RU188241U1 - Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения - Google Patents

Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения Download PDF

Info

Publication number
RU188241U1
RU188241U1 RU2018133922U RU2018133922U RU188241U1 RU 188241 U1 RU188241 U1 RU 188241U1 RU 2018133922 U RU2018133922 U RU 2018133922U RU 2018133922 U RU2018133922 U RU 2018133922U RU 188241 U1 RU188241 U1 RU 188241U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diodes
voltage
mos transistor
resistance
rate
Prior art date
Application number
RU2018133922U
Other languages
English (en)
Inventor
Виталий Федорович Зотин
Алексей Николаевич Школин
Александр Юрьевич Дракин
Original Assignee
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" filed Critical ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет"
Priority to RU2018133922U priority Critical patent/RU188241U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU188241U1 publication Critical patent/RU188241U1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Использование: для контроля параметров полупроводниковых диодов. Сущность полезной модели заключается в том, что устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, при этом в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока. Технический результат: обеспечение возможности упрощения и повышения надежности контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения с сохранением высоких технических характеристик. 1 ил.

Description

Полезная модель относится к области электронной техники, связанной с контролем параметров полупроводниковых диодов, в частности, карбидокремниевых диодов Шоттки.
Известна схема контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения, обеспечивающая высокие значения этой скорости (Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser. Sep. 2015. https://www.wolfspeed.com/power/tools-and-support/white-papers), которая содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор и устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, содержащее импульсный трансформатор, резисторы, диод, лавинный биполярный транзистор и дополнительный высоковольтный источник напряжения для заряда вспомогательного конденсатора.
Недостатками данной схемы является сложность устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и потребность в дополнительном высоковольтном источнике напряжения.
Задачей полезной модели является упрощение устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора посредством исключения из схемы дополнительного высоковольтного источника напряжения.
Поставленная задача достигается тем, что устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и отличается тем, что в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока.
Для пояснения принципа работы устройства контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения приводится рисунок с его схемой.
Устройство содержит источник постоянного испытательного напряжения смещения 1, резистор 2, конденсатор 3, генератор управляющих импульсов 4, микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока (например, UCC27322D) 5, МДП-транзистор 6, испытуемый диод 7 и осциллограф 8.
Работает устройство следующим образом. Конденсатор 3 предварительно заряжается через резистор 2 и испытуемый диод 7 до напряжения источника 1. Управляющий импульс генератора 4 транслируется микросхемой драйвера 5 в импульс тока, который быстро заряжает входную емкость МДП-транзистора 6, вызывая его ускоренное включение. При этом к испытуемому диоду 7 прикладывается обратное напряжение с амплитудой, равной напряжению на конденсаторе 3. Определение скорости нарастания обратного напряжения и стойкости к ней испытуемого диода осуществляется с помощью осциллографа 8.
Предлагаемое устройство применено в приборе контроля стойкости карбидокремниевых диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения, выполненного на базе микросхемы драйвера UCC27322D и МДП-транзистора C2M1000170J и обеспечивающего испытание диодов при обратном напряжении от 0 до 1500 В и скорости его нарастания от 50 до 500 В/нс.

Claims (1)

  1. Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, отличающееся тем, что в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока.
RU2018133922U 2018-09-25 2018-09-25 Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения RU188241U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018133922U RU188241U1 (ru) 2018-09-25 2018-09-25 Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018133922U RU188241U1 (ru) 2018-09-25 2018-09-25 Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU188241U1 true RU188241U1 (ru) 2019-04-04

Family

ID=66087855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018133922U RU188241U1 (ru) 2018-09-25 2018-09-25 Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU188241U1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1140064A1 (ru) * 1983-04-13 1985-02-15 Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Вычислительной Техники Устройство дл разбраковки диодов по времени восстановлени обратного сопротивлени
RU2046366C1 (ru) * 1993-02-26 1995-10-20 Самарский государственный аэрокосмический университет им.акад.С.П.Королева Устройство для отбраковки диодов
JP2000121692A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Canon Inc 半導体素子の試験装置
RU2415447C1 (ru) * 2009-12-28 2011-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (СГАУ) Устройство для отбраковки диодов
RU143076U1 (ru) * 2014-03-12 2014-07-10 Открытое акционерное общество "Ульяновский механический завод", (ОАО "УМЗ") Устройство для контроля свч диодов

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1140064A1 (ru) * 1983-04-13 1985-02-15 Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Вычислительной Техники Устройство дл разбраковки диодов по времени восстановлени обратного сопротивлени
RU2046366C1 (ru) * 1993-02-26 1995-10-20 Самарский государственный аэрокосмический университет им.акад.С.П.Королева Устройство для отбраковки диодов
JP2000121692A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Canon Inc 半導体素子の試験装置
RU2415447C1 (ru) * 2009-12-28 2011-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (СГАУ) Устройство для отбраковки диодов
RU143076U1 (ru) * 2014-03-12 2014-07-10 Открытое акционерное общество "Ульяновский механический завод", (ОАО "УМЗ") Устройство для контроля свч диодов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Detail study of SiC MOSFET switching characteristics
Lautner et al. Analysis of GaN HEMT switching behavior
Yang et al. Design of a fast dynamic on-resistance measurement circuit for GaN power HEMTs
WO2018008398A1 (ja) 駆動回路およびそれを用いたパワーモジュール
JP7388052B2 (ja) パワー半導体用試験装置およびパワー半導体試験方法
US10917080B2 (en) Gate drive circuit
Gonzalez et al. Temperature sensitive electrical parameters for condition monitoring in SiC power MOSFETs
US10256807B2 (en) Driving device for semiconductor elements
Carrasco et al. Energy analysis and performance evaluation of GaN cascode switches in an inverter leg configuration
Li et al. Dynamic on-state resistance evaluation of GaN devices under hard and soft switching conditions
Bahl et al. New electrical overstress and energy loss mechanisms in GaN cascodes
JP5254386B2 (ja) ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール
JP2018007201A (ja) ゲート駆動回路
Mo et al. A low surge voltage and fast speed gate driver for SiC MOSFET with switched capacitor circuit
RU188241U1 (ru) Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения
US11005472B2 (en) Method for operating a transistor device and electronic-circuit with a transistor device
TWI752793B (zh) 部分脈衝電位可調之閘極驅動電路及裝置
Badawi et al. High-speed gate driver design for testing and characterizing WBG power transistors
TW201338422A (zh) 具較佳安全操作區及抗雜訊能力的浮接閘驅動器電路以及平移切換信號準位的方法
Kumar et al. Threshold voltage instability measurement circuit for power GaN HEMTs devices
Endruschat et al. Application-related characterization and theoretical potential of wide-bandgap devices
Gelagaev et al. A novel voltage clamp circuit for the measurement of transistor dynamic on-resistance
US20210105010A1 (en) Gate-driving circuit
JP5563050B2 (ja) ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール
Zhao et al. Design of gate driver and power device evaluation platform for SiC MOSFETS

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20190506