RU172726U1 - Устройство измерения времени обратного восстановления диодов - Google Patents

Устройство измерения времени обратного восстановления диодов Download PDF

Info

Publication number
RU172726U1
RU172726U1 RU2017106409U RU2017106409U RU172726U1 RU 172726 U1 RU172726 U1 RU 172726U1 RU 2017106409 U RU2017106409 U RU 2017106409U RU 2017106409 U RU2017106409 U RU 2017106409U RU 172726 U1 RU172726 U1 RU 172726U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
time
key
control device
direct current
diode
Prior art date
Application number
RU2017106409U
Other languages
English (en)
Inventor
Виталий Федорович Зотин
Алексей Николаевич Школин
Александр Юрьевич Дракин
Original Assignee
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" filed Critical ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет"
Priority to RU2017106409U priority Critical patent/RU172726U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU172726U1 publication Critical patent/RU172726U1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области электронной техники, в частности к производству карбидкремниевых диодов Шоттки.Устройство содержит источник постоянного напряжения, задающий уровень обратного напряжения, 1; первый ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику, 2; регулируемое сопротивление 3; источник постоянного напряжения, задающий уровень прямого тока, 4; операционный усилитель 5; второй ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику, 6; датчик прямого тока в виде резистора 7; испытуемый диод 8; осциллограф 9; безындуктивный измерительный резистор 10; синхронизирующее устройство управления 11.Работает устройство следующим образом. В начальный момент времени синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 6 для формирования импульса прямого тока в испытуемом диоде 8. В следующий момент времени (через временную задержку относительно начального момента времени) синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 2 для подачи обратного напряжения на испытуемый диод 8. В итоговый момент времени (через временную задержку относительно второго момента времени) работа синхронизирующего устройство управления 11 останавливается. При выполнении циклических измерений данный алгоритм повторяется заново.Выбором типа транзистора 2 и сопротивления 3 устанавливается требуемая скорость спада прямого тока, а выбором напряжения на инвертирующем входе операционного усилителя 5 и сопротивления 7 - амплитуда прямого тока.Техническим результатом заявленного решения является возможность добиться высокой скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более) в испытуемом диоде при выполнении измерения его времени обратного восстановления. 1 ил.

Description

Полезная модель относится к области электронной техники, в частности к производству карбидкремниевых диодов Шоттки.
Известна схема измерения времени обратного восстановления диода (ГОСТ 24461-80), которая содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство, испытуемый диод, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и индуктивностью, ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и конденсатором. Ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и индуктивностью обеспечивают требуемую скорость спада прямого тока, а ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и конденсатором ограничивают перенапряжения.
Недостатком данной схемы является невозможность на практике обеспечить высокую скорость спада прямого тока (1000 А/мкс и более), необходимую в частности при испытании силовых карбидокремниевых диодов Шоттки.
Задача полезной модели обеспечение высокой скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более)и повышения стабильности задаваемого прямого тока.
Эта задача достигается тем, устройство измерения времени обратного восстановления диодов содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство управления, испытуемый диод, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, отличается тем, что источник импульсов обратного напряжения выполнен в виде источника постоянного напряжения и ключа на МДП-транзисторе с регулируемым сопротивлением в цепи затвора, а источник импульсов прямого тока содержит источник постоянного напряжения, операционный усилитель, МДП-транзистор и датчик прямого тока в виде резисторачто
На рисунке представлена схема измерения времени обратного восстановления диода.
Устройство содержит источника постоянного напряжения, задающий уровень обратного напряжения 1, первый ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику 2, регулируемое сопротивление 3, источник постоянного напряжения, задающий уровень прямого тока 4, операционный усилитель 5, второй ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику 6, датчик прямого тока в виде резистора 7, испытуемый диод 8, осциллограф 9, безындуктивный измерительный резистор 10, синхронизирующее устройство управления 11.
Работает устройство следующим образом. В начальный момент времени синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 6 для формирования импульса прямого тока в испытуемом диоде 8. В следующий момент времени (через временную задержку относительно начального момента времени) синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 2 для подачи обратного напряжения на испытуемый диод 8. В итоговый момент времени (через временную задержку относительно второго момента времени) работа синхронизирующего устройство управления 11 останавливается. При выполнении циклических измерений данный алгоритм повторяется заново.
Выбором типа транзистора 2 и сопротивления 3 устанавливается требуемая скорость спада прямого тока, а выбором напряжения на инвертирующем входе операционного усилителя 5 и сопротивления 7 - амплитуда прямого тока.
Предлагаемое устройство было использовано при разработке автоматизированного тестера для измерения динамических параметров силовых карбидкремниевых диодов и транзисторных модулей.
Таким образом, предлагаемая схема позволяет добиться высокой скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более) в испытуемом диоде при выполнении измерения его времени обратного восстановления.

