RU2780816C1 - Высоковольтный электронный ключ - Google Patents

Высоковольтный электронный ключ Download PDF

Info

Publication number
RU2780816C1
RU2780816C1 RU2022112554A RU2022112554A RU2780816C1 RU 2780816 C1 RU2780816 C1 RU 2780816C1 RU 2022112554 A RU2022112554 A RU 2022112554A RU 2022112554 A RU2022112554 A RU 2022112554A RU 2780816 C1 RU2780816 C1 RU 2780816C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
voltage
gate
resistor
source
Prior art date
Application number
RU2022112554A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Михайлович Зюзин
Андрей Александрович Карпеев
Original Assignee
Александр Михайлович Зюзин
Андрей Александрович Карпеев
Filing date
Publication date
Application filed by Александр Михайлович Зюзин, Андрей Александрович Карпеев filed Critical Александр Михайлович Зюзин
Application granted granted Critical
Publication of RU2780816C1 publication Critical patent/RU2780816C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к электронной технике. Технический результат - упрощение устройства, исключение работы измерительных приборов под высоким напряжением и нагрев исследуемых образцов в широком диапазоне напряженностей электрического поля. Для этого предложен высоковольтный электронный ключ, содержащий один полевой транзистор, в стоковую цепь которого включен исследуемый образец, а в цепь истока включено опорное сопротивление, по напряжению на котором определяют силу тока через образец, причем к выходу источника питания дополнительно включен конденсатор для обеспечения стабильности значений и исключения искажений импульсов тока, а источник управляющего импульсного напряжения через резистор подключен к затвору транзистора, при этом между общей точкой резистор-затвор транзистора и общей шиной подключен дополнительно введенный стабилитрон, ограничивающий амплитуду управляющего напряжения на затворе транзистора, для снижения влияния емкости затвора - сток и искажения задних фронтов прямоугольных импульсов параллельно со стабилитроном подключен второй резистор. 2 ил.

