RU176261U1 - Устройство измерения времени обратного восстановления диодов - Google Patents
Устройство измерения времени обратного восстановления диодов Download PDFInfo
- Publication number
- RU176261U1 RU176261U1 RU2017112121U RU2017112121U RU176261U1 RU 176261 U1 RU176261 U1 RU 176261U1 RU 2017112121 U RU2017112121 U RU 2017112121U RU 2017112121 U RU2017112121 U RU 2017112121U RU 176261 U1 RU176261 U1 RU 176261U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- source
- recovery time
- reverse recovery
- measuring
- reverse
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области измерений в электронной технике, в частности к измерению параметров диодов.
Устройство измерения времени обратного восстановления диодов содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство управления, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф. При этом источник импульсов обратного напряжения выполнен в виде источника постоянного напряжения и ключа на МДП-транзисторе с регулируемым сопротивлением в цепи затвора.
Технический результат заключается в повышении точности измерений за счет увеличения скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более) в испытуемом диоде при выполнении измерения его времени обратного восстановления. 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области электронной техники, в частности к производству карбидокремниевых диодов Шоттки.
Известна схема измерения времени обратного восстановления диода [ГОСТ 24461-80. Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний], которая содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство, испытуемый диод, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и индуктивностью, ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и конденсатором. Ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и индуктивностью обеспечивают требуемую скорость спада прямого тока, а ветвь электрической цепи с последовательно включенными резистором и конденсатором ограничивают перенапряжения.
Также известна схема измерения времени обратного восстановления диода [патент JPS 56130667 А, опубл. 13.10.1981 г.], которая содержит синхронизирующее устройство, испытуемый диод, измерительный резистор, осциллограф, а также два источника импульсов прямого и обратного тока, каждый из которых выполнен с использованием источника постоянного напряжения и ключа, на базе полевого транзистора.
Недостатком данных схем является невозможность на практике обеспечить высокую заданную скорость спада прямого тока (1000 А/мкс и более), необходимую в частности при испытании силовых карбидокремниевых диодов Шоттки.
Задачей полезной модели является обеспечение высокой скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более).
Эта задача достигается тем, что устройство измерения времени обратного восстановления диодов содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство управления, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, отличающееся тем, что источник импульсов обратного напряжения выполнен в виде источника постоянного напряжения и ключа на МДП-транзисторе с регулируемым сопротивлением в цепи затвора,
На рисунке представлена схема измерения времени обратного восстановления диода.
Устройство содержит источника постоянного напряжения, задающий уровень обратного напряжения 1, первый ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику 2, регулируемое сопротивление 3, источника постоянного напряжения, задающий уровень прямого тока 4, операционный усилитель 5, второй ключ на МДП-транзисторе, последовательно включенный предыдущему источнику 6, датчик прямого тока в виде резистора 7, испытуемый диод 8, осциллограф 9, безындуктивный измерительный резистор 10, синхронизирующее устройство управления 11.
Работает устройство следующим образом. В начальный момент времени синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 6 для формирования импульса прямого тока в испытуемом диоде 8. В следующий момент времени (через временную задержку относительно начального момента времени) синхронизирующее устройство управления 11 выдает импульс на открытие МДП-ключа 2 для подачи обратного напряжения на испытуемый диод 8. В итоговый момент времени (через временную задержку относительно второго момента времени) работа синхронизирующего устройство управления 11 останавливается. При выполнении циклических измерений данный алгоритм повторяется заново.
Выбором типа транзистора 2 и сопротивления 3 устанавливается требуемая скорость спада прямого тока, а выбором напряжения на инвертирующем входе операционного усилителя 5 и сопротивления 7 -амплитуда прямого тока.
Предлагаемое устройство было использовано при разработке автоматизированного тестера для измерения динамических параметров силовых карбидокремниевых диодов и транзисторных модулей.
Таким образом, предлагаемая схема позволяет добиться высокой скорости спада прямого тока (1000 А/мкс и более) в испытуемом диоде при выполнении измерения его времени обратного восстановления.