Claims (1)

  1. Устройство измерения времени обратного восстановления диодов содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство управления, испытуемый диод, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, отличающееся тем, что источник импульсов обратного напряжения выполнен в виде источника постоянного напряжения и ключа на МДП-транзисторе с регулируемым сопротивлением в цепи затвора, а источник импульсов прямого тока содержит источник постоянного напряжения, операционный усилитель, МДП-транзистор и датчик прямого тока в виде резистора.
RU2017106409U 2017-02-27 2017-02-27 Устройство измерения времени обратного восстановления диодов RU172726U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017106409U RU172726U1 (ru) 2017-02-27 2017-02-27 Устройство измерения времени обратного восстановления диодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017106409U RU172726U1 (ru) 2017-02-27 2017-02-27 Устройство измерения времени обратного восстановления диодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU172726U1 true RU172726U1 (ru) 2017-07-21

Family

ID=59498948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017106409U RU172726U1 (ru) 2017-02-27 2017-02-27 Устройство измерения времени обратного восстановления диодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU172726U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU429383A1 (ru) * 1971-09-24 1974-05-25 А. Б. Гитцевич , Ю. В. Кокорев Устройство для измерениявремени восстановления обратного сопротивления диодов
RU126145U1 (ru) * 2012-07-11 2013-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (НовГУ) Измеритель заряда восстановления
CN105044581A (zh) * 2015-03-30 2015-11-11 国家电网公司 一种SiC IGBT串联阀组动态均压特性和反向恢复特性的测试方法及测试电路
CN105045961A (zh) * 2015-06-24 2015-11-11 中国人民解放军海军工程大学 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU429383A1 (ru) * 1971-09-24 1974-05-25 А. Б. Гитцевич , Ю. В. Кокорев Устройство для измерениявремени восстановления обратного сопротивления диодов
RU126145U1 (ru) * 2012-07-11 2013-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (НовГУ) Измеритель заряда восстановления
CN105044581A (zh) * 2015-03-30 2015-11-11 国家电网公司 一种SiC IGBT串联阀组动态均压特性和反向恢复特性的测试方法及测试电路
CN105045961A (zh) * 2015-06-24 2015-11-11 中国人民解放军海军工程大学 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB951398A (en) Sampling oscilloscopes
CN103954899A (zh) 一种实时测量二极管瞬态温升的方法
CN112798976B (zh) 一种电源故障判断方法、设备、电子设备及存储介质
RU172726U1 (ru) Устройство измерения времени обратного восстановления диодов
WO2018156049A1 (ru) Устройство измерения времени обратного восстановления диодов
RU176261U1 (ru) Устройство измерения времени обратного восстановления диодов
US10514394B2 (en) Dynamic output clamping for a probe or accessory
Jeevandoss et al. A novel method for the measurement of the CV characteristic of a solar photovoltaic cell
RU185719U1 (ru) Стенд для испытаний силовых полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию ударного тока
RU2012107506A (ru) Мостовой измеритель параметров двухполюсников
CN104766809B (zh) 一种pn结瞬时电容能谱测量方法和系统
RU149143U1 (ru) Генератор частотно-модулированных импульсов
CN204302479U (zh) 一种电容器瞬间开短路测试仪校准装置
RU2548925C1 (ru) Способ измерения последовательного сопротивления базы полупроводникового диода
Arabi et al. Catastrophic faults detection of analog circuits
RU164168U1 (ru) Генератор модулированных по частоте прямоугольных импульсов
RU188241U1 (ru) Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения
CN204577404U (zh) 一种pn结瞬时电容能谱测量系统
RU2780816C1 (ru) Высоковольтный электронный ключ
RU2527658C1 (ru) Мостовой измеритель параметров двухполюсников
RU201072U1 (ru) Установка для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базах полупроводниковых приборов
RU184633U1 (ru) Установка для испытания лавинных диодов на стойкость к воздействию ударной мощности обратных потерь
SU77723A1 (ru) Амплитудный вольтметр
SU244511A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ р—п-ПЕРЕХОДА
CN107942209B (zh) 逐次搜索计算油纸绝缘极化等效电路参数的方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20171016