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности к импульсной технике, и может быть использовано в установках для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) полупроводящих материалов в широком диапазоне напряженностей электрического поля в импульсном режиме.
Известен электронный ключ (RU 2024187 С1, МПК Н03К 17/687, опубл. 30.11.1994), содержащий высоковольтный полевой транзистор со статической индукцией (СИТ), два ключа, три резистора, формирователь запирающего импульса, конденсатор, диод, шину запуска и две шины питания.
Затвор (СИТ) подключен через первый ключ и последовательно с ним соединенный первый резистор к положительной шине питания, а через второй ключ и параллельно подключенный к нему второй резистор к отрицательной шине питания, исток подключен к общей шине питания, сток - к нагрузке. Управляющий вход первого ключа подключен к шине запуска, а управляющий вход второго ключа - к выходу формирователя запирающего импульса, вход которого подключен к шине запуска. Цепь нелинейной отрицательной обратной связи состоит из третьего резистора, конденсатора и диода, причем катод диода подключен к конденсатору, другой вывод которого подключен к затвору СИТ, и к третьему резистору, другой вывод которого подключен к общему проводу.
Недостатком ключа является сложность конструкции и ограниченность применения. Так как для восстановления заряда конденсатора необходимо время, в несколько раз превышающее длительность выходного импульса, а на стоке СИТ в открытом состоянии сохраняется значительное остаточное напряжение, то данную схему стоит применять в устройствах, работающих с высокой скважностью импульсов и высоким напряжением питания нагрузки.
Известен электронный ключ (RU 2764278 С1, МПК Н02К 1/088, опубл. 17.01.2022, бюл. №2), содержащий N последовательно соединенных транзисторов, N управляющих трансформаторов, включенных по схеме трансформатора тока. Коллектор и эмиттер каждого транзистора зашунтирован выравнивающим резистором и защитным диодом. К базе (затвору) каждого транзистора подключен выход схемы управления ключом (ограничительный резистор), второй вывод которого подключен к эмиттеру каждого транзистора, через сглаживающую цепочку и защитный диод. Входы схемы управления ключом соединены с вторичной обмоткой трансформатора, к первичной обмотке управляющих трансформаторов подключена схема формирователя управляющего сигнала.
Недостатком ключа, является сложность исполнения ключа из-за наличия большого количества каскадов, и его большие габариты из-за наличия последовательно соединенных транзисторов, и управляющих трансформаторов.
Известен электронный ключ (RU 165994 U1, МПК Н03К 17/687, опубл. 10.11.2016, бюл. №31), в котором содержится N ограничителей напряжения, подключенных между истоками и стоками соответствующих транзисторов, где входом ключа является сток N-ro транзистора, а выходом ключа является исток первого транзистора, для каждого транзистора, начиная со второго, дополнительно введены резистор и диод, при этом резисторы включены между истоками и затворами соответствующих транзисторов, аноды всех дополнительных диодов соединены с управляющим входом ключа, а катоды диодов соединены с затворами соответствующих транзисторов, затвор первого транзистора соединен с управляющим входом ключа, при этом напряжение на управляющий вход ключа подается относительно истока первого транзистора.
Недостатком ключа, как и предыдущего, является сложность исполнения ключа из-за наличия большого количества каскадов.
Известен электронный ключ (SU 1786653 А1, МПК Н03К 17/687, опубл. 07.01.1993, бюл. №1), содержащий МДП-транзистор, в стоковую цепь которого включена нагрузка и первичная обмотка дифференцирующего трансформатора тока, стабилитрон, диод, резистор.
В стоковую цепь МДП-транзистора через первичную обмотку трансформатора тока включена нагрузка и положительный полюс входного напряжения, к истоку транзистора подключены отрицательный полюс входного напряжения, анод стабилитрона и конец вторичной обмотки трансформатора тока, начало которой через диод соединено с затвором транзистора, с катодом стабилитрона и с источником управляющих импульсов. Параллельно диоду подключен резистор.
Недостатком ключа является сложность конструкции и наличие трансформатора.
Известен электронный ключ (SU 1760629 А1, МПК Н03К 17/687, опубл. 07.09.1992, бюл. №33), содержащий силовой биполярный транзистор, коллектор которого через нагрузку подключен к положительной шине источника питания, а эмиттер - к его отрицательной шине (общему полюсу). Параллельно коллектору и эмиттеру транзистора включен сток и исток демпфирующего первого полевого транзистора соответственно. Источник импульсов управления соединен через первый резистор с базой биполярного транзистора, а через диод и второй резистор с затвором первого полевого транзистора и с коллектором шунтирующего второго биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к источнику первого полевого транзистора. Замедляющий конденсатор, подключенный параллельно затвору и истоку первого полевого транзистора. База второго полевого транзистора через третий ограничивающий резистор соединена с коллектором силового биполярного транзистора и через четвертый базовый резистор - с его эмиттером.
Недостатком ключа является сложность конструкции и использование нескольких транзисторов.
Наиболее близким аналогом к заявленному изобретению по совокупности признаков, принятым за прототип, является электронный ключ (SU 1750050 А1, МПК Н03К 17/687, опубл. 23.07.1992, бюл. №27), который состоит из МДП-транзистора, шунтирующего (полевого или биполярного) транзистора, двух диодов, двух резисторов и конденсатора.