Claims (1)
- Устройство измерения времени обратного восстановления диодов содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, синхронизирующее устройство управления, безындуктивный измерительный резистор, осциллограф, отличающееся тем, что источник импульсов обратного напряжения выполнен в виде источника постоянного напряжения и ключа на МДП-транзисторе с регулируемым сопротивлением в цепи затвора.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017112121U RU176261U1 (ru) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017112121U RU176261U1 (ru) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU176261U1 true RU176261U1 (ru) | 2018-01-15 |
Family
ID=68235116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017112121U RU176261U1 (ru) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU176261U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU221534U1 (ru) * | 2023-07-05 | 2023-11-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Прибор для измерения времени восстановления обратного тока в выпрямительных диодах |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU429383A1 (ru) * | 1971-09-24 | 1974-05-25 | А. Б. Гитцевич , Ю. В. Кокорев | Устройство для измерениявремени восстановления обратного сопротивления диодов |
| JPS56130667A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Toshiba Corp | Measuring circuit for reverse recovery time of diode or the like |
| RU126145U1 (ru) * | 2012-07-11 | 2013-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (НовГУ) | Измеритель заряда восстановления |
| CN105045961A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-11 | 中国人民解放军海军工程大学 | 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法 |
-
2017
- 2017-04-10 RU RU2017112121U patent/RU176261U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU429383A1 (ru) * | 1971-09-24 | 1974-05-25 | А. Б. Гитцевич , Ю. В. Кокорев | Устройство для измерениявремени восстановления обратного сопротивления диодов |
| JPS56130667A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Toshiba Corp | Measuring circuit for reverse recovery time of diode or the like |
| RU126145U1 (ru) * | 2012-07-11 | 2013-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого" (НовГУ) | Измеритель заряда восстановления |
| CN105045961A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-11 | 中国人民解放军海军工程大学 | 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU221534U1 (ru) * | 2023-07-05 | 2023-11-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Прибор для измерения времени восстановления обратного тока в выпрямительных диодах |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107621599B (zh) | 一种测量igbt在高温反偏试验中结温变化的方法 | |
| CN101135716B (zh) | 测量漏电流的方法与装置 | |
| CN103954899B (zh) | 一种实时测量二极管瞬态温升的方法 | |
| US9857409B2 (en) | Negative bias thermal instability stress testing of transistors | |
| CN112798976B (zh) | 一种电源故障判断方法、设备、电子设备及存储介质 | |
| CN102435817B (zh) | MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法 | |
| CN103076550A (zh) | 半导体二极管的雪崩耐量测试装置及其测试方法与应用 | |
| CN111965404A (zh) | 一种示波器的相位延迟获取装置及获取方法 | |
| RU176261U1 (ru) | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов | |
| WO2019146460A1 (ja) | 電流電圧特性の測定方法 | |
| WO2018156049A1 (ru) | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов | |
| RU172726U1 (ru) | Устройство измерения времени обратного восстановления диодов | |
| Sarikh et al. | Design of an IV characteristic tracer for photovoltaic systems | |
| CN204666777U (zh) | 利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路 | |
| Gonzalez et al. | Characterization of BTI in SiC MOSFETs using third quadrant characteristics | |
| Garba-Seybou et al. | Analysis of the interactions of HCD under “On” and “Off” state modes for 28nm FDSOI AC RF modelling | |
| US10119997B2 (en) | Method for measuring the waveform capture rate of a digital storage oscilloscope based on average dead time measurement | |
| Ren et al. | A voltage clamp circuit for the real-time measurement of the on-state voltage of power transistors | |
| Frankeser et al. | Using the on-state-Vbe, sat-voltage for temperature estimation of SiC-BJTs during normal operation | |
| US20190377025A1 (en) | Multiplexed dlts and hscv measurement system | |
| CN207037014U (zh) | 场效应管测试电路 | |
| CN104766809A (zh) | 一种pn结瞬时电容能谱测量方法和系统 | |
| Meng et al. | The need for transient IV measurement of device ESD response | |
| RU164168U1 (ru) | Генератор модулированных по частоте прямоугольных импульсов | |
| Gomes et al. | Deep-level traps’ capture time constant and its impact on nonlinear GaN HEMT modeling |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20180129 |