки измер ютс , что приводит к изменению фазовой скорости ПАВ. С течением времени происходит релаксаци механических напр жений в диэлектрической пленке, что приводит к неконтролируемому уходу центральной частоты прибора на ПАВ. Метод химического травлени не устран ет эти недостатки. Цель изобретени - уменьшение ухода центральной частоты узкополосного прибора на ПАВ.Поставленна цель достигаетс тем, что в известном способе настройки на центральную частоту узкополосного прибора на ПАВ, подсоединенного к измерительному прибору, на всю поверхность пьезоэлектрической подложки с предварительно сформированными на ее рабочей поверхности входным и выходным 8ШП напыл ют диэлектрическую пленку, затем провод т ее термообработку в вакууме при 300 ± 10°С в течение не менее 30 мин, после чего диэлектрическую пленку удал ют методом высокочастотного магнетронного травлени до толщины, при которой центральна частота узкополосного прибора на ПАВ совпадает с номинальным значением . В результате термической обработки структурные дефекты отжигаютс и уменьшаетс релаксаци механических напр жений в диэлектрической пленку. Это приводит к уменьшению неконтролируемого ухода центральной частоты узкополосного прибора на ПАВ. Выбор материала . диэлектрической пленки с коэффициентом линейного термического расширени (КЛТР), близким к КЛТР пьезоэлектрической подложки, позвол ет получить диэлектрическую пленку с минимальными механическими напр жени ми. Толщину
диэлектрической пленки выбирают из услови , чтобы ее толщина h была значительно меньше длины поверхностной акустической волны А, т.е. h А , и не вли ла на электрические параметры прибора на ПАВ. При этом условии распределение смещени частиц по глубине и относительные значени компонент не очень сильно отличаютс от соответствующих значении компонент дл
свободной поверхности пьезоэлектрической подложки, т.ё, слой такой толщины практически не будет вли ть на электрические характеристики прибора на ПАВ.
На чертеже представлена схема подгон- ки центральной частоты узкополосного прибора на ПАВ, где 1 - пьезоэлектрическа подложка; 2 -встречно-штыревые преобразователи; 3 - диэлектрическа пленка; 4 - инфракрасное излучение; 5 - поток ионов
аргона; 6 - стравливаемый слой диэлектрической пленки; 7 - оставшийс слой диэлектрической пленки, толщина которого необходима дл получени заданной центральной частоты узкополосного прибора на
ПАВ. Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на ПАВ реализуетс в такой последовательности. На пьезолектрическую подложку (пластину) 1 (например, кварц S Т-среза) со сформированными на ее рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразоватёл мит 2, напыл ют диэлектрическую пленку 3 (например, из алюмоборо- бариевосиликатного стекла), затем
провод т ее термообработку в вакууме инфракрасным излучением 4 при 300 ±10°С в течение не менее 30 мин, после чего путем бомбардировки потоками ионов аргона 5, выт гиваемых из плазмы высокочастотного
магнетронного разр да, стравливают слой 6 диэлектрической пленки 3 до толщины 7, при которой центральна частота узкополосного прибора на ПАВ, подключенного к измерительному прибору, совпадает с номинальным значением.
Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на ПАВ обеспечивает уменьшение ухода центральной частоты узкополосного прибора,на ПАВ и,
тем самым, позволит изготавливать приборы с более узкой полосой пропускани и увеличить процент выхода годных изделий. Дополнительно диэлектрическа пленка защищает встречно-штыревые преобразователи от воздействи внешних факторов и, тем самым, увеличивает стабильность электрических характеристик прибора на ПАВ.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах, заключающийс в напылении диэлектрической пленки на всю поверхность пьезоэлектрической подложки с предварительно сформированными на ее рабочей поверхности входным и выходным встречно-штыревыми преобразовател ми и частичным удалением этой пленки до толщины, при которой центральна частота узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах, подсоединённого к измерительному прибору, совпадает с номинальным значением, от л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью уменьшени ухода центральной частоты узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах, диэлектрическую пленку отжигают в вакууме при температуре 300±100С в течение не менее 30 мин и частично удал ют его методом высокочастотного магнетронного травлени .CTtTlТ7ПТТ-6-г
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904882252A RU1797733C (ru) | 1990-11-11 | 1990-11-11 | Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904882252A RU1797733C (ru) | 1990-11-11 | 1990-11-11 | Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1797733C true RU1797733C (ru) | 1993-02-23 |
Family
ID=21545101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904882252A RU1797733C (ru) | 1990-11-11 | 1990-11-11 | Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1797733C (ru) |
-
1990
- 1990-11-11 RU SU904882252A patent/RU1797733C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US Ns 4243960. кл. НОЗ Н 9/64, опубл.1981. За вка JP N 61-77407. кл. Н 03 Н 3/10, опубл. 1986. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5996199A (en) | Method of manufacturing surface acoustic ware modules | |
US4270105A (en) | Stabilized surface wave device | |
WO2018180827A1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
US5918354A (en) | Method of making a piezoelectric element | |
US5337026A (en) | SAW device and method of manufacturing | |
US7474033B2 (en) | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
KR100352392B1 (ko) | 표면 탄성파 소자의 제조 방법 | |
WO2019244471A1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
JPS6141446B2 (ru) | ||
JPH09326668A (ja) | 圧電素子とその製造方法 | |
WO2019188350A1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
RU1797733C (ru) | Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах | |
US6483224B1 (en) | Surface acoustic wave device and method of producing the same | |
Ishii et al. | UHF AT-cut crystal resonators operating in the fundamental mode | |
JP2000156620A (ja) | 弾性表面波デバイスの中心周波数調整方法および弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JP2003069380A (ja) | 弾性表面波素子、弾性表面波素子を用いた通信装置、弾性表面波素子の製造装置および弾性表面波素子の製造方法 | |
JP3468203B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP3926919B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3345779B2 (ja) | Sawチップ及びこれを利用したsawデバイスの製造方法 | |
WO2021002047A1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
JP2003264448A (ja) | 弾性表面波モジュール素子 | |
RU2168849C2 (ru) | Способ настройки на центральную частоту узкополосного прибора на поверхностных акустических волнах | |
JPS62274081A (ja) | スパツタエツチングによる電子素子のトリミング方法 | |
JP2631530B2 (ja) | 弾性表面波素子における周波数の微調整方法 | |
Mishin et al. | Production issues in using Silicon Dioxide films for temperature compensated Bulk and Surface Acoustic Wave devices |