Ключевой МДП-транзистор, стоком и истоком, включенный между силовым и общим выводами ключа и нагрузкой. Параллельно затвору и истоку транзистора включен шунтирующий транзистор коллектором и эмиттером соответственно. Между базой и эмиттером шунтирующего транзистора катодом и анодом включен первый диод. Между базой шунтирующего транзистора и стоком МДП-транзистора включены последовательно соединенные первый и второй резисторы, а к общей точке соединения подключена первая обкладка конденсатора и катод второго диода, анодом соединенного со стоком МДП-транзистора, вторая обкладка конденсатора подключена к базе шунтирующего транзистора.
Недостатком известного электронного ключа является сложность исполнения и использование двух транзисторов.
Цель изобретения - упрощение конструкции высоковольтного электронного ключа и возможность регистрации вольт-амперных характеристик полупроводящих материалов в широком диапазоне напряженностей электрического поля.
Технический результат заключается в упрощении устройства, исключении работы измерительных приборов под высоким напряжением, возможности исключения нагрева исследуемых образцов в широком диапазоне напряженностей электрического поля благодаря использованию импульсного режима регистрации вольт-амперных характеристик.
Указанный технический результат достигается тем, что в высоковольтном электронном ключе, содержащем один полевой транзистор, в стоковую цепь которого включен исследуемый образец, а в цепь истока включено опорное сопротивление, по напряжению на котором определяют силу тока через образец, причем к выходу источника питания дополнительно включен конденсатор для обеспечения стабильности значений и исключения искажений импульсов тока, а источник управляющего импульсного напряжения через резистор подключен к затвору транзистора, при этом между общей точкой резистор-затвор транзистора и общей шиной подключен дополнительно введенный стабилитрон, ограничивающий амплитуду управляющего напряжения на затворе транзистора, для снижения влияния емкости затвора - сток и искажения задних фронтов прямоугольных импульсов параллельно со стабилитроном подключен второй резистор.
Высоковольтный электронный ключ для измерения вольт-амперных характеристик включает регулируемый источник питания 1, генератор импульсов 2, осциллограф 4, осциллограф 3, образец 4.
Сущность изобретения поясняется чертежом (фиг. 1), на котором представлена схема предлагаемого высоковольтного электронного ключа, содержащем один полевой транзистор VT1, в стоковую цепь которого включен исследуемый образец 4 (нагрузка), а в цепь истока включено опорное сопротивление R3, по напряжению на котором определяют силу тока через образец 4, а источник 2 управляющего импульсного напряжения через резистор R1 подключен к затвору транзистора VT1, для снижения влияния емкости затвор-сток и искажения задних фронтов прямоугольных импульсов, в общую точку резистор-затвор транзистора VT1 включен второй резистор R2 параллельно со стабилитроном VD1, ограничивающим амплитуду управляющего напряжения.
Напряжение на образце 4 определяется как разность приложенного напряжения от источника тока 1 и падения напряжения на опорном сопротивлении R3 и полевом транзисторе VT1 в его открытом состоянии, что учитывается в расчетных формулах для определения напряжения, приложенного к образцу 4.
Основным отличительным признаком, определяющим технический результат от использования предлагаемого высоковольтного электронного ключа, заключается в упрощение схемного решения при наличии одного полевого транзистора VD1, а также включение в стоковую цепь транзистора VD1 исследуемого образца, причем в цепь истока включено опорное сопротивление R3, по напряжению на котором определяют силу тока через образец, а источник импульсного управляющего напряжения подключен к затвору через резистор R1, к выходу источника дополнительно включена емкость С1 для обеспечения стабильности значений, и исключения искажений импульсов тока, в общую точку R1-затвор включен резистор R2 параллельно со стабилитроном VD1, ограничивающим амплитуду управляющего сигнала.
Высоковольтный электронный ключ работает следующим образом: Регулируемое напряжение, прикладываемое к образцу 4, подается от источника питания 1, к выходу которого дополнительно включен конденсатор C1 для обеспечения стабильности значений и исключения искажений импульсов тока. Прямоугольные управляющие импульсы от генератора 2 подаются через R1 на затвор транзистора VD1, в сток которого включен исследуемый образец 4. Сила тока, протекающего через образец 4, определяется по падению напряжения на опорном сопротивлении R3 измеряемому с помощью осциллографа 3 и рассчитывается как,
Figure 00000001
Напряжение, приложенное к образцу 4 определяется
Figure 00000002
где - напряжение задаваемое блоком питания,
UТР - падение напряжения открытого транзистора,
U - напряжение на опорном сопротивлении.
Изменяя напряжение UO по значениям Ux и Iх, строится вольт-амперная характеристика.
На фиг. 2 a,b приведены вольт-амперные характеристики, зарегистрированные с помощью применения предлагаемого высоковольтного электронного ключа для двух образцов углеродосодержащих полимерных композитов на основе этиленвинилацетата с содержанием технического углерода 15 и 30 весовых процентов.
В первом из них, механизм проводимости обусловлен туннелированием, во втором имеет омическую природу, обусловленную сеткой непосредственно контактирующих частиц технического углерода.
Использование предлагаемого высоковольтного электронного ключа заключается в упрощение устройства, исключение работы измерительных приборов под высоким напряжением и возможности исключения нагрева исследуемых образцов в широком диапазоне напряженностей электрического поля, благодаря использованию импульсного режима регистрации вольт-амперных характеристик.

