RU188241U1 - Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения - Google Patents
Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения Download PDFInfo
- Publication number
- RU188241U1 RU188241U1 RU2018133922U RU2018133922U RU188241U1 RU 188241 U1 RU188241 U1 RU 188241U1 RU 2018133922 U RU2018133922 U RU 2018133922U RU 2018133922 U RU2018133922 U RU 2018133922U RU 188241 U1 RU188241 U1 RU 188241U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diodes
- voltage
- mos transistor
- resistance
- rate
- Prior art date
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Использование: для контроля параметров полупроводниковых диодов. Сущность полезной модели заключается в том, что устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, при этом в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока. Технический результат: обеспечение возможности упрощения и повышения надежности контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения с сохранением высоких технических характеристик. 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области электронной техники, связанной с контролем параметров полупроводниковых диодов, в частности, карбидокремниевых диодов Шоттки.
Известна схема контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения, обеспечивающая высокие значения этой скорости (Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser. Sep. 2015. https://www.wolfspeed.com/power/tools-and-support/white-papers), которая содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор и устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, содержащее импульсный трансформатор, резисторы, диод, лавинный биполярный транзистор и дополнительный высоковольтный источник напряжения для заряда вспомогательного конденсатора.
Недостатками данной схемы является сложность устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и потребность в дополнительном высоковольтном источнике напряжения.
Задачей полезной модели является упрощение устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора посредством исключения из схемы дополнительного высоковольтного источника напряжения.
Поставленная задача достигается тем, что устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и отличается тем, что в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока.
Для пояснения принципа работы устройства контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения приводится рисунок с его схемой.
Устройство содержит источник постоянного испытательного напряжения смещения 1, резистор 2, конденсатор 3, генератор управляющих импульсов 4, микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока (например, UCC27322D) 5, МДП-транзистор 6, испытуемый диод 7 и осциллограф 8.
Работает устройство следующим образом. Конденсатор 3 предварительно заряжается через резистор 2 и испытуемый диод 7 до напряжения источника 1. Управляющий импульс генератора 4 транслируется микросхемой драйвера 5 в импульс тока, который быстро заряжает входную емкость МДП-транзистора 6, вызывая его ускоренное включение. При этом к испытуемому диоду 7 прикладывается обратное напряжение с амплитудой, равной напряжению на конденсаторе 3. Определение скорости нарастания обратного напряжения и стойкости к ней испытуемого диода осуществляется с помощью осциллографа 8.
Предлагаемое устройство применено в приборе контроля стойкости карбидокремниевых диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения, выполненного на базе микросхемы драйвера UCC27322D и МДП-транзистора C2M1000170J и обеспечивающего испытание диодов при обратном напряжении от 0 до 1500 В и скорости его нарастания от 50 до 500 В/нс.
Claims (1)
- Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, отличающееся тем, что в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018133922U RU188241U1 (ru) | 2018-09-25 | 2018-09-25 | Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018133922U RU188241U1 (ru) | 2018-09-25 | 2018-09-25 | Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU188241U1 true RU188241U1 (ru) | 2019-04-04 |
Family
ID=66087855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018133922U RU188241U1 (ru) | 2018-09-25 | 2018-09-25 | Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU188241U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1140064A1 (ru) * | 1983-04-13 | 1985-02-15 | Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Вычислительной Техники | Устройство дл разбраковки диодов по времени восстановлени обратного сопротивлени |
| RU2046366C1 (ru) * | 1993-02-26 | 1995-10-20 | Самарский государственный аэрокосмический университет им.акад.С.П.Королева | Устройство для отбраковки диодов |
| JP2000121692A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Canon Inc | 半導体素子の試験装置 |
| RU2415447C1 (ru) * | 2009-12-28 | 2011-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (СГАУ) | Устройство для отбраковки диодов |
| RU143076U1 (ru) * | 2014-03-12 | 2014-07-10 | Открытое акционерное общество "Ульяновский механический завод", (ОАО "УМЗ") | Устройство для контроля свч диодов |
-
2018
- 2018-09-25 RU RU2018133922U patent/RU188241U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1140064A1 (ru) * | 1983-04-13 | 1985-02-15 | Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Вычислительной Техники | Устройство дл разбраковки диодов по времени восстановлени обратного сопротивлени |
| RU2046366C1 (ru) * | 1993-02-26 | 1995-10-20 | Самарский государственный аэрокосмический университет им.акад.С.П.Королева | Устройство для отбраковки диодов |
| JP2000121692A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Canon Inc | 半導体素子の試験装置 |
| RU2415447C1 (ru) * | 2009-12-28 | 2011-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (СГАУ) | Устройство для отбраковки диодов |
| RU143076U1 (ru) * | 2014-03-12 | 2014-07-10 | Открытое акционерное общество "Ульяновский механический завод", (ОАО "УМЗ") | Устройство для контроля свч диодов |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Detail study of SiC MOSFET switching characteristics | |
| JP6469118B2 (ja) | バイポーラゲートドライバ | |
| Badawi et al. | A new method for dynamic Ron extraction of GaN power HEMTs | |
| Lautner et al. | Analysis of GaN HEMT switching behavior | |
| Yang et al. | Design of a fast dynamic on-resistance measurement circuit for GaN power HEMTs | |
| WO2018008398A1 (ja) | 駆動回路およびそれを用いたパワーモジュール | |
| US10917080B2 (en) | Gate drive circuit | |
| Gonzalez et al. | Temperature sensitive electrical parameters for condition monitoring in SiC power MOSFETs | |
| JP7388052B2 (ja) | パワー半導体用試験装置およびパワー半導体試験方法 | |
| Carrasco et al. | Energy analysis and performance evaluation of GaN cascode switches in an inverter leg configuration | |
| Li et al. | Dynamic on-state resistance evaluation of GaN devices under hard and soft switching conditions | |
| Bahl et al. | New electrical overstress and energy loss mechanisms in GaN cascodes | |
| TWI484756B (zh) | 具較佳安全操作區及抗雜訊能力的浮接閘驅動器電路以及平移切換信號準位的方法 | |
| Mo et al. | A low surge voltage and fast speed gate driver for SiC MOSFET with switched capacitor circuit | |
| RU188241U1 (ru) | Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения | |
| US11005472B2 (en) | Method for operating a transistor device and electronic-circuit with a transistor device | |
| TWI752793B (zh) | 部分脈衝電位可調之閘極驅動電路及裝置 | |
| Hochberg et al. | Analyzing a gate-boosting circuit for fast switching | |
| Badawi et al. | High-speed gate driver design for testing and characterizing WBG power transistors | |
| JP2012191408A (ja) | ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール | |
| Endruschat et al. | Application-related characterization and theoretical potential of wide-bandgap devices | |
| US20210105010A1 (en) | Gate-driving circuit | |
| Zhao et al. | Design of gate driver and power device evaluation platform for SiC MOSFETS | |
| Gelagaev et al. | A novel voltage clamp circuit for the measurement of transistor dynamic on-resistance | |
| CN102109573B (zh) | 高压集成电路的dV/dt耐量测试装置及其测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20190506 |