Claims (1)

  1. Высоковольтный электронный ключ, содержащий транзистор, резисторы, конденсатор, отличающийся тем, что в высоковольтном электронном ключе, содержащем один полевой транзистор, в стоковую цепь которого включен исследуемый образец, а в цепь истока включено опорное сопротивление, по напряжению на котором определяют силу тока через образец, причем к выходу источника питания дополнительно включен конденсатор для обеспечения стабильности значений и исключения искажений импульсов тока, а источник управляющего импульсного напряжения через резистор подключен к затвору транзистора, при этом между общей точкой резистор-затвор транзистора и общей шиной подключен дополнительно введенный стабилитрон, ограничивающий амплитуду управляющего напряжения на затворе транзистора, для исключения влияния емкости затвора - сток и искажения задних фронтов прямоугольных импульсов параллельно со стабилитроном подключен второй резистор.
RU2022112554A 2022-05-05 Высоковольтный электронный ключ RU2780816C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2780816C1 true RU2780816C1 (ru) 2022-10-04

Family

ID=

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1750050A1 (ru) * 1990-02-09 1992-07-23 Б. С. Сергеев Полевой транзисторный ключ
RU2396706C1 (ru) * 2009-06-09 2010-08-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе
RU165994U1 (ru) * 2016-06-15 2016-11-10 Общество с ограниченной ответственностью Концерн "Аксион" (ООО Концерн "Аксион") Высоковольтный ключ
US9900003B2 (en) * 2012-02-22 2018-02-20 Fondazione Don Carlo Gnocchi Onlus High voltage current switch circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1750050A1 (ru) * 1990-02-09 1992-07-23 Б. С. Сергеев Полевой транзисторный ключ
RU2396706C1 (ru) * 2009-06-09 2010-08-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" Силовой ключ на мдп-транзисторе
US9900003B2 (en) * 2012-02-22 2018-02-20 Fondazione Don Carlo Gnocchi Onlus High voltage current switch circuit
RU165994U1 (ru) * 2016-06-15 2016-11-10 Общество с ограниченной ответственностью Концерн "Аксион" (ООО Концерн "Аксион") Высоковольтный ключ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kasper et al. ZVS of power MOSFETs revisited
Shen et al. Simplified loss analysis for high speed SiC MOSFET inverter
CN111257719A (zh) 有源mosfet电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路
CN106896258B (zh) 一种晶闸管瞬态导通压降测量电路
CN106385009A (zh) 一种应用于igbt的整形保护电路
TWI484755B (zh) 切換裝置以及測試裝置
CN113252987A (zh) 一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路
Kanale et al. Comparison of current suppression methods to enhance short circuit capability of 1.2 kV SiC power MOSFETs: A new approach using a series-connected, gate-source-shorted Si depletion-mode MOSFET vs reduced gate bias operation
RU2780816C1 (ru) Высоковольтный электронный ключ
Bahl et al. New electrical overstress and energy loss mechanisms in GaN cascodes
CN102006037A (zh) 时间延迟补偿和脉冲宽度校正
US11522540B2 (en) Gate-driving circuit and device
US11175332B2 (en) Method for measurement of current-voltage characteristics
Garba-Seybou et al. Analysis of the interactions of HCD under “On” and “Off” state modes for 28nm FDSOI AC RF modelling
Nayak et al. Analysis of switching loss reduction of SiC MOSFET in presence of antiparallel SiC schottky diode
Zhang et al. A modular push–pull–flyback high-voltage pulse generator for electric field emulation during a lightning strike
Ren et al. A voltage clamp circuit for the real-time measurement of the on-state voltage of power transistors
Unger et al. A comparison of the transient behavior of the drain current hysteresis in SiC-MOSFETs
RU185574U1 (ru) Установка для определения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристоров
Wang et al. Gate threshold voltage measurement method for Sic MOSFET with current-source gate driver
Martins et al. Development of PSpice modeling platform for 10 kV/100 A SiC MOSFET power module
Palmer et al. A figure of merit for power FET switching devices
Xu et al. Investigation of performance degradation in power MOSFET under OFF-state avalanche breakdown test
Rahman et al. High Resolution Dynamic R DS (on) Measurement of GaNFET using Active V DS (on) Measurement Clamp Circuit
WO2018156049A1 (ru) Устройство измерения времени обратного восстановления диодов